|
|
|
|
|
ГАЛЛИЯ АРСЕНИДГАЛЛИЯ АРСЕНИД GaAs, темно-серые с фиолетовым
оттенком и металлич. блеском кристаллы, решетка кубическая типа сфалерита
(а = 0,565321 нм); температура плавления 1238°С; плота. 5,317 г/м3 (20 °С),
жидкого 6,00 г/см3 (1238 °С); С° 46,9 Дж/(моль*К); Устойчив к кислороду воздуха и парам воды до ~600°С, медленно реагирует с H2SO4 и соляной кислотой с выделением AsH3, под действием HNO3 пассивируется, растворами щелочей разлагается. Получают GaAs сплавлением Ga с As под давлением паров As (ок. 100 кПа). Монокристаллы выращивают методами зонной плавки, направленной кристаллизации под давлением паров As или вытягиванием по Чохральскому из-под слоя флюса В2О3 под давлением Аг (150 кПа). Эпитаксиальные пленки, а также мелкокристаллич. GaAs получают путем химический транспортных реакций с Н2 в качестве газа-носителя, например: 4GaAs + 4НCl при этом GaAs получают в горячей зоне (900 °С) по реакции: 2Ga + 2AsCl3 + 3H2 -> 2GaAs + 6HCl Используют также процесс Ga(C2H5)3 + AsH3 -> GaAs + 3C2H6 (ок. 700 °C. Пленки GaAs получают также из его растворов в расплавленном Ga. Для легирования монокристаллов и пленок используют добавки Те. Se, S, Sn, Zn, Cd, Ge. Монокристаллы с высоким р (108-109 Ом*см) получают с использованием добавок Fe или Сr. Г. а.-один из основные полупроводниковых материалов для интегральных микросхем, фотоприемников, СВЧ- и фотодиодов, транзисторов, инжекционных лазеров, оптический фильтров и модуляторов лазерного излучения, солнечных батарей и др. Химическая энциклопедия. Том 1 >> К списку статей |
| [каталог] [статьи] [доска объявлений] [обратная связь] |
|
|
Введение в химию окружающей среды. Книга известных английских ученых раскрывает основные принципы химии окружающей
среды и их действие в локальных и глобальных масштабах. Важный аспект книги
заключается в раскрытии механизма действия природных геохимических процессов в
разных масштабах времени и влияния на них человеческой деятельности.
Показываются химический состав, происхождение и эволюция земной коры, океанов и
атмосферы. Детально рассматриваются процессы выветривания и их влияние на
химический состав осадочных образований, почв и поверхностных вод на континентах.
Для студентов и преподавателей факультетов биологии, географии и химии
университетов и преподавателей средних школ, а также для широкого круга
читателей.
Химия и технология редких и рассеянных элементов. Книга представляет собой учебное пособие по специальным курсам для студентов
химико-технологических вузов. В первой части изложены основы химии и технологии
лития, рубидия, цезия, бериллия, галлия, индия, таллия. Во
второй
части книги изложены основы химии и технологии скандия, натрия, лантана,
лантаноидов, германия, титана, циркония, гафния. В
третьей части книги изложены основы химии и технологии ванадия, ниобия,
тантала, селена, теллура, молибдена, вольфрама, рения. Наибольшее внимание
уделено свойствам соединений элементов, имеющих значение в технологии. В
технологии каждого элемента описаны важнейшие области применения, характеристика
рудного сырья и его обогащение, получение соединений из концентратов и отходов
производства, современные методы разделения и очистки элементов. Пособие
составлено по материалам, опубликованным из советской и зарубежной печати по
1972 год включительно.
|
|
105,6 кДж/моль,
-74,1 кДж/моль; So298 64,27 Дж/(моль*К); температурный
коэффициент объемного расширения 5,93-10-6 К-1 (0-252°C;
теплопроводность 150Вт/(м*К) при 27 °С;
13,2. Полупроводник; при 27 °С ширина запрещенной зоны 1,428 эВ, подвижность
электронов 8500см2/(В*с), дырок 400 см2/(В*с); эффективная
масса электронов проводимости те = 0,065m0,
дырок mp = 0,5m0 (m0-масса свободного
электрона).
2GaCl + 4As + 2Н2(900 -> 750 °С)