химический каталог




ИНДИЯ ФОСФИД

Автор Химическая энциклопедия г.р. И.Л.Кнунянц

ИНДИЯ ФОСФИД InP, серые кристаллы с металлич. блеском, решетка кубическая типа сфалерита (а = 0,586875 нм, z = 4, пространств. группа F43m); температура плавления 1070°С; плотность 4,787 г/см3; С°p 46,2 Дж/(моль* К); D H0пл 54,6 кДж/моль, D H0обр — 90,3 кДж/моль; S°298 62,7 Дж/(моль * К); температурный коэффициент линейного расширения 4,75 * 10 -6 К - 1; теплопроводность 67,2 Вт/(м * К). Полупроводник: e 12,1; ширина запрещенной зоны 1,42 эВ (0 К), 1,28 эВ (300 К); эффективная масса электронов проводимости те = 0,07m0, дырок mр = 0,4m0 (m0 - масса свободный электрона); подвижность электронов 5000 см2/(В * с) при 300 К и 23500 см2/(В * с) при 78 К, подвижность дырок 150 см2/(В * с) при 300 К. Устойчив на воздухе до температуры ~ 300°С. Взаимод. со смесями кислот - HNO3 и HF, HNO3 и соляной. Для травления поверхности кристаллов ИНДИЯ ФОСФИД ф. с целью обнаружения дефектов и удаления загрязнений используют растворы Вr2 в метаноле, а также смеси H2SO4 с Н2О2 и Н2О. Получают ИНДИЯ ФОСФИД ф. в вакуумированных запаянных кварцевых ампулах взаимодействие нагретого до ~850°С расплава In с парами Р, давление которых составляет ~ 500 кПа. Образующийся расплав InP подвергают горизонтальной направленной кристаллизации. Монокристаллы выращивают по методу Чохральского вытягиванием из-под слоя флюса жидкого В2О3 в атмосфере инертного газа (Ar, He, N2) при давлении ~ 5000 кПа. Эпитаксиальные пленки получают: кристаллизацией из раствора InP в расплаве In при 700-750 °С; осаждением из газовой фазы (пары РСl3 пропускают над расплавом In при ~ 800 °С, образовавшиеся при этом пары хлоридов In переносятся в зону осаждения и взаимодействие с парами РСl3 или РН3 при 650-700 °С, давая InP, кристаллизующийся на монокристаллич. подложке); методом молекулярно-лучевой эпитаксии (взаимодействие мол. пучков In и Р на нагретой до 500-600 °С монокристаллич. подложкe в высоковакуумной камере при давлении ~ 10 - 9 Па). Для получения полупроводниковых монокристаллов и пленок n-типа в качестве легирующих примесей используют Те, Se, S, Sn, а p-типа - Zn Cd. Для придания монокристаллам полуизолирующих свойств их легируют Fe. ИНДИЯ ФОСФИД ф. - полупроводниковый материал для инжекц. лазеров, светодиодов, СВЧ генераторов, транзисторов, фотоприемников.

Химическая энциклопедия. Том 2 >> К списку статей


[каталог]  [статьи]  [доска объявлений]    [обратная связь]

 

 

Реклама
керамическая плитка для ванной польша treviso qrei
кантактные линзы шаринган клана учиха
курсы мастера ногтевого сервиса недорого
стеклянные подставки под телевизор

Рекомендуемые книги

Введение в химию окружающей среды.

Книга известных английских ученых раскрывает основные принципы химии окружающей среды и их действие в локальных и глобальных масштабах. Важный аспект книги заключается в раскрытии механизма действия природных геохимических процессов в разных масштабах времени и влияния на них человеческой деятельности. Показываются химический состав, происхождение и эволюция земной коры, океанов и атмосферы. Детально рассматриваются процессы выветривания и их влияние на химический состав осадочных образований, почв и поверхностных вод на континентах. Для студентов и преподавателей факультетов биологии, географии и химии университетов и преподавателей средних школ, а также для широкого круга читателей.

Химия и технология редких и рассеянных элементов.

Книга представляет собой учебное пособие по специальным курсам для студентов химико-технологических вузов. В первой части изложены основы химии и технологии лития, рубидия, цезия, бериллия, галлия, индия, таллия. Во второй части книги изложены основы химии и технологии скандия, натрия, лантана, лантаноидов, германия, титана, циркония, гафния. В третьей части книги изложены основы химии и технологии ванадия, ниобия, тантала, селена, теллура, молибдена, вольфрама, рения. Наибольшее внимание уделено свойствам соединений элементов, имеющих значение в технологии. В технологии каждого элемента описаны важнейшие области применения, характеристика рудного сырья и его обогащение, получение соединений из концентратов и отходов производства, современные методы разделения и очистки элементов. Пособие составлено по материалам, опубликованным из советской и зарубежной печати по 1972 год включительно.

 

 



Рейтинг@Mail.ru Rambler's Top100

Copyright © 2001-2012
(04.12.2016)