![]() |
|
|
ТЕЛЛУРИДЫТЕЛЛУРИДЫ, соединения
Те с менее элсктроотрицат. элементами, главным образом с металлами. По строению, составу
и свойствам ТЕЛЛУРИДЫ являются аналогами др. халькогенидов - сульфидов и селенидов. В
ТЕЛЛУРИДЫ s-элементов химический связь ионно-ко-валентная, ковалентная составляющая
химической связи возрастает при переходе от Li к Cs и от Be к Ва. Щелочные металлы
образуют ТЕЛЛУРИДЫ типа М2Теn, где n = 1 — 4. ТЕЛЛУРИДЫ
состава М2Те являются солями теллуристоводородной кислоты Н2Те,
бесцв., кристаллизуются в решетке типа антифлюорита CaF2. Гигроскопичны,
при доступе воздуха разлагаются с выделением Те, растворим в воде, растворы устойчивы
только в отсутствие
О2. Полителлуриды М2Теn-серо-черные
кристаллы с металлич. блеском; разлагаются в присутствии О2 и влаги. Щел.-зем. металлы образуют
с Те соединение типа МТе. Это бесцветные кристаллы с кубич. решеткой типа NaCl, кроме
ВеТе с кубич. структурой типа сфалерита и MgTe со структурой типа вюрцита. На
воздухе окрашиваются в красноватый цвет, водой и кислотами разлагаются с выделением
Те. ТЕЛЛУРИДЫ p-элементов более
разнообразны по составу и характеризуются преимущественно ковалентным характером химический
связи. Для элементов III гр. известны соединение АIIIТе, При переходе от Ga к Тl
устойчивость соединение АIIIТе и ТЕЛЛУРИДЫ германия, Sn, Pb состава
МТе кристаллизуются в структуре типа NaCl. ТЕЛЛУРИДЫ кремния (плавится инконгруэнтно)
имеет состав Si2Te3 (см. табл.); при нагревании в вакууме разлагается
с образованием твердого Si и газообразных SiTe и Те2. Кубич. модификация
ТЕЛЛУРИДЫ олова и Ge переходит в ромбоэдрическую соответственно при 15-70 К и 663-773 К в зависимости
от состава. p-Элементы Va гр.
образуют ТЕЛЛУРИДЫ состава Структура ТЕЛЛУРИДЫ мышьяка построена
из блоков, состоящих из шести рядов атомов ТЕЛЛУРИДЫ и четырех рядов атомов As, связанных
между собой слабой связью типа ван-дер-ваальсовой. Структуры ТЕЛЛУРИДЫ сурьмы и Bi
слоистые и различаются между собой числом и порядком чередования пятислойных
пакетов из атомов металла и Те и двухслойных пакетов из атомов металла. ТЕЛЛУРИДЫ мышьяка,
Sb, Bi при нагревании в вакууме разлагаются с образованием газообразных М2,
Те2, МТе, М2Те2 . ТЕЛЛУРИДЫ d- и f-элементов
менее разнообразны по составу. Для большинства из них характерно образование
соединение типа МТе (структуры типа NiAs, NaCl) и UTe2 (структуры типа
CdI2, MoS2, FeS2 и т.д.). Для ТЕЛЛУРИДЫ цинка, Cd, Hg характерно
явление политипии и в зависимости от условий они кристаллизуются в кубич. структуре
типа сфалерита или гексагональной типа вюрци-та. Наим. число ТЕЛЛУРИДЫ характерно для
переходных металлов с относительно устойчивыми d5- и
d10-конфигурациями атомных оболочек. Например, Сr, Мn и
Re образуют не более двух ТЕЛЛУРИДЫ, a Ag, Аu, Zn, Cd, Hg-no одному (Ag2Te,
AuTe2, CdTe и т.д.). По мере увеличения содержания Те характер химический
связи изменяется от
ионной и металлической к ковалентной, образуются слоистые псевдомолекулярные
структуры. ТЕЛЛУРИДЫ переходных металлов характеризуются значительной областями гомогенности.
При увеличении содержания Те в результате образования металлич. вакансий может
происходить непрерывный переход от структуры типа NiAs к структуре типа CdI2,
например: переходы TiTe-TiTe2, PdTe-PdTe2. ТЕЛЛУРИДЫ d- и f-элементов-тугоплавкие
соединение; например, температура плавления для ТЕЛЛУРИДЫ РЗЭ достигает 1300-2000 °С. С повышением содержания
Те в ТЕЛЛУРИДЫ их устойчивость понижается. Во влажном воздухе ТЕЛЛУРИДЫ d-и f-элементов
постепенно разлагаются, в воде и кислотах-не-окислителях не раств., при нагревании
растворим в кислотах-окис-лителях. В атмосфере О2 окисляются с образованием
окси-теллуридов, например Получают ТЕЛЛУРИДЫ следующей способами:
1) непосредств. сплавлением компонентов в вакуумир. контейнерах; 2) взаимодействие
паров Те при нагревании с твердым или жидким металлом в инертной атмосфере или в
присут. Н2; 3) осаждением ТЕЛЛУРИДЫ теллуристым водородом или (NH4)2Te
из растворов солей соответствующих металлов; 4) восстановлением теллуритов или теллуратов
водородом, NH3, N2H4; 5) электрохимический способом,
когда в качестве катода используют Те, а анода-металл, ТЕЛЛУРИДЫ которого нужно получить.
Монокристаллы ТЕЛЛУРИДЫ выращивают направленной кристаллизацией из расплава по методу
Чохральского, Бриджмена, зонной плавкой, осаждением из пара с помощью химических
транспортных реакций, в частности с использованием металлоорганических соединений. ТЕЛЛУРИДЫ металлов I, II, IV,
V или VIII гр. периодической системы элементов в природе встречаются в виде минералов:
гессита Ag2Te, колорадоита HgTe, сильванита AgAuTe4, алтаита
РbТе, теллуровисмутита Bi2Te3 и др. Большинство ТЕЛЛУРИДЫ-полупроводники.
С увеличением атомной массы катиона ширина запрещенной зоны уменьшается, например
от 3,0 эВ для ВеТе до 0,02 эВ для HgTe. ТЕЛЛУРИДЫ используют как материалы для термоэлектрич.
преобразователей в нагревающих и охлаждающих устройствах (Т. меди, Ag, Pb, Sn,
Ge, Sb, Bi и т. д.). Созданы термогенераторы, использующие солнечное тепло,
тепло ядерных реакторов с мощностью до десятков и сотен кВт. С помощью интеркалирования
ионов щелочных и щел.-зем. металлов в ТЕЛЛУРИДЫ со слоистой структурой (например, Ga2Te3,
In2Te3) создают новые классы аккумуляторов солнечной и
злектрич. энергии. В акустооптике (см. Акустические материалы) ТЕЛЛУРИДЫ
используют как лазерные материалы, материалы для фотоприемников (Т. цинка, Cd,
Hg, Pb и т.д.), а в акустоэлектронике-для создания усилителей, тензодатчиков
и т.д. Высокая чувствительность ТЕЛЛУРИДЫ к различные излучениям (рентгеновскому, радиоактивному,
ИК и т.д.) обусловливает их применение как детекторов для измерения напряженности
магн. полей и т.д. ТЕЛЛУРИДЫ можно использовать для регистрации и хранения оптический информации
в голографии и др. См. также Кадмия теллурий, Мышьяка халькогениды, Олова
халькогениды, Ртути халькогениды, Цинка халькогениды и др. Литература: Чижиков Д.
М., Счастливый В. П., Теллур и теллуриды, М., 1966; Полупроводниковые халькогениды
и сплавы на их основе, М., 1975; Абрикосов Н. X., Шелимова Л. Е., Полупроводниковые
материалы на основе соединений АIVВVI, М., 1975; Янаки
А. А., Теллуриды переходных металлов, М., 1990; Cordfunke E. H. P.,
Cluistra R., Van Milten-burg J. C, "J. Chem. Thermodyn.", 1985,
v. 17, p. 1079-89. В.П. Зломанов. Химическая энциклопедия. Том 4 >> К списку статей |
[каталог] [статьи] [доска объявлений] [обратная связь] |
|
Введение в химию окружающей среды. Книга известных английских ученых раскрывает основные принципы химии окружающей
среды и их действие в локальных и глобальных масштабах. Важный аспект книги
заключается в раскрытии механизма действия природных геохимических процессов в
разных масштабах времени и влияния на них человеческой деятельности.
Показываются химический состав, происхождение и эволюция земной коры, океанов и
атмосферы. Детально рассматриваются процессы выветривания и их влияние на
химический состав осадочных образований, почв и поверхностных вод на континентах.
Для студентов и преподавателей факультетов биологии, географии и химии
университетов и преподавателей средних школ, а также для широкого круга
читателей.
Химия и технология редких и рассеянных элементов. Книга представляет собой учебное пособие по специальным курсам для студентов
химико-технологических вузов. В первой части изложены основы химии и технологии
лития, рубидия, цезия, бериллия, галлия, индия, таллия. Во
второй
части книги изложены основы химии и технологии скандия, натрия, лантана,
лантаноидов, германия, титана, циркония, гафния. В
третьей части книги изложены основы химии и технологии ванадия, ниобия,
тантала, селена, теллура, молибдена, вольфрама, рения. Наибольшее внимание
уделено свойствам соединений элементов, имеющих значение в технологии. В
технологии каждого элемента описаны важнейшие области применения, характеристика
рудного сырья и его обогащение, получение соединений из концентратов и отходов
производства, современные методы разделения и очистки элементов. Пособие
составлено по материалам, опубликованным из советской и зарубежной печати по
1972 год включительно.
|
|