|
|
|
|
|
ГАЛЛИЯ ФОСФИДГАЛЛИЯ ФОСФИД GaP, оранжевые или зеленовато-желтые
кристаллы с алмазным блеском; решетка кубическая типа сфалерита (а =
0,54495 нм); температура плавления 1790°С- плотность 4,1297 г/см3, жидкого 4,6
г/см3 (1790 °С); Сpo 44,0 Дж/(моль*К); Г. ф. устойчив к действию кислорода воздуха до ~ 700 °С, не взаимодействие с водой, практически не реагирует с H2SO4 и соляной кислотой, медленно взаимодействие при нагревании с азотной и фтористоводородной кислотами, царской водкой, разлагается растворами щелочей при нагревании с выделением РН3. В виде плотного слитка GaP получают сплавлением Ga с Р под давлением паров Р, в виде пористого слитка - действием РН3 на расплав Ga. Монокристаллы выращивают методами зонной плавки или вытягиванием по Чохральскому из-под флюса В2О3 под давлением Аг, небольшие монокристаллы-из растворов GaP в расплаве Ga. Порошкообразный GaP получают восстановлением GaPO4 водородом или СО при 800-1000 °С. Эпитаксиальные пленки GaP наносят аналогично пленкам галлия арсенида. Для легирования монокристаллов и пленок GaP используют добавки Те, Se, S, Sn, Zn, Cd, Ge. GaP-полупроводниковый материал для светодиодов, солнечных батарей, датчиков Холла, оптических фильтров и др. Химическая энциклопедия. Том 1 >> К списку статей |
| [каталог] [статьи] [доска объявлений] [обратная связь] |
|
|
Введение в химию окружающей среды. Книга известных английских ученых раскрывает основные принципы химии окружающей
среды и их действие в локальных и глобальных масштабах. Важный аспект книги
заключается в раскрытии механизма действия природных геохимических процессов в
разных масштабах времени и влияния на них человеческой деятельности.
Показываются химический состав, происхождение и эволюция земной коры, океанов и
атмосферы. Детально рассматриваются процессы выветривания и их влияние на
химический состав осадочных образований, почв и поверхностных вод на континентах.
Для студентов и преподавателей факультетов биологии, географии и химии
университетов и преподавателей средних школ, а также для широкого круга
читателей.
Химия и технология редких и рассеянных элементов. Книга представляет собой учебное пособие по специальным курсам для студентов
химико-технологических вузов. В первой части изложены основы химии и технологии
лития, рубидия, цезия, бериллия, галлия, индия, таллия. Во
второй
части книги изложены основы химии и технологии скандия, натрия, лантана,
лантаноидов, германия, титана, циркония, гафния. В
третьей части книги изложены основы химии и технологии ванадия, ниобия,
тантала, селена, теллура, молибдена, вольфрама, рения. Наибольшее внимание
уделено свойствам соединений элементов, имеющих значение в технологии. В
технологии каждого элемента описаны важнейшие области применения, характеристика
рудного сырья и его обогащение, получение соединений из концентратов и отходов
производства, современные методы разделения и очистки элементов. Пособие
составлено по материалам, опубликованным из советской и зарубежной печати по
1972 год включительно.
|
|
-102,6 кДж/моль,
122,4 кДж/моль; So298 51,9 Дж/(мол*К); температурный
коэффициент линейного расширения 5,78*10-6 К-1; теплопроводность
110 Вт/(м*К) при 27 °С;
10,2. Полупроводник; при 27 °С ширина запрещенной зоны 2,25 эВ; подвижность
электронов 300 см2/(В*с), дырок 150 см2/(В*с).