химический каталог




ИНДИЯ ОКСИДЫ

Автор Химическая энциклопедия г.р. И.Л.Кнунянц

ИНДИЯ ОКСИДЫ. Сесквиоксид In2О3 - светло-желтые или зеленовато-желтые кристаллы с кубич. решеткой (а = 1,01194 нм, z = 16, пространств. группа Ia3): плотность 7,18 г/см3. Под давлением выше 6,5 ГПа при 300-400 °С образуется модификация с гексаген. решеткой типа корунда, устойчивая при обычном давлении (а = 0,5487 нм, с = 1,4510 нм, z = 6, пространств. группа R3с); плотность 7,3 г/см3. Температура плавления 1910°С; выше 1200°С начинает возгоняться с диссоциацией на In2O и O2; температура кипения - 3300 °С; C°p 92 Дж/(моль* К); D H0пл 84 кДж/моль, D H0возг 272 кДж/моль, D H0обр — 926 кДж/моль; S0298 108 Дж/(моль * К); уравение температурной зависимости давления пара: lgр(в гПа) = 16,478 - 27791/Т. Полупроводник n-типа, ширина запрещенной зоны 0,5 эВ (300 К). Диамагнитен. Электрич. проводимость зависит от давления О2; при ~ 10 Па наблюдается обратимый переход к металлич. проводимости. In2О3 не растворим в воде. При нагревании легко взаимодействие с минеральных кислотами, при 300-500°С - с галогенами. При 700-800°С восстанавливается Н2 и С до металла. С аммиаком при 600-630 °С образует InN, при спекании с оксидами и карбонатами металлов - индаты, например NaInO2. Получают In2О3 прокаливанием нитрата или гидроксида In, в виде пленок распылением индия в присутствии О2, термодинамически разложением паров ацетилацетоната In и др. In2О3 основа прозрачных электропроводящих пленок (обычно легированных SnO2) на стекле, слюде, лавсане и др. материалах, используемых для изготовления жидкокристаллич. дисплеев, электродов фотопроводящих элементов, высокотемпературных топливных элементов, резисторов и др., в смеси с AgO материал электрич. контактов в радиотехнике и электронике; компонент шихты спец. стекол, поглощающих тепловые нейтроны; перспективный полупроводниковый материал. Гемиоксид In2О - черное твердое вещество; температура плавления ~325°С; плотность 6,99 г/см3; для газа D H0обр — 55 кДж/моль. Легко окисляется; с кислотами реагирует с выделением Н2. М. б. получен (в смеси с In и In2О3) термодинамически разложением In22О4)3. Пары In2О образуются при нагревании смеси In с In2О3, уравение температурной зависимости давления пара: lgp (в гПа) = 10,58 - 13150/T. Соответствующий In2О3 гидроксид In(ОН)3 - бесцветные кристаллы с кубич. решеткой; плотность 4,33 г/см3. Свежеосажденный гидроксид легко взаимодействие с разбавленый минеральными и нек-рыми органическое кислотами. С разбавленый растворами щелочей, а также с аммиаком не реагирует. С конц. растворами щелочей образует индаты. Выше 200 °С разлагается до In2О3. Получают действием NH3 на растворы In(NO3)3, подкисленные уксусной кислотой. Используют для получения In2О3 и др. соединений In. Лит. см. при ст. Индий. П. ИНДИЯ ОКСИДЫ Федоров.

Химическая энциклопедия. Том 2 >> К списку статей


[каталог]  [статьи]  [доска объявлений]    [обратная связь]

 

 

Реклама
airned-m6p инструкция
купить хороший игровой компьютер в москве
http://taxiru.ru/shashki-dlya-taxi-all/
ремонт систем vrv

Рекомендуемые книги

Введение в химию окружающей среды.

Книга известных английских ученых раскрывает основные принципы химии окружающей среды и их действие в локальных и глобальных масштабах. Важный аспект книги заключается в раскрытии механизма действия природных геохимических процессов в разных масштабах времени и влияния на них человеческой деятельности. Показываются химический состав, происхождение и эволюция земной коры, океанов и атмосферы. Детально рассматриваются процессы выветривания и их влияние на химический состав осадочных образований, почв и поверхностных вод на континентах. Для студентов и преподавателей факультетов биологии, географии и химии университетов и преподавателей средних школ, а также для широкого круга читателей.

Химия и технология редких и рассеянных элементов.

Книга представляет собой учебное пособие по специальным курсам для студентов химико-технологических вузов. В первой части изложены основы химии и технологии лития, рубидия, цезия, бериллия, галлия, индия, таллия. Во второй части книги изложены основы химии и технологии скандия, натрия, лантана, лантаноидов, германия, титана, циркония, гафния. В третьей части книги изложены основы химии и технологии ванадия, ниобия, тантала, селена, теллура, молибдена, вольфрама, рения. Наибольшее внимание уделено свойствам соединений элементов, имеющих значение в технологии. В технологии каждого элемента описаны важнейшие области применения, характеристика рудного сырья и его обогащение, получение соединений из концентратов и отходов производства, современные методы разделения и очистки элементов. Пособие составлено по материалам, опубликованным из советской и зарубежной печати по 1972 год включительно.

 

 



Рейтинг@Mail.ru Rambler's Top100

Copyright © 2001-2012
(23.08.2017)