![]() |
|
|
КРИСТАЛЛИЧЕСКОГО ПOЛЯ ТЕОРИЯКРИСТАЛЛИЧЕСКОГО ПOЛЯ ТЕОРИЯ, квантовохимический теория, в которой низшие по энергии состояния молекулы описываются как состояния одного атома (иона), находящегося в электростатич. поле, созданном остальными частицами. Как правило, КРИСТАЛЛИЧЕСКОГО ПOЛЯ ТЕОРИЯ п. т. применяется к координац. соединение, кристаллам и др. системам, в структуре которых можно выделить центральное атом и окружающие его ионы или молекулы (в случае координац. соединение -лиганды). Лиганды моделируют системой точечных зарядов или диполей, а создаваемое ими электростатич. поле рассматривают по аналогии с внутрикристаллич. полем, которое обусловлено положит. и отрицат. зарядами ионов в кристалле. Поэтому такое приближение называют теорией кристаллич. поля.
В рамках КРИСТАЛЛИЧЕСКОГО ПOЛЯ ТЕОРИЯ п. т. предполагается, что энергия электронного возбуждения лигандов намного больше, чем энергия возбуждения центральное атома, а взаимодействие лигандов и центральное атома не очень сильно. Поэтому низшие по энергии электронные состояния комплекса в целом рассматривают как состояния центральное атома (иона), изменившиеся по сравнению с состояниями свободный атома под действием электростатич. поля лигандов. Эти изменения оценивают методами возмущений теории. КРИСТАЛЛИЧЕСКОГО ПOЛЯ ТЕОРИЯ п. т. позволяет установить относит. положение энергетич. уровней и энергии переходов между ними для молекулы или кристалла при заданном расположении лигандов в пространстве, изучить изменение энергетич. уровней при замещении лигандов или центральное атома, при изменении геометрическая строения комплекса, появлении на поверхности кристалла адсорбир. частиц и др.
Электронное строение атомов или ионов в кристалле и мол. комплексах определяется многие факторами, среди которых КРИСТАЛЛИЧЕСКОГО ПOЛЯ ТЕОРИЯ п. т. выделяет два: энергия взаимодействие лигандов с центральное атомом и энергия межэлектронного отталкивания, характеризующая состояние валентных электронов центральное атома. Характерное для атома в данной степени окисления отталкивание электронов не меняется в разных комплексах, а интенсивность поля лигандов возрастает в экспериментально установленном (так называемой спектрохимический) ряду: I-<Вr-<Сl-<F-<ОН-<Н2О<NH3<NO2-<CN-, что позволяет различить два предельных случая: 1) слабое поле: межэлектронное отталкивание намного больше, чем воздействие поля лигандов. В этом случае за основу берут детально изученные спектроскопич. методами состояния многоэлектронного атома, а влияние лигандов учитывают с
помощью теории возмущений. 2) Сильное поле: воздействие лигандов на центральное атом больше, чем влияние межэлектронного отталкивания. В этом случае сначала изучают состояния отдельных электронов атома в поле лигандов, а затем учитывают поправки на межэлектронное взаимодействие. Оба подхода были бы эквивалентны, если бы уравение Шрёдингера для атома в поле лигандов решалось точно, однако при приближенном решении этого уравения с учетом наиболее важных вкладов в энергию физически правильное описание каждого комплекса дает, как правило, лишь один из подходов.
Для свободного сферически симметричного атома обычно имеет место вырождение энергетических уровней, поэтому для качеств. анализа в рамках КРИСТАЛЛИЧЕСКОГО ПOЛЯ ТЕОРИЯ п. т. достаточно учесть симметрию расположения лигандов (следовательно, симметрию создаваемого ими поля) и методами теории групп описать снятие вырождения под действием поля лигандов. Особенно просто выполнить анализ, рассматривая состояния отдельных электронов в атоме. Например, комплекс [Fe(CN)6]4- имеет октаэдрич. строение, а свободный иону Fe2+ отвечает электронная конфигурация d6. Вырождение пяти d-орбиталей иона снимается частично в октаэдрич. поле (рис. 1), что приводит к образованию двукратно вырожденного уровня еg и трехкратно вырожденного уровня t2g. Расчет методами теории групп показывает, что если за начало отсчета энергии принять энергию d-уровня, то энергии уровней ед и t2g равны соответственно e 0+3/5 D и e 0-2/5 D , где e 0 - изменение энергии d-уровня под действием сферически симметричной части поля лигандов, а D - энергия перехода между уровнями еg и t2g. Поле лигандов CN- достаточно сильное, и в первом приближении взаимодействие электронов можно пренебречь, т.е. считать, что электронная конфигурация иона Fe2+ в комплексе для основного состояния t62g (рис. 2); основное состояние иона в комплексе полносимметрично и отвечает нулевому суммарному спину (состояние 1А1g). Комплекс [Fe(H2O)6] также имеет октаэдрич. структуру, и снятие вырождения d-уровней свободный атома можно описать рис. 1, однако поле лигандов гораздо слабее. В этом случае при заполнении электронами уровней необходимо учитывать, что величина А мала по сравнению с межэлектронным отталкиванием, т. е. использовать правило Хунда (см. Мультиплетность). Основное состояние комплекса отвечает тогда заполнению уровней, которое приводит к максимально возможной мультиплетности системы, равной 5 (рис. 2, а). Рассмотренная ситуация характерна для многие комплексов: в случае сильного поля комплексы обычно являются низкоспиновыми, в случае слабого поля - высокоспиновыми. Использование сведений о состояниях отдельных электронов в атоме не является необходимым в КРИСТАЛЛИЧЕСКОГО ПOЛЯ ТЕОРИЯ п. т., так как эти состояния определены лишь в приближениях типа молекулярных орбиталей методов, а теоретич. методы КРИСТАЛЛИЧЕСКОГО ПOЛЯ ТЕОРИЯ п. т. можно применять непосредственно к состояниям атома как целого. Например, свободный ион Fe2+ имеет основное состояние типа 5D. Под действием слабого поля лигандов суммарный спин не меняется, а снятие пятикратного
вырождения D-уровней атома описывается теми же законами, что и снятие вырождения одноэлектронных d-уровней. В поле октаэдрич. симметрии D-уровни расщепляются на уровни типов Еg и T2g, т.е. низшие состояния иона Fe2+ в слабом октаэдрич. поле лигандов 5Еg и 5T2g. наиболее сложны для анализа случаи среднего поля, когда необходимо одновременно учитывать и межэлектронное взаимодействие, и влияние поля лигандов. В подобных случаях используют результаты модельных расчетов в виде таблиц или диаграмм (например, так называемой диаграмм Танабе-Сугано) или экстраполируют результаты расчетов, сделанных для предельных случаев слабого и сильного поля. Применение КРИСТАЛЛИЧЕСКОГО ПOЛЯ ТЕОРИЯ п. т. ограничено системами, в которых центральное атом слабо влияет на лиганды и не образует с ними прочных связей. В противном случае необходимо учитывать изменения состояний лигандов (см. Поля лигандов теория). Благодаря ясному физических смыслу и простоте оценок, основанных на законах симметрии, КРИСТАЛЛИЧЕСКОГО ПOЛЯ ТЕОРИЯ п. т. применяется для интерпретации оптический и ЭПР-спектров мол. комплексов и кристаллов, при анализе строения координац. соединение, устойчивости ионов в растворах, каталитических активности и др.; особенно широко ее используют применительно к соединениям элементов с незаполненными полностью d- или f-оболочками. КРИСТАЛЛИЧЕСКОГО ПOЛЯ ТЕОРИЯ п. т. развита X. Бете (1929) для изучения спектральных характеристик кристаллов. Лит.. Берсукер КРИСТАЛЛИЧЕСКОГО ПOЛЯ ТЕОРИЯ Б., Электронное строение и свойства координационных соединений, 2 изд., Л., 1976; Свиридов Д. Т.. Смирнов Ю. Ф.. Теория оптических спектров ионов переходных металлов, М., 1917. В, КРИСТАЛЛИЧЕСКОГО ПOЛЯ ТЕОРИЯ Пупышев.
Химическая энциклопедия. Том 2 >> К списку статей |
[каталог] [статьи] [доска объявлений] [обратная связь] |
|
Введение в химию окружающей среды. Книга известных английских ученых раскрывает основные принципы химии окружающей
среды и их действие в локальных и глобальных масштабах. Важный аспект книги
заключается в раскрытии механизма действия природных геохимических процессов в
разных масштабах времени и влияния на них человеческой деятельности.
Показываются химический состав, происхождение и эволюция земной коры, океанов и
атмосферы. Детально рассматриваются процессы выветривания и их влияние на
химический состав осадочных образований, почв и поверхностных вод на континентах.
Для студентов и преподавателей факультетов биологии, географии и химии
университетов и преподавателей средних школ, а также для широкого круга
читателей.
Химия и технология редких и рассеянных элементов. Книга представляет собой учебное пособие по специальным курсам для студентов
химико-технологических вузов. В первой части изложены основы химии и технологии
лития, рубидия, цезия, бериллия, галлия, индия, таллия. Во
второй
части книги изложены основы химии и технологии скандия, натрия, лантана,
лантаноидов, германия, титана, циркония, гафния. В
третьей части книги изложены основы химии и технологии ванадия, ниобия,
тантала, селена, теллура, молибдена, вольфрама, рения. Наибольшее внимание
уделено свойствам соединений элементов, имеющих значение в технологии. В
технологии каждого элемента описаны важнейшие области применения, характеристика
рудного сырья и его обогащение, получение соединений из концентратов и отходов
производства, современные методы разделения и очистки элементов. Пособие
составлено по материалам, опубликованным из советской и зарубежной печати по
1972 год включительно.
|
|