химический каталог




Структурная неорганическая химия. Том 3

Автор А.Уэллс

наконец, SrSi2 и H-TliSi2 в качестве примеров трехмерных каркасных структур.

TiSi-2, CrSl2 и AloSi2. Ромбическая структура TiSi2, изострук-гурные CrSi2, VSi2, NbSi2 и TaSi2 (гексагональные структуры) и пзоструктурные MoSi2, WSi2 н ReSi2 (тетрагональные структуры) связаны между собой очень простыми соотношениями, что трудно было ожидать при столь различной симметрии. Структура TiSi2 состоит из слоев с плотнейшей упаковкой (рис. 23.2,а), в которых Si:Ti = 2: 1. Однако эти слои не накладываются друг на друга с образованием плотноупакованной структуры, в которой каждый атом имеет 12 равноудаленных соседей. Вместо этого атомы титана последующих слоев располагаются над точками В, С и D соответственно (рис. 23.2,а). В результате у каждого атома оказывается 10 ближайших соседей, причем вблизи атома Ti располагаются 10 приблизительно одинаково удаленных атомов Si, а каждый атом Si также почти одинаково удален от 5 атомов Ti и 5 атомов Si. Структура CrSi2 содержит слои с точно таким же типом плотнейшей упаковки; более того, слои накладываются сходным образом, причем для каждого атома возникает окружение, включающее 10 ближайших соседей; окружение атома Сг составляют 10 атомов Si, а окружение атома Si — 5 атомов Сг и 5 атомов Si. В этой гексагональной структуре повторение происходит через каждые три слоя, причем положение атомов Сг в двух последовательных слоях соответствует точкам В и D на рис. 23.2,6. Геометрически структура MoSi2 напоминает СаС2, что можно видеть из сравнения рис. 23.2, в и 22.6, хотя атомы Si и не ассоциированы в пары, как атомы С в СаС2. (Обе структуры тетрагональные, для СаС2 а = 3,89 А, с = 6,38 А и параметр атома С в позиции (00z) равен гс = 0,406; для MoSi2 а = 3,20 А, с = 7,86 А, Zsi~0,33. Объемноцентрированная элементарная ячейка выделена на рис. 23.2,в штриховыми линиями.) Однако проекция структуры на плоскость (ПО) (рис. 23.2,г) показывает, что MoSi2 по строению очень близок с TiSi2 и CrSi2. В плоскости (ПО) атомы располагаются по точкам гексагональной сетки

1 а кого же типа, как в последних двух структурах. Нало-слосв происходит таким образом, что каждый атом так-ок-тзываетс.ч окруженным 10 ближайшими соседями, груктуре MoSi2 атомы в слоях через один расположены о друг над другом, тогда как в соседних слоях они смещеООО

в w

ООО

о о

о о о о о о ©

О о о с о ©

! I

о о © о о © о о о о сг" о

пц, причем атомы А1о соседнего слоя расположены над точками В на рис. 23.2, г. Таким образом, эти три структуры образуют интересный ряд: будучи построены из слоев плотнейшей упаковки одного и того же вида, накладывающихся сходным образом (что приводит к КЧ 10, а не 12), они отличаются друг от друга лишь числом слоев в повторяющейся последовательности (4 для TISI2, 3 для CrSiz и 2 для MoSi2). Установлено, что в кристаллах соединений состава, промежуточного между TiSi2 п MoSi2, осуществляется и промежуточный (трехслойный) тип структуры CRSIO; то же справедливо для системы TiSi2 — ReSi2 [7].

7—1284

98 23. Кремний

99

CaSi2. SrSi2 и BaSi2. Строение этих соединений при нормаль-пом давлении (НД) и давлении 40 кбар и температуре 1000°С (ВД) сопоставлено ниже. (Вторая ВД-модификацня BaSi2 получена при 600—800°С и давлении 40 кбар.) Фазы ВД в течение нескольких месяцев устойчивы также при нормальных давлении и температуре в отсутствие воздуха и влаги; при нагревании до 400 °С они переходят в фазы НД. Эти соединения дают примеры всех основных типов структур, возможных- для элементов, атомы которых образуют по три связи, что подчерРис. 23.3. Кристаллическая структура CaSi?.

кивает сходство между ионом Si~ и изоэлектроппым ему атомом Р. В частности, системы связанных атомов Si в трех модификациях BaSi2 представляют собой простейший З-связапный многогранник, простейшую З-связанпую плоскую сетку и одну из двух простейших З-связанных трехмерных сеток (рис 3.28, а— кубическая сетка). Трехмерные сетки такого же типа обнаружены в структуре SrSi2, а вторая простейшая трехмерная 3-свя-запная сетка (тетрагональная (10, 3)-сетка) соответствует расположению атомов Si в структуре a-ThSi2 (см. далее), осуществляющемуся также в ВД-модификациях CaSi2 и SrSi2. Гексагональные слои, отвечающие структуре CaSi2, содержащего небольшое количество Sr, показаны на рис. 23.3. Слои такого же типа присутствуют в чистом CaSi2, менее гофрированные — в слоистой модификации BaSi2. Углы между связями при атоме Si меняются в пределах от 60° в группировке S14 (BaSi2), 105 и 112° в слоистых структурах CaSi2 и BaSi2 до величин, близких к 120°, в трехмерных сетках. Интервал изменения длин связей Si—Si небольшой (2,40-г-2,45 А). В работе [13] обсуждается возможный механизм полиморфных превращений.

a-ThSk. Многие дисилицнды 4/- и 5/-элементов кристаллизуются в структурном типе a-ThSi2 (реализуется и менее спммет

О

О

рпчнын вариант этой структуры), а также в структурном типе А1В2 [0]. В структуре a-ThSi2 атомы Si (КЧ 3) образуют очень рыхлый трехмерный каркас (Si—Si 2,39 А, что близко к соответств

страница 34
< К СПИСКУ КНИГ > 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 100 101 102 103 104 105 106 107 108 109 110 111 112 113 114 115 116 117 118 119 120 121 122 123 124 125 126 127 128 129 130 131 132 133 134 135 136 137 138 139 140 141 142 143 144 145 146 147 148 149 150 151 152 153 154 155 156 157 158 159 160 161 162 163 164 165 166 167 168 169 170 171 172 173 174 175 176 177 178 179 180 181 182 183 184 185 186 187 188 189 190 191 192 193 194 195 196 197 198 199 200 201 202

Скачать книгу "Структурная неорганическая химия. Том 3" (7.63Mb)


[каталог]  [статьи]  [доска объявлений]  [прайс-листы]  [форум]  [обратная связь]

 

 

Реклама
KNS - кликните по ссылке, получите скидку по промокоду "Галактика" - ноутбук со скидкой - Самое выгодное предложение!
применение линейных светильников
как оформить торговую плошадь
световой указатель подъезда суп-му3

Рекомендуемые книги

Введение в химию окружающей среды.

Книга известных английских ученых раскрывает основные принципы химии окружающей среды и их действие в локальных и глобальных масштабах. Важный аспект книги заключается в раскрытии механизма действия природных геохимических процессов в разных масштабах времени и влияния на них человеческой деятельности. Показываются химический состав, происхождение и эволюция земной коры, океанов и атмосферы. Детально рассматриваются процессы выветривания и их влияние на химический состав осадочных образований, почв и поверхностных вод на континентах. Для студентов и преподавателей факультетов биологии, географии и химии университетов и преподавателей средних школ, а также для широкого круга читателей.

Химия и технология редких и рассеянных элементов.

Книга представляет собой учебное пособие по специальным курсам для студентов химико-технологических вузов. В первой части изложены основы химии и технологии лития, рубидия, цезия, бериллия, галлия, индия, таллия. Во второй части книги изложены основы химии и технологии скандия, натрия, лантана, лантаноидов, германия, титана, циркония, гафния. В третьей части книги изложены основы химии и технологии ванадия, ниобия, тантала, селена, теллура, молибдена, вольфрама, рения. Наибольшее внимание уделено свойствам соединений элементов, имеющих значение в технологии. В технологии каждого элемента описаны важнейшие области применения, характеристика рудного сырья и его обогащение, получение соединений из концентратов и отходов производства, современные методы разделения и очистки элементов. Пособие составлено по материалам, опубликованным из советской и зарубежной печати по 1972 год включительно.

 

 



Рейтинг@Mail.ru Rambler's Top100

Copyright © 2001-2012
(28.03.2017)