![]() |
|
|
ИНДИЯ ФОСФИДИНДИЯ ФОСФИД InP, серые кристаллы с металлич. блеском, решетка кубическая типа сфалерита (а = 0,586875 нм, z = 4, пространств. группа F43m); температура плавления 1070°С; плотность 4,787 г/см3; С°p 46,2 Дж/(моль* К); D H0пл 54,6 кДж/моль, D H0обр — 90,3 кДж/моль; S°298 62,7 Дж/(моль * К); температурный коэффициент линейного расширения 4,75 * 10 -6 К - 1; теплопроводность 67,2 Вт/(м * К). Полупроводник: e 12,1; ширина запрещенной зоны 1,42 эВ (0 К), 1,28 эВ (300 К); эффективная масса электронов проводимости те = 0,07m0, дырок mр = 0,4m0 (m0 - масса свободный электрона); подвижность электронов 5000 см2/(В * с) при 300 К и 23500 см2/(В * с) при 78 К, подвижность дырок 150 см2/(В * с) при 300 К. Устойчив на воздухе до температуры ~ 300°С. Взаимод. со смесями кислот - HNO3 и HF, HNO3 и соляной. Для травления поверхности кристаллов ИНДИЯ ФОСФИД ф. с целью обнаружения дефектов и удаления загрязнений используют растворы Вr2 в метаноле, а также смеси H2SO4 с Н2О2 и Н2О.
Получают ИНДИЯ ФОСФИД ф. в вакуумированных запаянных кварцевых ампулах взаимодействие нагретого до ~850°С расплава In с парами Р, давление которых составляет ~ 500 кПа. Образующийся расплав InP подвергают горизонтальной направленной кристаллизации. Монокристаллы выращивают по методу Чохральского вытягиванием из-под слоя флюса жидкого В2О3 в атмосфере инертного газа (Ar, He, N2) при давлении ~ 5000 кПа. Эпитаксиальные пленки получают: кристаллизацией из раствора InP в расплаве In при 700-750 °С; осаждением из газовой фазы (пары РСl3 пропускают над расплавом In при ~ 800 °С, образовавшиеся при этом пары хлоридов In переносятся в зону осаждения и взаимодействие с парами РСl3 или РН3 при 650-700 °С, давая InP, кристаллизующийся на монокристаллич. подложке); методом молекулярно-лучевой эпитаксии (взаимодействие мол. пучков In и Р на нагретой до 500-600 °С монокристаллич. подложкe в высоковакуумной камере при давлении ~ 10 - 9 Па). Для получения полупроводниковых монокристаллов и пленок n-типа в качестве легирующих примесей используют Те, Se, S, Sn, а p-типа - Zn Cd. Для придания монокристаллам полуизолирующих свойств их легируют Fe. ИНДИЯ ФОСФИД ф. - полупроводниковый материал для инжекц. лазеров, светодиодов, СВЧ генераторов, транзисторов, фотоприемников.
Химическая энциклопедия. Том 2 >> К списку статей |
[каталог] [статьи] [доска объявлений] [обратная связь] |
|
Введение в химию окружающей среды. Книга известных английских ученых раскрывает основные принципы химии окружающей
среды и их действие в локальных и глобальных масштабах. Важный аспект книги
заключается в раскрытии механизма действия природных геохимических процессов в
разных масштабах времени и влияния на них человеческой деятельности.
Показываются химический состав, происхождение и эволюция земной коры, океанов и
атмосферы. Детально рассматриваются процессы выветривания и их влияние на
химический состав осадочных образований, почв и поверхностных вод на континентах.
Для студентов и преподавателей факультетов биологии, географии и химии
университетов и преподавателей средних школ, а также для широкого круга
читателей.
Химия и технология редких и рассеянных элементов. Книга представляет собой учебное пособие по специальным курсам для студентов
химико-технологических вузов. В первой части изложены основы химии и технологии
лития, рубидия, цезия, бериллия, галлия, индия, таллия. Во
второй
части книги изложены основы химии и технологии скандия, натрия, лантана,
лантаноидов, германия, титана, циркония, гафния. В
третьей части книги изложены основы химии и технологии ванадия, ниобия,
тантала, селена, теллура, молибдена, вольфрама, рения. Наибольшее внимание
уделено свойствам соединений элементов, имеющих значение в технологии. В
технологии каждого элемента описаны важнейшие области применения, характеристика
рудного сырья и его обогащение, получение соединений из концентратов и отходов
производства, современные методы разделения и очистки элементов. Пособие
составлено по материалам, опубликованным из советской и зарубежной печати по
1972 год включительно.
|
|