![]() |
|
|
ИНДИЯ АНТИМОНИДИНДИЯ АНТИМОНИД InSb, серые кристаллы с металлич. блеском, решетка кубическая типа сфалерита (а = 0,647877 нм, z = 4, пространств. группа F43m): температура плавления 525,2 °С; плотность 5,775 г/см3, жидкого - 6,430 г/см3 (550 °С); С0p 49,56 Дж/(моль* К); D H0пл 65,35 кДж/моль, D H0обр - 30,66 кДж/моль; S0298 87,44 Дж/(моль * К); температурный коэффициент линейного расширения 4,7 * 10 - 6 К - 1; теплопроводность 30-40 Вт/(м * К) при 200 К. Полупроводник: e 17,7 (- 196°C); ширина запрещенной зоны 0,2355 эВ (0 К), 0,180 эВ (298 К); эффективная масса электронов проводимости те = 0,013m0, дырок тр = 0,42m0 (m0 - масса свободный электрона); при 77 К подвижность электронов 1,1 * 106 см2/(В * с), дырок 9,1 * 103 см2/(В * с).
ИНДИЯ АНТИМОНИД а. устойчив на воздухе и в парах воды при температурах до ~ 300 °С. Взаимод. с конц. HNO3 и смесями HNO3 и фтористоводородной кислоты, HNO3 и соляной кислоты, HNO3, винной и молочной кислот, Н2О2 и винной кислоты, Н2О2 и фтористоводородной кислоты. Для травления поверхности кристаллов с целью обнаружения дефектов и удаления загрязнений наиболее часто используют смесь состава 5HNO3 : 3СН3СООН : 3HF.
Получают ИНДИЯ АНТИМОНИД а. сплавлением In со Sb в кварцевом контейнере в вакууме (~0,1 Па) при 800-850 °С. Очищают зонной плавкой в атмосфере Н2. Монокристаллы выращивают по методу Чохральского в атмосфере инертного газа (Ar, He, N2) или Н2 либо в вакууме (~ 50 кПа). Эпитаксиальные пленки получают: осаждением из раствора InSb в расплаве In при 350-450 °С; методом молекулярно-лучевой эпитаксии (реакцией мол. пучков In и Sb в вакууме 10 - 9 Па с последующей осаждением на нагретую до 400-500°С подложку); методом вакуумного напыления (пары InSb в вакууме ~ 10 - 4 Па конденсируются на нагретой до 350-400 °С подложке из InSb). ИНДИЯ АНТИМОНИД а. - полупроводниковый материал для фотоприемников ИК излучения, датчиков эффекта Холла, усилителей электрич. мощности.
Химическая энциклопедия. Том 2 >> К списку статей |
[каталог] [статьи] [доска объявлений] [обратная связь] |
|
Введение в химию окружающей среды. Книга известных английских ученых раскрывает основные принципы химии окружающей
среды и их действие в локальных и глобальных масштабах. Важный аспект книги
заключается в раскрытии механизма действия природных геохимических процессов в
разных масштабах времени и влияния на них человеческой деятельности.
Показываются химический состав, происхождение и эволюция земной коры, океанов и
атмосферы. Детально рассматриваются процессы выветривания и их влияние на
химический состав осадочных образований, почв и поверхностных вод на континентах.
Для студентов и преподавателей факультетов биологии, географии и химии
университетов и преподавателей средних школ, а также для широкого круга
читателей.
Химия и технология редких и рассеянных элементов. Книга представляет собой учебное пособие по специальным курсам для студентов
химико-технологических вузов. В первой части изложены основы химии и технологии
лития, рубидия, цезия, бериллия, галлия, индия, таллия. Во
второй
части книги изложены основы химии и технологии скандия, натрия, лантана,
лантаноидов, германия, титана, циркония, гафния. В
третьей части книги изложены основы химии и технологии ванадия, ниобия,
тантала, селена, теллура, молибдена, вольфрама, рения. Наибольшее внимание
уделено свойствам соединений элементов, имеющих значение в технологии. В
технологии каждого элемента описаны важнейшие области применения, характеристика
рудного сырья и его обогащение, получение соединений из концентратов и отходов
производства, современные методы разделения и очистки элементов. Пособие
составлено по материалам, опубликованным из советской и зарубежной печати по
1972 год включительно.
|
|