химический каталог




ПОЛУПРОВОДНИКИ

Автор Химическая энциклопедия г.р. Н.С.Зефиров

ПОЛУПРОВОДНИКИ, вещества, характеризующиеся увеличением электрич. проводимости с ростом температуры. Хотя часто ПОЛУПРОВОДНИКИ определяют как вещества с удельная электрич. проводимостью а, промежуточной между ее значениями для металлов (s ! 106 -104 Ом-1 см-1) и для хороших диэлектриков (s ! 10-12 — 10-10 Ом-1 см-1), сама величина электрич. проводимости не играет определяющей роли в полупроводниковых свойствах вещества. На электрич. проводимость П оказывает влияние кроме температуры сильное электрич. поле, давление, воздействие оптический и ионизирующего излучения, наличие примесей и др. факторы, способные изменять структуру вещества и состояние электронов. Это обстоятельство играет решающую роль в многочисленном и разнообразном использовании ПОЛУПРОВОДНИКИ

Полупроводниковые свойства могут наблюдаться как в кристаллич. веществах, так и в неупорядоченных системах - твердых аморфных веществах (стеклах) и жидкостях. При этом решающим является характер химической связи между частицами в ближнем порядке (первая координац. сфера). Существуют ПОЛУПРОВОДНИКИ с любым типом химической связи, кроме чисто металлической и чисто ионной (т.е. ковалентной, ковалентно-металлич., ковалентно-ионной и т.п.), причем ковалентная составляющая связи является обычно преобладающей. Широкое практическое применение получили ПОЛУПРОВОДНИКИ, являющиеся простыми веществами (Ge, Si и др.), а также химический соединения элементов III гр. периодической системы с элементами V гр., например GaAs, GaP, InAs, CdTe и т.п. (бинарные ПОЛУПРОВОДНИКИ). Все такие вещества имеют кристаллич. решетку, подобную решетке алмаза, и называют алмазоподобными ПОЛУПРОВОДНИКИ В Ge и Si в кристаллич. состоянии реализуется классич. двухэлектронная ковалентная связь. образованная перекрыванием sp3-гибридных орбиталей соседних атомов (см. Гибридизация атомных орбиталей). В соответствии с симметрией sp3-гибридных орбиталей расположение атомов в первой координац. сфере отвечает правильному тетраэдру. Такова же первая координац. сфера и у алмазоподобных ПОЛУПРОВОДНИКИ, однако в их структуре каждая ковалентная связь имеет ковалентно-ионный характер из-за заметной разности электроотрицательностей соседних атомов.

Повышение температуры, а также др. внешний воздействия (облучение светом или сильное электрич., поле) могут вызвать разрыв ковалентной связи, ионизацию атомного остова и образование свободный электрона. Этот электрон в условиях непрерывного обмена валентными электронами между атомами кристалла может переходить из ячейки в ячейку и переносить с собой отрицат. заряд, который повсюду является избыточным, т.е. свободный электрон становится электроном проводимости. Недостаток электрона у разорванной ковалентной связи становится блуждающей по кристаллу дыркой, с которой связан единичный положит. заряд.

Электроны проводимости и дырки-два типа свободный носителей заряда в ПОЛУПРОВОДНИКИ В идеальных кристаллах их концентрации равны, так как превращение одного из валентных электронов в электрон проводимости неизбежно вызывает появление дырки. Электропроводность ПОЛУПРОВОДНИКИ ст, обусловленная электронами атомов данного вещества (так называемой собственная проводимость), определяется помимо концентрации носителей п их подвижностью m-отношением скорости направленного движения, вызванного электрич. полем (дрейфовой скоростью) uдр, к напряженности поля Е:


(е-элементарный электрич. заряд).

Подвижность разных носителей в идеальном кристалле определяется процессами рассеяния электронов на тепловых колебаниях решетки, поэтому ц сильно зависит от температуры. При 300 К подвижность носителей в твердых ПОЛУПРОВОДНИКИ варьируется в широких пределах от 105 см2/с до 10-3 см2/с и меньше. В реальных кристаллах при пониж. температурах, как правило, преобладает рассеяние носителей на дефектах кристаллич. структуры.

Примесная проводимость. В реальных кристаллах источниками свободный носителей заряда (носителей тока) может быть дефекты кристаллич. структуры, например междоузельные атомы, вакансии, а также отклонения от стехиометрич. состава. Примеси и дефекты делятся на доноры и акцепторы. Доноры отдают в объем ПОЛУПРОВОДНИКИ избыточные электроны, создавая электронную проводимость (n-типа). Акцепторы захватывают валентные электроны собств. атомов ПОЛУПРОВОДНИКИ, в результате чего образуются дырки и возникает дырочная проводимость (р-типа). Типичными донорами в Ge и Si являются примесные атомы элементов V гр. (Р, As, Sb). В узле кристаллич решетки 4 из 5 валентных электронов такого атома образуют ковалентные связи с соседними атомами Ge или Si, а 5-й электрон оказывается слабо связанным с примесным ионом. Энергия ионизации примеси мала (~0,01 эВ в Ge и 0,04 эВ в Si), поэтому уже при 77 К в ПОЛУПРОВОДНИКИ появляются электроны проводимости в концентрации, определяемой содержанием примеси

Аналогично атомы III гр. (В, Al, Ga, In)-типичные акцепторы в Ge и Si. Дырка, которая остается в месте захваченного примесью валентного электрона Ge или Si, очень слабо связана с примесным ионом и при не очень низких температурах легко превращаются в свободный носитель заряда (носитель тока). Во многие бинарных ПОЛУПРОВОДНИКИ типа AIVBVI источниками дырок являются вакансии атомов AIV, а вакансии BVI источниками электронов проводимости. Электропроводность ПОЛУПРОВОДНИКИ, определяемая электронами примесных атомов, называют примесной проводимостью, а введение определенных примесей для получения ПОЛУПРОВОДНИКИ с различные требуемыми свойствами-легированием ПОЛУПРОВОДНИКИ

Зонная теория объясняет полупроводниковые свойства твердых тел на основе одноэлектронного приближения и распределения электронных энергетич. уровней в виде разрешенных и запрещенных зон (см. Твердое тело). Энергетич. уровни электронов, участвующих в ковалентной связи, образуют верхнюю из заполненных разрешенных зон (валентную зону). Следующая по энергии разрешенная зона, уровни которой не заполнены электронами,-зона проводимости. Энергетич. интервал между "дном" Ес (минимумом энергии) зоны проводимости и "потолком" Еу (максимумом) валентной зоны называют шириной запрещенной зоны DE (см. рис.). Для разных ПОЛУПРОВОДНИКИ ширина запрещенной зоны меняется в широких пределах. Так, при T: 0 К DE = 0,165 эВ в PbSe и 5,6 эВ в алмазе.


Валентная зона (кружки с плюсом дырки) и зона проводимости (кружки с минусом-электроны проводимости): Eс-дно зоны проводимости, EV-потолок валентной зоны, DE- ширина запрещенной зоны, D и A-донорные и акцепторные уровни соответственно.

Тепловое движение переносит часть электронов в зону проводимости; в валентной зоне при этом появляются дырки - квантовые состояния, не занятые электронами. Обычно электроны занимают уровни, расположенные вблизи дна Ес зоны проводимости, а дырки-уровни, расположенные вблизи потолка EV валентной зоны. Расстояния от этих уровней соответственно до Ес и ЕV порядка энергии теплового движения kТ, т. е. гораздо меньше ширины разрешенных зон (k-постоянная Больцмана). Локальные нарушения идеальности кристалла (примесные атомы, вакансии и др. дефекты) могут вызвать образование разрешенных локальных уровней энергии внутри запрещенной зоны.

При температурах вблизи О К все собств. электроны ПОЛУПРОВОДНИКИ находятся в валентной зоне, целиком заполняя ее, а примесные электроны локализованы вблизи примесей или дефектов, так что свободный носители заряда отсутствуют. С повышением температуры тепловое движение "выбрасывает" в зону проводимости преимущественно электроны примесных атомов-доноров, поскольку энергия ионизации донора меньше ширины запрещенной зоны. Концентрация электронов в зоне проводимости при этом во много раз больше концентрации дырок в валентной зоне. В таких условиях электроны называют основными носителями в ПОЛУПРОВОДНИКИ n-типа, аналогично дырки - основными носителями в ПОЛУПРОВОДНИКИ р-типа. После полной ионизации всех доноров доминирующим процессом оказывается выброс из валентной зоны в зону проводимости собств. электронов П При некоторой температуре их концентрация в зоне проводимости становится сравнимой с концентрацией примесных электронов, а потом и во многие раз большей. Это температурная область собств. проводимости ПОЛУПРОВОДНИКИ, когда концентрации электронов п и дырок р практически равны.

Возникновение пары электрон проводимости-дырка называют генерацией носителей заряда. Возможен и обратный процесс-рекомбинация носителей заряда, приводящая к возвращению электрона проводимости в валентную зону и исчезновению дырки. Рекомбинация носителей может сопровождаться выделением избыточной энергии в виде излучения, что лежит в основе полупроводниковых источников света и лазеров

Электроны проводимости и дырки, возникновение которых явилось следствием тепловых флуктуации в условиях тер-модинамич. равновесия, называют равновесными носителями заряда. При наличии внешний воздействия на ПОЛУПРОВОДНИКИ (освещение, облучение быстрыми частицами, наложение сильного электрич. поля) может происходить генерация носителей заряда, приводящая к появлению избыточной (относительно термодинамически равновесной) их концентрации. При появлении в ПОЛУПРОВОДНИКИ неравновесных носителей возрастает число актов рекомбинации и захвата электрона из зоны проводимости на примесный уровень в запрещенной зоне ("захват" носителей). После прекращения внешний воздействия концентрация носителей приближается к равновесному значению.

p-n-Переход в ПОЛУПРОВОДНИКИ В объеме одного и того же ПОЛУПРОВОДНИКИ возможно создание двух областей с разными типами проводимости, например легированием донорной примесью (p-область) и акцепторной примесью (n-область). Т к. в р-области кон центрация дырок выше, чем в n-области, происходит диффузия дырок из р-области (в ней остаются отрицательно заряженные акцепторные ионы) и электронов из л-области (в ней остаются положительно заряженные донорные ионы). На границе областей с р- и n-проводимостью образуется двойной слой пространств, заряда, и возникающая электрич. разность потенциалов препятствует дальнейшей диффузии основные носителей тока. В условиях теплового равновесия полный ток через p-n-переход равен нулю. Внеш. электрич. поле нарушает равновесие, появляется отличный от нуля ток через переход, который с ростом напряжения экспоненциально возрастает. При изменении знака приложенного напряжения ток через переход может изменяться в 105-106 раз, благодаря чему p-n-переход является вентильным устройством, пригодным для выпрямления переменного тока (полупроводниковый диод). На свойствах p-n-перехода основано применение ПОЛУПРОВОДНИКИ в качестве различные рода датчиков - температуры, давления, освещения, ионизирующих излучений (см. Радиометрия).

Классификация. В соответствии с зонной теорией различие между ПОЛУПРОВОДНИКИ и диэлектриками чисто количественное - в ширине запрещенной зоны. Условно считают, что вещества с DE > 2 эВ являются диэлектриками, с DE < 2 эВ - полупроводниками. Столь же условно деление ПОЛУПРОВОДНИКИ на узкозонные (DE < 0,1 эВ) и широкозонные. Важно, что один и тот же по химический составу материал в зависимости от внешний условий (прежде всего температуры и давления) может проявлять разные свойства. Наблюдается определенная зависимость между концентрацией электронов проводимости и устойчивостью кристаллич. структуры ПОЛУПРОВОДНИКИ В частности, алмазоподобная структура устойчива до тех пор, пока в зоне проводимости еще остаются вакантные энергетич. уровни. Если все они оказываются занятыми и имеет место вырождение энергетических уровней, первая координац. сфера, а за ней и весь кристалл претерпевают перестройку с образованием более плотной структуры, характерной для металлов. При этом концентрация электронов проводимости перестает расти с температурой и собств. проводимость ПОЛУПРОВОДНИКИ падает. Классич. примером является олово, устойчивая полиморфная модификация которого (белое олово) при комнатной температуре является металлом, а стабильное при температурах ниже 13°С серое олово (ct-Sn)- узкозонный ПОЛУПРОВОДНИКИ С повышением температуры и соответствующим изменением концентрации свободный электронов характерная для a-Sn алмазоподобная структура переходит в структуру с более плотной упаковкой атомов, свойственной металлам. Аналогичный переход ПОЛУПРОВОДНИКИ-металл наблюдается при высокой температуре у Ge, Si и алмазоподобных бинарных ПОЛУПРОВОДНИКИ, которые при плавлении теряют полупроводниковые свойства.

В рамках зонной теории аморфные (стеклообразные и жидкие) ПОЛУПРОВОДНИКИ можно рассматривать как немолекулярные системы, в которых из-за многообразия положений и взаимных ориентации атомов и атомных групп положения дна (по энергии) зоны проводимости и потолка валентной зоны испытывают флуктуации порядка ширины запрещенной зоны. В силу этого среднестатистич. энергетич. (потенциальный) рельеф краев зон имеет сложную форму, электроны в зоне проводимости и дырки в валентной зоне локализуются в потенц. ямах ("каплях"), разделенных разновысокими потенц. барьерами. Проводимость в таких системах обусловлена спонтанным перебросом носителей тока через барьер или квантовым туннелированием. К таким ПОЛУПРОВОДНИКИ относятся халькогенидные стекла, сохраняющие полупроводниковые свойства в жидком состоянии.

В кристаллических ПОЛУПРОВОДНИКИ, имеющих цепочечную (Se, Те) или слоистую структуру (некоторые модификации As и Sb), зонная структура, а следовательно, ширина запрещенной зоны различны в разных кристаллографич. направлениях, что обусловлено неодинаковым характером химической связи. Выделяют гомодесмические ПОЛУПРОВОДНИКИ с высокосимметричной структурой (Ge, Si, алмазоподобные бинарные и многокомпонентные соединение) и гетеродесмические ПОЛУПРОВОДНИКИ (цепочечной и слоистой структур, например Se, Те, GeAs, GeAs2). Сама величина собств. проводимости ПОЛУПРОВОДНИКИ и ее температурная зависимость в разных кристаллографич. направлениях для этих веществ (или фаз) будут отличаться.

П. и периодическая система элементов. Элементы, проявляющие полупроводниковые свойства в виде простых веществ, расположены компактной группой в периодической системе (в табл. они выделены сплошной ломаной линией). Все они являются p-элементами, в атомах которых постепенно заполняются электронами p-орбитали. Собств. проводимость проявляется у веществ, структура которых допускает образование насыщ. (двухцентровых) ковалентных связей. В простых веществах с валентными s- и p-электронами выполняется так называемой правило октета, согласно которому каждый атом имеет (8 — N) ближайших соседей (N — номер группы). Так, в ПОЛУПРОВОДНИКИ группы IVa координац. число равно 4 (тетраэдр). У полупроводниковых модификаций простых веществ группы Va-P, As, Sb-координац. число равно 3, что способствует формированию слоистых структур. S, Se, Те (гр. VIa) в полупроводниковом состоянии имеют координац. число 2 и образуют линейные, цепочечные структуры, связанные в трехмерную сетку силами Ван-дер-Ваальса. У полупроводниковой модификации I (гр. VIIa) координац. число равно 1 и сохраняется мол. структура с бинарными молекулами I2 в узлах кристаллич. решетки. В периодической системе все элементы, образующие полупроводниковые фазы, кроме В (гр. IIIa), расположены правее так называемой границы Цинтля, которая разделяет элементы с дефицитом валентных электронов (менее 4 электронов на атом) и элементы, у которых достаточное число валентных электронов для образования ковалентных связей в структурах простых веществ в соответствии с правилом октета.


Граница Цинтля

В бинарных соединений между элементами, расположенными левее границы Цинтля, и элементами, стоящими вправо от нее, реализуются полярные ковалентные связи. Обычно более электроотрицат. атом называют "анионообразователем", более электроположительный - "катионообразователем". Эти соединение проявляют полупроводниковые свойства в том случае, если орбитали анионообразователя полностью заселены электронами. Полупроводниковые соединения подчиняются модифицированному правилу октета, согласно которому отношение числа пе валентных электронов, приходящихся на одну формульную единицу, к числу па атомов элемента групп IVa-VIIa равно 8. Состав таких соединение строго подчиняется правилам формальной валентности. Наиб. интерес представляют бинарные алмазоподобные фазы, в состав которых входят элементы групп, равноотстоящих от гр. IVa. Они образуют так называемой изоэлектронные ряды Si, Ge и a-Sn, члены которых представляют бинарные соединение, в которых приходится по 8 валентных электронов на одну формульную единицу: ряд Si: A1P MgS NaCl ряд Ge: GaAs ZnSe CuBr ряд a-Sn: InSb CdTe Agl

Из перечисленных соединений большинство имеет тетраэдрич. структуру (координац. число 4), лишь MgS и NaCl кристаллизуются в структуре с координац. числом 6, характерной для бинарных ионных кристаллов, и являются диэлектриками. Полупроводниковые соединения могут образовываться и при др. сочетаниях элементов, находящихся по разные стороны границы Цинтля (и т.п.).

Существуют фазы, в структуре которых в первой координац. сфере реализуются связи не только между разными атомами, но и между одинаковыми, в силу чего их состав не подчиняется правилам формальной валентности. Если ка-тионообразователем является элемент групп Ia-IIIa и в структуре фазы имеются химической связи между атомами этого элемента, то фаза является металлидом (например, Сu3Р, Cu3As). Если же катионообразователь - элемент групп IVa или Va, наличие связи между его атомами не приводит к появлению металлич. свойств. ПОЛУПРОВОДНИКИ являются и так называемой анионо-избыточные фазы со связями между атомами-анионообра-зователями. Т. обр., ПОЛУПРОВОДНИКИ являются GeAs и GeAs2 (одна связь Ge—Ge и одна связь As—As на одну формульную единицу). Принадлежность бинарной фазы к ПОЛУПРОВОДНИКИ регламентируется формальным правилом Музера-Пирсона (еще одна модификация правила октета): пе/па + Ва = 8, где Ва-число связей между анионообразователями. В структуре, удовлетворяющей этому правилу, координац. сферы каждого компонента формируются с помощью двухэлектрон-ных связей.

Представления, основанные на правиле насыщения первой координац. сферы, оказались плодотворными для прогнозирования полупроводниковых свойств большого числа соединение, не только бинарных, но и многокомпонентных. Путем замещения компонентов бинарного полупроводникового соединения атомами такой же валентности (изовалентное замещение) или др. валентности (гетеровалентное замещение) можно получать непрерывные и ограниченные твердые растворы с полупроводниковыми свойствами. Примером могут служить твердые растворы GaP-GaAs, AlP-GaP и др. Тройные полупроводниковые соединения получают путем замещения двух атомов одного сорта в соединение типа AIIIBV на два атома с той же суммарной валентностью. Например, при замещении двух атомов алюминия в AlР (суммарная валентность 3 + 3 = 6)на атомы Mg и Si (та же суммарная валентность 2 + 4 = 6) получают алмазоподобное тройное полупроводниковое соединение MgSiP2. Подобными фазами являются ZnGeAs2, CdSnP2 и т.п., это так называемой изоэлектрон-ное замещение.

Особую группу веществ, способных проявить полупроводниковые свойства, составляют соединение переходных металлов с элементами, расположенными справа от границы Цинтля. Эти соединение чрезвычайно многообразны по составу и свойствам из-за поливалентности переходных d- и f-металлов. В ряде случаев в реальных структурах возможно координац. насыщение хотя бы одного компонента вследствие образования двух-электронных ковалентных связей. В результате снимается вырождение энергетич. уровней кристалла и вещество становится ПОЛУПРОВОДНИКИ Поскольку все элементы групп IVa--VIa принадлежат к числу достаточно высоко электроотрицательных, выполнение отмеченного выше условия возможно у халькоге-нидов, фосфидов, арсенидов, силицидов, особенно высших, т.е. содержащих достаточное количество анионообразователей в одной формульной единице. Полупроводниковыми свойствами обладают халькогениды состава MX и МХ2, пникислотидьт (фосфиды и арсениды) этого же состава, высшие силициды (если они не являются фазами внедрения). Карбиды состава М2С, МС и некоторые другие, как правило, метал-лоподобны вследствие того, что они являются фазами внедрения, т. е. у них сохраняется кристаллич. каркас металлич. компонента и, следовательно, преобладает металлич. характер химической связи. Германиды, станниды, многие (даже высшие) антимониды также представляют собой металлы, поскольку входящие в их состав анионообразователи недостаточно электроотрицательны.

Характерной особенностью практически всех бинарных соединений переходных металлов с элементами групп IVa-VIa с полупроводниковыми свойствами является наличие вырождения энергетич. уровней при низких температурах. Так, даже такие ярко выраженные ПОЛУПРОВОДНИКИ, как высшие силициды CrSi2, ReSi2, Mn4Si7, обнаруживают положит. коэффициент электрич. проводимости только при высоких температурах. Это связано не столько с наличием легко ионизуемых примесей, сколько с дополнительной возможностью ионизации атомного остова переходного металла, обусловленной его поливалентностью. В ряде случаев этот процесс затягивается вплоть до температуры плавления материала, который так и не становится собственным ПОЛУПРОВОДНИКИ

Органические ПОЛУПРОВОДНИКИ принципиально отличаются от неорганических ПОЛУПРОВОДНИКИ Все твердые неорганические ПОЛУПРОВОДНИКИ образуют координац. соединения, в то время как органические ПОЛУПРОВОДНИКИ-молекулярные кристаллы. Они так же, как и неорганические ПОЛУПРОВОДНИКИ, обладают положит. температурным коэффициент проводимости, но механизм проводимости иной. Для органических ПОЛУПРОВОДНИКИ характерны многоцентровые связи, характеризующиеся делокализацией p-электронов и проявлением коллективного электронного взаимодействия по системе сопряжения. Делокализация электронов сопровождается выигрышем энергии, называют энергией сопряжения; это приводит, в частности, к уменьшению энергетич. щели DЕ между основным и низшим возбужденным состояниями p-электронов по мере увеличения числа сопряженных связей в молекуле. В полимерах с системой сопряжения в основные цепи макромолекулы DЕ м. б. порядка энергии теплового движения kT. Внеш. воздействие (главным образом освещение) вызывает возбуждение в системе p-электронов, которое может мигрировать по кристаллу и при распаде (на дефектах структуры, примесных атомах, а также при взаимодействии друг с другом) дает свободный носители заряда. Проводимость в органических ПОЛУПРОВОДНИКИ обеспечивается главным образом перескоками электронов между состояниями с разной энергией, причем дефицит энергии покрывается за счет энергии тепловых колебаний атомов (прыжковая проводимость). С этим связана характерная температурная зависимость органических ПОЛУПРОВОДНИКИ: при умеренно низких температурах, когда доминируют прыжки между соседними состояниями, между удельная электрич. сопротивлением r и температурой Т наблюдается зависимость ln r ~ T-1. С понижением температуры длина прыжка увеличивается и ln r ~ Тn(п < 1).

Различают четыре вида органических ПОЛУПРОВОДНИКИ: 1) низкомолекулярные соединения с конденсир. ароматические ядрами: нафталин, антрацен, пирен, перилен и т. п. и их производные; 2) соединение, содержащие помимо конденсированных ароматические ядер открытоцепные участки (красители и пигменты типа хлорофилла, b-каротина); 3) полимерные материалы (полиэтилен, биополимеры); 4) молекулярные комплексы с переносом заряда, в которых проводимость осуществляется путем перехода электрона от молекулы-донора к молекуле-акцептору (комплексы ароматические соединение с галогенами). Мн. органические ПОЛУПРОВОДНИКИ являются биологически активными веществами, что, по-видимому, неразрывно связано с особенностями их электрич. проводимости.

Литература: Органические полупроводники, 2 изд., М., 1968; Горюнова Н.А., Химия алмазоиодобных полупроводников, Л., 1963; У гай Я. А., Введение в химию полупроводников, 2 изд., М., 1975. Я. А. Угай, В.З. Анохин.

Химическая энциклопедия. Том 4 >> К списку статей


[каталог]  [статьи]  [доска объявлений]    [обратная связь]

 

 

Реклама
Компания Ренессанс лес 91 лестница - надежно и доступно!
линзы при астигматизме цена москва
http://www.prokatmedia.ru/sound.html
купить скоаородку

Рекомендуемые книги

Введение в химию окружающей среды.

Книга известных английских ученых раскрывает основные принципы химии окружающей среды и их действие в локальных и глобальных масштабах. Важный аспект книги заключается в раскрытии механизма действия природных геохимических процессов в разных масштабах времени и влияния на них человеческой деятельности. Показываются химический состав, происхождение и эволюция земной коры, океанов и атмосферы. Детально рассматриваются процессы выветривания и их влияние на химический состав осадочных образований, почв и поверхностных вод на континентах. Для студентов и преподавателей факультетов биологии, географии и химии университетов и преподавателей средних школ, а также для широкого круга читателей.

Химия и технология редких и рассеянных элементов.

Книга представляет собой учебное пособие по специальным курсам для студентов химико-технологических вузов. В первой части изложены основы химии и технологии лития, рубидия, цезия, бериллия, галлия, индия, таллия. Во второй части книги изложены основы химии и технологии скандия, натрия, лантана, лантаноидов, германия, титана, циркония, гафния. В третьей части книги изложены основы химии и технологии ванадия, ниобия, тантала, селена, теллура, молибдена, вольфрама, рения. Наибольшее внимание уделено свойствам соединений элементов, имеющих значение в технологии. В технологии каждого элемента описаны важнейшие области применения, характеристика рудного сырья и его обогащение, получение соединений из концентратов и отходов производства, современные методы разделения и очистки элементов. Пособие составлено по материалам, опубликованным из советской и зарубежной печати по 1972 год включительно.

 

 



Рейтинг@Mail.ru Rambler's Top100

Copyright © 2001-2012
(23.07.2017)