химический каталог




ИНДИЯ АРСЕНИД

Автор Химическая энциклопедия г.р. И.Л.Кнунянц

ИНДИЯ АРСЕНИД InAs, серые кристаллы с металлич. блеском, решетка кубическая типа сфалерита (а = 0,605886 нм, z = 4, пространств. группа F43m); температура плавления 943 °С; плотность 5,666 г/см3, жидкого 5,850 г/см3 (970 °С); С0p 49,32 Дж/(моль* К); D H0пл 77,2 кДж/моль, D H0обр -57,9 кДж/молъ. S0298 76 Дж/(моль * К); температурный коэффициент линейного расширения 5,19 * 10 - 6 К - 1; теплопроводность 122 Вт/(м * К). Полупроводник: e 11,7; ширина запрещенной зоны 0,43 эВ (0 К), 0,46 эВ (300 К); эффективная масса электронов проводимости те = 0,22m0, дырок mр = 0,33m0 (m0 - масса свободный электрона); подвижность электронов 3,4 * 104 см2/(В * с) при 300 К и 8,2 * 104 см2/(В * с) при 77 К, подвижность дырок 460 см2/(В * с) при 300 К и 690 см2/(В * с) при 77 К. ИНДИЯ АРСЕНИД а. устойчив на воздухе и в парах воды до ~ 300 °С. Взаимод. с конц. соляной и серной кислотами, водными растворами сильных окислителей (например, Н2О2), смесями азотной, фтористоводородной и уксусной кислот, а также азотной и соляной кислот с Н2О2. Эти смеси используют для травления поверхности кристаллов ИНДИЯ АРСЕНИД а. с целью обнаружения дефектов и удаления загрязнений. Получают ИНДИЯ АРСЕНИД а. в кварцевых ампулах взаимодействие расплава In с парами As, давление которых составляет 32,7 кПа при 800-900 °С. Монокристаллы выращивают по методу Чохральского вытягиванием из-под слоя флюса жидкого В2О3 в атмосфере инертного газа (Аr, Не, N2) при давлении 40-50 кПа (основные способ), направленной кристаллизацией из расплава при давлении паров As 32,7 кПа. Эпитаксиальные пленки получают: осаждением из раствора InAs в расплаве In при 650-700 °С; осаждением из газовой фазы: пары AsCl3 или НCl пропускают над расплавом In, образовавшиеся при этом хлориды In переносятся в зону реакции и взаимодействие с парами AsCl3 или AsH3 при 700 °С, давая InAs; методом молекулярно-лучевой эпитаксии (реакцией мол. пучков In и As в вакууме 10 Па с последующей осаждением на нагретую до 400-500 °С подложку). Для получения монокристаллов и пленок со свойствами полупроводников n- или р-типа используют добавки соответственно Те, Se, Sn или Zn, Cd, Mn. ИНДИЯ АРСЕНИД а. - полупроводникoвый материал для фотоприемников ИК излучения, датчиков эффекта Холла. Лит. см. при ст. Индия антимонид. М. Г. Мильвидский.

Химическая энциклопедия. Том 2 >> К списку статей


[каталог]  [статьи]  [доска объявлений]    [обратная связь]

 

 

Реклама
Сковороды гриль Pensofal
Компьютерная фирма КНС Нева предлагает linkworld - в розницу по опту в КНС СПБ !
кровать аскона грейс с подъемным механизмом 3 категории
хранение вещей свао

Рекомендуемые книги

Введение в химию окружающей среды.

Книга известных английских ученых раскрывает основные принципы химии окружающей среды и их действие в локальных и глобальных масштабах. Важный аспект книги заключается в раскрытии механизма действия природных геохимических процессов в разных масштабах времени и влияния на них человеческой деятельности. Показываются химический состав, происхождение и эволюция земной коры, океанов и атмосферы. Детально рассматриваются процессы выветривания и их влияние на химический состав осадочных образований, почв и поверхностных вод на континентах. Для студентов и преподавателей факультетов биологии, географии и химии университетов и преподавателей средних школ, а также для широкого круга читателей.

Химия и технология редких и рассеянных элементов.

Книга представляет собой учебное пособие по специальным курсам для студентов химико-технологических вузов. В первой части изложены основы химии и технологии лития, рубидия, цезия, бериллия, галлия, индия, таллия. Во второй части книги изложены основы химии и технологии скандия, натрия, лантана, лантаноидов, германия, титана, циркония, гафния. В третьей части книги изложены основы химии и технологии ванадия, ниобия, тантала, селена, теллура, молибдена, вольфрама, рения. Наибольшее внимание уделено свойствам соединений элементов, имеющих значение в технологии. В технологии каждого элемента описаны важнейшие области применения, характеристика рудного сырья и его обогащение, получение соединений из концентратов и отходов производства, современные методы разделения и очистки элементов. Пособие составлено по материалам, опубликованным из советской и зарубежной печати по 1972 год включительно.

 

 



Рейтинг@Mail.ru Rambler's Top100

Copyright © 2001-2012
(23.05.2017)