ИНДИЯ АНТИМОНИД InSb, серые кристаллы с металлич. блеском, решетка кубическая типа сфалерита (а = 0,647877 нм, z = 4, пространств. группа F43m): температура плавления 525,2 °С; плотность 5,775 г/см³, жидкого - 6,430 г/см³ (550 °С); С⁰_p 49,56 Дж/(моль* К); D H⁰_пл 65,35 кДж/моль, D H⁰_обр - 30,66 кДж/моль; S⁰₂₉₈ 87,44 Дж/(моль * К); температурный коэффициент линейного расширения 4,7 * 10 ^{- 6} К ^{- 1}; теплопроводность 30-40 Вт/(м * К) при 200 К. Полупроводник: e 17,7 (- 196°C); ширина запрещенной зоны 0,2355 эВ (0 К), 0,180 эВ (298 К); эффективная масса электронов проводимости т_е = 0,013m₀, дырок т_р = 0,42m₀ (m₀ - масса свободный электрона); при 77 К подвижность электронов 1,1 * 10⁶ см²/(В * с), дырок 9,1 * 10³ см²/(В * с). ИНДИЯ АНТИМОНИД а. устойчив на воздухе и в парах воды при температурах до ~ 300 °С. Взаимод. с конц. HNO₃ и смесями HNO₃ и фтористоводородной кислоты, HNO₃ и соляной кислоты, HNO₃, винной и молочной кислот, Н₂О₂ и винной кислоты, Н₂О₂ и фтористоводородной кислоты. Для травления поверхности кристаллов с целью обнаружения дефектов и удаления загрязнений наиболее часто используют смесь состава 5HNO₃ : 3СН₃СООН : 3HF. Получают ИНДИЯ АНТИМОНИД а. сплавлением In со Sb в кварцевом контейнере в вакууме (~0,1 Па) при 800-850 °С. Очищают зонной плавкой в атмосфере Н₂. Монокристаллы выращивают по методу Чохральского в атмосфере инертного газа (Ar, He, N₂) или Н₂ либо в вакууме (~ 50 кПа). Эпитаксиальные пленки получают: осаждением из раствора InSb в расплаве In при 350-450 °С; методом молекулярно-лучевой эпитаксии (реакцией мол. пучков In и Sb в вакууме 10 ^{- 9} Па с последующей осаждением на нагретую до 400-500°С подложку); методом вакуумного напыления (пары InSb в вакууме ~ 10 ^{- 4} Па конденсируются на нагретой до 350-400 °С подложке из InSb). ИНДИЯ АНТИМОНИД а. - полупроводниковый материал для фотоприемников ИК излучения, датчиков эффекта Холла, усилителей электрич. мощности.

Химическая энциклопедия. Том 2 >> К списку статей