![]() |
|
|
ЗЕЕМАНА ЭФФЕКТЗЕЕМАНА ЭФФЕКТ, расщепление уровней энергии квантовой системы в магн. поле (снятие вырождения). Проявляется как расщепление спектральных линий атомов, молекул, кристаллов при квантовых переходах между возникшими подуровнями. Величина расщепления (расстояние между подуровнями) зависит от напряженности Н внешний магн. поля. Как правило, в области, занимаемой атомом или молекулой, Н меняется настолько мало, что магн. поле может считаться однородным. Энергия Е0 квантовой системы в однородном магн. поле меняется на величину: W = - m H - 1/2H c H - ..., где m - магнитный момент системы, c - тензop магн. восприимчивости, определяющий наведенный (индуцируемый) магн. момент m инд = 1/2 c Н. В выражении для поправки W к энергии Е0 записаны только первый и второй члены разложения по Н; соответственно говорят о 3. э. первого и второго порядков. Зеемановские подуровни (компоненты зеемановского мультиплета) с энергиями (Е0 + Wi) соответствуют различные проекциям магн. моментов m и m инд на направление поля H (проекции нумеруются индексом i). При малых напряженностях однородного магн. поля, например Нz, направленного вдоль оси z, для расчета 3. э. достаточно ограничиться первым порядком возмущений теории. Для атома в состоянии с отличным от нуля полным моментом кол-ва движения J = L + S (L - орбитальный, S -спиновый моменты кол-ва движения) энергия различные зеемановских подуровней определяется проекциями электронного магн. момента и рассчитывается по формуле: WJz = m БgJzJzHz (1)
где m Б - магнетон Бора, Jz - проекция полного момента на направление поля (Jz = -J, -J + 1,..., J), gJz - электронный g-фактор Ланде, равный:
WLz,Sz = m Б(Lz + 2Sz)Hz (2)
Здесь Lz= -L, -L+1,...,L; Sz = -S, -S+1,...,S. В этом случае обычно говорят об эффекте Пашена-Бака.
Величина расщепления, обусловленного электронным магн. моментом, составляет при Hz ~ 1 Тл величину ~0,5gJ cм - 1, т. е. 0,5-1 см - 1. Частоты переходов между зеемановскими подуровнями лежат в микроволновом диапазоне (1 см - 1 ~ 30000 МГц). Так, электронный переход 1S : 1Р у Mg в отсутствие магн. поля проявляется как линия с частотой 35061,6 см - 1, а в магн. поле напряженности Нz ~ 2 Тл - как три линии с расстоянием между соседними линиями ~1 см - 1.
У молекул возможны различные проявления 3. э. в зависимости от того, какие составляющие ее магн. момента играют при этом определяющую роль. Так, для многоатомных молекул, не обладающих сферич. или осевой симметрией, в конденсир. фазе среднее значение орбитального момента кол-ва движения электронов близко к нулю, вращение молекулы как целого также отсутствует. Для таких молекул магн. момент определяется суммарным спином S электронов: если S № 0, то имеются неспаренные электроны (частицы парамагнитны). Расщепление на зеемановские подуровни определяется величиной WS(1) ~ ge m БmSHz, где mS = -S, -S + 1,..., S - проекция спина на направление поля. Если в молекуле имеются ядра со спинами I a , происходит дополнительной расщепление уровней WS(1) обусловленное ядерными магн. моментами и определяемое оператором вида
— Химическая энциклопедия. Том 2 >> К списку статей |
[каталог] [статьи] [доска объявлений] [обратная связь] |
|
Введение в химию окружающей среды. Книга известных английских ученых раскрывает основные принципы химии окружающей
среды и их действие в локальных и глобальных масштабах. Важный аспект книги
заключается в раскрытии механизма действия природных геохимических процессов в
разных масштабах времени и влияния на них человеческой деятельности.
Показываются химический состав, происхождение и эволюция земной коры, океанов и
атмосферы. Детально рассматриваются процессы выветривания и их влияние на
химический состав осадочных образований, почв и поверхностных вод на континентах.
Для студентов и преподавателей факультетов биологии, географии и химии
университетов и преподавателей средних школ, а также для широкого круга
читателей.
Химия и технология редких и рассеянных элементов. Книга представляет собой учебное пособие по специальным курсам для студентов
химико-технологических вузов. В первой части изложены основы химии и технологии
лития, рубидия, цезия, бериллия, галлия, индия, таллия. Во
второй
части книги изложены основы химии и технологии скандия, натрия, лантана,
лантаноидов, германия, титана, циркония, гафния. В
третьей части книги изложены основы химии и технологии ванадия, ниобия,
тантала, селена, теллура, молибдена, вольфрама, рения. Наибольшее внимание
уделено свойствам соединений элементов, имеющих значение в технологии. В
технологии каждого элемента описаны важнейшие области применения, характеристика
рудного сырья и его обогащение, получение соединений из концентратов и отходов
производства, современные методы разделения и очистки элементов. Пособие
составлено по материалам, опубликованным из советской и зарубежной печати по
1972 год включительно.
|
|