![]() |
|
|
ТРАВЛЕНИЕТРАВЛЕНИЕ химическое,
удаление части поверхностного слоя монокристалла, заготовки или изделия с помощью
топохимический реакций. Проводится с использованием растворов, расплавов, газов (газовое
ТРАВЛЕНИЕ) или активир. газов (например, плаз-мохимическое ТРАВЛЕНИЕ). Собственно химическое
ТРАВЛЕНИЕ иногда сочетают с механические воздействием, в качестве источника тепла и активатора
при газовом ТРАВЛЕНИЕ в ряде случаев используют лазеры. Обработку поверхности ионными
пучками с высокой кинетическая энергией в вакууме (ионное, ионно-плазменное ТРАВЛЕНИЕ)
и частичную возгонку в вакууме (термическое ТРАВЛЕНИЕ) обычно не относят к химическому
ТРАВЛЕНИЕ В зависимости от морфологии
получаемой поверхности химическое ТРАВЛЕНИЕ может быть выравнивающим (полирующим, шлифующим)
и избирательным (селективным). При выравнивающем ТРАВЛЕНИЕ происходит сглаживание рельефа
поверхности, уменьшение ее шероховатости, при избирательном ТРАВЛЕНИЕ-увеличение неоднородности
поверхности, выявление дефектов структуры, границ двойников и доменов, растравливание
трещин, царапин и т.п. Грани монокристаллов с различные ориентацией раств. с разной
скоростью. Поэтому избирательное ТРАВЛЕНИЕ монокристаллов связано с образованием фигур
(ямок) ТРАВЛЕНИЕ, форма которых определяется структурой кристалла, ориентацией поверхности,
видом дефектов и составом травителя, а количество-плотностью дефектов. Выравнивающее ТРАВЛЕНИЕ наблюдается
обычно при протекании процесса в диффузионной области, а избирательное-в кинетическая
области. Поэтому изменение температуры, концентрации реагентов, гидродинамич. обстановки,
введение добавок (в частности,
ПАВ) могут изменить характер процесса, который может стать комбинированным, например-с
избират. действием в начальные периоды и выравнивающим в конце процесса. Наряду
со сглаживанием рельефа поверхности может происходить образование глубоких, иногда
сквозных узких каналов. ТРАВЛЕНИЕ через защитные маски,
нанесенные на поверхность с помощью фотолитографии, с последующей удалением этих
масок удается получать профили и детали заданных размеров. Миним. размеры профилей
определяются разрешающей способностью фотолитографии, которая может достигать
1 мкм и менее. Главная трудность-отклонение боковых стенок вытравливаемого профиля
от нормали к внешний поверхности-образование клина ТРАВЛЕНИЕ, растворение материала под защитной
маской. Геометрия клина ТРАВЛЕНИЕ определяется крис-таллич. структурой, ориентацией
кристалла, размерами и ориентацией не защищенного маской участка поверхности, кинетикой
процесса. Химическое ТРАВЛЕНИЕ проводят
с помощью веществ, позволяющих получать хорошо растворимые или (в случае газов)
легко летучие продукты. Для ТРАВЛЕНИЕ кремния, кварца, кварцевого стекла и силикатных
стекол чаще всего используют водные растворы на основе HF или NH4HF2,
для ТРАВЛЕНИЕ металлов-кислоты и их смеси, для плазмохимического ТРАВЛЕНИЕ кремния и кварца-CF4,
фторхлоруглероды и др. Наиб. предпочтительны растворы, обладающие буферными свойствами. Химическое ТРАВЛЕНИЕ применяют
в технологии монокристаллов, стекол и поликристаллов (металлов, сплавов, полупроводников
и др. неорганическое материалов) для очистки от окалины и др. поверхностных загрязнений,
выявления дефектов структуры и двойников, определения кристаллографич. ориентации,
удаления нарушенных слоев, придания поверхности определенных свойств (полировка, шлифовка,
загрубление, изменение к.-л. характеристик), для повышения механические прочности изделий,
для изготовления рельефа или деталей определенной формы, в частности в планарной
технологии полупроводниковых приборов, при изготовлении резонаторов, частотных
фильтров, химический сенсоров и т.п. Литература: Травление
полупроводников, пер. с англ., М., 1965; Амелинкс С., Методы прямого наблюдения
дислокаций, пер. с англ., М., 1968; Пшеничников Ю. П., Выявление тонкой структуры
кристаллов. Справочник, М., 1974; Хейман Р. Б., Растворение кристаллов. Теория
и практика, пер. с нем., Л., 1979; Раков Э. Г., Федоров А. Е., в кн.: Итоги
науки и техники, сер. Неорганическая химия, т. 15, М., 1988, с. 120-28. Э.Г.
Раков. Химическая энциклопедия. Том 4 >> К списку статей |
[каталог] [статьи] [доска объявлений] [обратная связь] |
|
Введение в химию окружающей среды. Книга известных английских ученых раскрывает основные принципы химии окружающей
среды и их действие в локальных и глобальных масштабах. Важный аспект книги
заключается в раскрытии механизма действия природных геохимических процессов в
разных масштабах времени и влияния на них человеческой деятельности.
Показываются химический состав, происхождение и эволюция земной коры, океанов и
атмосферы. Детально рассматриваются процессы выветривания и их влияние на
химический состав осадочных образований, почв и поверхностных вод на континентах.
Для студентов и преподавателей факультетов биологии, географии и химии
университетов и преподавателей средних школ, а также для широкого круга
читателей.
Химия и технология редких и рассеянных элементов. Книга представляет собой учебное пособие по специальным курсам для студентов
химико-технологических вузов. В первой части изложены основы химии и технологии
лития, рубидия, цезия, бериллия, галлия, индия, таллия. Во
второй
части книги изложены основы химии и технологии скандия, натрия, лантана,
лантаноидов, германия, титана, циркония, гафния. В
третьей части книги изложены основы химии и технологии ванадия, ниобия,
тантала, селена, теллура, молибдена, вольфрама, рения. Наибольшее внимание
уделено свойствам соединений элементов, имеющих значение в технологии. В
технологии каждого элемента описаны важнейшие области применения, характеристика
рудного сырья и его обогащение, получение соединений из концентратов и отходов
производства, современные методы разделения и очистки элементов. Пособие
составлено по материалам, опубликованным из советской и зарубежной печати по
1972 год включительно.
|
|