ИНДИЯ ОКСИДЫ. Сесквиоксид In₂О₃ - светло-желтые или зеленовато-желтые кристаллы с кубич. решеткой (а = 1,01194 нм, z = 16, пространств. группа Ia3): плотность 7,18 г/см³. Под давлением выше 6,5 ГПа при 300-400 °С образуется модификация с гексаген. решеткой типа корунда, устойчивая при обычном давлении (а = 0,5487 нм, с = 1,4510 нм, z = 6, пространств. группа R3с); плотность 7,3 г/см³. Температура плавления 1910°С; выше 1200°С начинает возгоняться с диссоциацией на In₂O и O₂; температура кипения - 3300 °С; C°_p 92 Дж/(моль* К); D H⁰_пл 84 кДж/моль, D H⁰_возг 272 кДж/моль, D H⁰_обр — 926 кДж/моль; S⁰₂₉₈ 108 Дж/(моль * К); уравение температурной зависимости давления пара: lgр(в гПа) = 16,478 - 27791/Т. Полупроводник n-типа, ширина запрещенной зоны 0,5 эВ (300 К). Диамагнитен. Электрич. проводимость зависит от давления О₂; при ~ 10 Па наблюдается обратимый переход к металлич. проводимости. In₂О₃ не растворим в воде. При нагревании легко взаимодействие с минеральных кислотами, при 300-500°С - с галогенами. При 700-800°С восстанавливается Н₂ и С до металла. С аммиаком при 600-630 °С образует InN, при спекании с оксидами и карбонатами металлов - индаты, например NaInO₂. Получают In₂О₃ прокаливанием нитрата или гидроксида In, в виде пленок распылением индия в присутствии О₂, термодинамически разложением паров ацетилацетоната In и др. In₂О₃ основа прозрачных электропроводящих пленок (обычно легированных SnO₂) на стекле, слюде, лавсане и др. материалах, используемых для изготовления жидкокристаллич. дисплеев, электродов фотопроводящих элементов, высокотемпературных топливных элементов, резисторов и др., в смеси с AgO материал электрич. контактов в радиотехнике и электронике; компонент шихты спец. стекол, поглощающих тепловые нейтроны; перспективный полупроводниковый материал. Гемиоксид In₂О - черное твердое вещество; температура плавления ~325°С; плотность 6,99 г/см³; для газа D H⁰_обр — 55 кДж/моль. Легко окисляется; с кислотами реагирует с выделением Н₂. М. б. получен (в смеси с In и In₂О₃) термодинамически разложением In₂(С₂О₄)₃. Пары In₂О образуются при нагревании смеси In с In₂О₃, уравение температурной зависимости давления пара: lgp (в гПа) = 10,58 - 13150/T. Соответствующий In₂О₃ гидроксид In(ОН)₃ - бесцветные кристаллы с кубич. решеткой; плотность 4,33 г/см³. Свежеосажденный гидроксид легко взаимодействие с разбавленый минеральными и нек-рыми органическое кислотами. С разбавленый растворами щелочей, а также с аммиаком не реагирует. С конц. растворами щелочей образует индаты. Выше 200 °С разлагается до In₂О₃. Получают действием NH₃ на растворы In(NO₃)₃, подкисленные уксусной кислотой. Используют для получения In₂О₃ и др. соединений In. Лит. см. при ст. Индий. П. ИНДИЯ ОКСИДЫ Федоров.

Химическая энциклопедия. Том 2 >> К списку статей