![]() |
|
|
ИНДИЯ ОКСИДЫИНДИЯ ОКСИДЫ. Сесквиоксид In2О3 - светло-желтые или зеленовато-желтые кристаллы с кубич. решеткой (а = 1,01194 нм, z = 16, пространств. группа Ia3): плотность 7,18 г/см3. Под давлением выше 6,5 ГПа при 300-400 °С образуется модификация с гексаген. решеткой типа корунда, устойчивая при обычном давлении (а = 0,5487 нм, с = 1,4510 нм, z = 6, пространств. группа R3с); плотность 7,3 г/см3. Температура плавления 1910°С; выше 1200°С начинает возгоняться с диссоциацией на In2O и O2; температура кипения - 3300 °С; C°p 92 Дж/(моль* К); D H0пл 84 кДж/моль, D H0возг 272 кДж/моль, D H0обр — 926 кДж/моль; S0298 108 Дж/(моль * К); уравение температурной зависимости давления пара: lgр(в гПа) = 16,478 - 27791/Т. Полупроводник n-типа, ширина запрещенной зоны 0,5 эВ (300 К). Диамагнитен. Электрич. проводимость зависит от давления О2; при ~ 10 Па наблюдается обратимый переход к металлич. проводимости. In2О3 не растворим в воде. При нагревании легко взаимодействие с минеральных кислотами, при 300-500°С - с галогенами. При 700-800°С восстанавливается Н2 и С до металла. С аммиаком при 600-630 °С образует InN, при спекании с оксидами и карбонатами металлов - индаты, например NaInO2. Получают In2О3 прокаливанием нитрата или гидроксида In, в виде пленок распылением индия в присутствии О2, термодинамически разложением паров ацетилацетоната In и др. In2О3 основа прозрачных электропроводящих пленок (обычно легированных SnO2) на стекле, слюде, лавсане и др. материалах, используемых для изготовления жидкокристаллич. дисплеев, электродов фотопроводящих элементов, высокотемпературных топливных элементов, резисторов и др., в смеси с AgO материал электрич. контактов в радиотехнике и электронике; компонент шихты спец. стекол, поглощающих тепловые нейтроны; перспективный полупроводниковый материал. Гемиоксид In2О - черное твердое вещество; температура плавления ~325°С; плотность 6,99 г/см3; для газа D H0обр — 55 кДж/моль. Легко окисляется; с кислотами реагирует с выделением Н2. М. б. получен (в смеси с In и In2О3) термодинамически разложением In2(С2О4)3. Пары In2О образуются при нагревании смеси In с In2О3, уравение температурной зависимости давления пара: lgp (в гПа) = 10,58 - 13150/T. Соответствующий In2О3 гидроксид In(ОН)3 - бесцветные кристаллы с кубич. решеткой; плотность 4,33 г/см3. Свежеосажденный гидроксид легко взаимодействие с разбавленый минеральными и нек-рыми органическое кислотами. С разбавленый растворами щелочей, а также с аммиаком не реагирует. С конц. растворами щелочей образует индаты. Выше 200 °С разлагается до In2О3. Получают действием NH3 на растворы In(NO3)3, подкисленные уксусной кислотой. Используют для получения In2О3 и др. соединений In. Лит. см. при ст. Индий. П. ИНДИЯ ОКСИДЫ Федоров.
Химическая энциклопедия. Том 2 >> К списку статей |
[каталог] [статьи] [доска объявлений] [обратная связь] |
|
Введение в химию окружающей среды. Книга известных английских ученых раскрывает основные принципы химии окружающей
среды и их действие в локальных и глобальных масштабах. Важный аспект книги
заключается в раскрытии механизма действия природных геохимических процессов в
разных масштабах времени и влияния на них человеческой деятельности.
Показываются химический состав, происхождение и эволюция земной коры, океанов и
атмосферы. Детально рассматриваются процессы выветривания и их влияние на
химический состав осадочных образований, почв и поверхностных вод на континентах.
Для студентов и преподавателей факультетов биологии, географии и химии
университетов и преподавателей средних школ, а также для широкого круга
читателей.
Химия и технология редких и рассеянных элементов. Книга представляет собой учебное пособие по специальным курсам для студентов
химико-технологических вузов. В первой части изложены основы химии и технологии
лития, рубидия, цезия, бериллия, галлия, индия, таллия. Во
второй
части книги изложены основы химии и технологии скандия, натрия, лантана,
лантаноидов, германия, титана, циркония, гафния. В
третьей части книги изложены основы химии и технологии ванадия, ниобия,
тантала, селена, теллура, молибдена, вольфрама, рения. Наибольшее внимание
уделено свойствам соединений элементов, имеющих значение в технологии. В
технологии каждого элемента описаны важнейшие области применения, характеристика
рудного сырья и его обогащение, получение соединений из концентратов и отходов
производства, современные методы разделения и очистки элементов. Пособие
составлено по материалам, опубликованным из советской и зарубежной печати по
1972 год включительно.
|
|