химический каталог




КРЕМНИЯ КАРБИД

Автор Химическая энциклопедия г.р. И.Л.Кнунянц

КРЕМНИЯ КАРБИД (карборунд) SiС, бесцв., при наличии примесей-темно-серые, черные, зеленые кристаллы. Известен в двух модификациях - a и b . a -SiC имеет слоистую структуру с гексагон. (H) решеткой [пространств. группа Р63mc или P3ml, в ромбоэдрич. (R) установке R3m]; образует большое число политипов nН (или mR), где n-число слоев, повторяющихся по оси С в гексагон. ячейке политипа. Для гексагон. установки а=0,3079 нм для всех политипов, кроме 2Я, 4H, 6H, где а соответственно 0,3076, 0,3080, 0308065 нм; с~0,2520.n. b -SiC имеет гранецентрир. кубич. решетку (а=0,435% нм, пространств. группа F43m); метастабилен, выше 2100°С превращаются в a -SiC; выше 1200°С и давлении выше 3 ГПа наблюдается переход a-b . Температура плавления 2830 °С (инконгруэнтно), при плавлении образуется графит и раствор углерода в кремнии; С0p 26,78 ( a -SiC) и 26,86 (Р) Дж/(молъ.К); D H0обр - 71,9 (а) и - 73 ( b ) кДж/моль, D H0пл.65 ( a ) кДж/молъ, D Н0возг 802 ( a ) кДж/молъ; S0299 16,49 ( a ) и 16,61 (В) Дж/(моль.К); теплопроводность монокристаллов a -SiC 490 Вт/(м.К) при 300 К и 110 Вт/(м. К) при 1000 K; температурный коэффициент линейного расширения 5,94.10-6 К-1 ( a ) при 250-2500°С и 3,8.10-6 К-1 (р) при 200°С, 5,5.10-6 К-1 (Р) при 1400-1800 °С; температура Дебая 1200 К ( a ) и 1430 К (Р); r при 300 К 10-10-2 Ом.м (а) и 10-105 Ом.м ( b ); термоэдс для a -SiC - 70 мкВ/К (293 К) и - 110 мкВ/К (1273 К). КРЕМНИЯ КАРБИДк. - полупроводник n-типа; ширина запрещенной зоны a -SiC для политипов 2H и 5H соответственно 3,3 эВ (2-8 К) и 2,86 эВ (300 К), для b -SiC 2,2 эВ (300 К); подвижность носителей тока пои 300 К для a -SiC (6H) 264см2/(В.с) и b -SiC 1000 см2/(В.с); эффективная масса носителей тока при 300 К для a -SiC (6H) 0,25 и b -SiC 0,41. Для a -SiC: модуль упругости 392 ГПа (20 °С) и 357 ГПа (1200°С); модуль сдвига 171 ГПа; модуль всестороннего сжатия 98 ГПа. Твердость по Кнупу при нагрузке 100 г a -SiC [грань (001)] 29,17 ГПа, b -SiC [грань (III)] 28,15 ГПа, поликристаллического 31-34 ГПа. КРЕМНИЯ КАРБИД к. не разлагается минеральных кислотами (кроме конц. HF, HNO3 и Н3РО4) и растворами щелочей, разлагается расплавами карбонатов, сульфатов, гидроксидов щелочных металлов, многие оксидов. Реагирует с СО и Сl выше 1200°С, F2 - выше 500 °С, парами воды - выше 1300°С, N2 - выше 1400 °С. Окисляется О2 выше 1000 °С. КРЕМНИЯ КАРБИД к. получают взаимодействие SiO2 с углем при 1600-2800 °С (по способу Ачесона - с добавкой NaCl), из элементов выше 1150°С, пиролизом газообразных соединений Si, например CH3SiCl3; монокристаллы - кристаллизацией из металлич. расплавов. Компактные изделия из КРЕМНИЯ КАРБИД к. получают спеканием и горячим прессованием при высоких температурах, Применяют КРЕМНИЯ КАРБИД к. как абразивный (для шлифовальных брусков, кругов), огнеупорный (футеровка печей, литейных машин), износостойкий (гидроциклоны, сопла для распыления абразивных пульп), электротехн. (нагреватели) материалы, для изготовления вариаторов, выпрямительных полупроводниковых диодов и фотодиодов.

Химическая энциклопедия. Том 2 >> К списку статей


[каталог]  [статьи]  [доска объявлений]    [обратная связь]

 

 

Реклама
детские кровати от 4 лет для девочек 80*180
сетка рабица секционная цена
табурет промышленный т1 аргумент ру
480355-104

Рекомендуемые книги

Введение в химию окружающей среды.

Книга известных английских ученых раскрывает основные принципы химии окружающей среды и их действие в локальных и глобальных масштабах. Важный аспект книги заключается в раскрытии механизма действия природных геохимических процессов в разных масштабах времени и влияния на них человеческой деятельности. Показываются химический состав, происхождение и эволюция земной коры, океанов и атмосферы. Детально рассматриваются процессы выветривания и их влияние на химический состав осадочных образований, почв и поверхностных вод на континентах. Для студентов и преподавателей факультетов биологии, географии и химии университетов и преподавателей средних школ, а также для широкого круга читателей.

Химия и технология редких и рассеянных элементов.

Книга представляет собой учебное пособие по специальным курсам для студентов химико-технологических вузов. В первой части изложены основы химии и технологии лития, рубидия, цезия, бериллия, галлия, индия, таллия. Во второй части книги изложены основы химии и технологии скандия, натрия, лантана, лантаноидов, германия, титана, циркония, гафния. В третьей части книги изложены основы химии и технологии ванадия, ниобия, тантала, селена, теллура, молибдена, вольфрама, рения. Наибольшее внимание уделено свойствам соединений элементов, имеющих значение в технологии. В технологии каждого элемента описаны важнейшие области применения, характеристика рудного сырья и его обогащение, получение соединений из концентратов и отходов производства, современные методы разделения и очистки элементов. Пособие составлено по материалам, опубликованным из советской и зарубежной печати по 1972 год включительно.

 

 



Рейтинг@Mail.ru Rambler's Top100

Copyright © 2001-2012
(18.01.2017)