химический каталог




Структурная неорганическая химия. Том 1

Автор А.Уэллс

в) период повторяемости составляет четыре слоя. На рисунке показано строение двух смежных слоев; в структуре двух последующих слоев атомы Na

216 4. Шаровые упаковки

4.5. Другое представление плотноупакованных структур

217

218 4. Шаровые упаковки

4.6. Структуры, построенные из плотноупакованных слоев АХ3 219

нов, чем катионов. Этому соответствует и другое представление структур с плотнейшей упаковкой.

При описании ОЦК-структуры в разд. 4.1.2 мы указали, что при представлении структуры с помощью полиэдрических областей Дирихле пустоты находятся в вершинах этих областей. Областям Дирихле для гексагональной ПУ и кубической ПУ соответствуют полиэдры, изображенные на рис. 4.29. Они и слуТаблица 4.9. Представление ПУ-структур с помощью полиэдрических областей

КЧ ПУ-агома X 3 Номер толченных вершин Структура МХ„

Структуры с гексаго- 6 1 2 3 4 5 6 NiAs

нальной ПУ (рнс. 4.29,а) 4 2 3 4 5 (I-AI2O3

3 /2 4 5 СаС12

\ 4 5 6 Cdl2

2 2 5 RI1F3

2 6 Zrl.,

5 6 ВИз

Структуры с кубической 6 1 2 3 4 5 6 NaCl

ПУ (рис. 4.29,6) 4 2 4 5 6 Sc2S3

1 4 5 6 CdCl2

3 ll 4 6 ТЮ2 (анатаз)

! 4 6 VC13

2 ReOs

жат основой для другого представления относительно простых ПУ-структур (особенно бинарных соединений). Восемь вершин, в каждой из которых пересекаются три ребра, являются тетраэдрическими пустотами; шесть вершин, в которых пересекаются по четыре ребра, — октаэдрическими пустотами. В табл. 4.9 указаны номера октаэдрических позиций, заполненных в некоторых простых структурах; ПУ-структуры, в которых заняты тетраэдрические или одновременно и тетраэдрические, и октаэдрические позиции могут быть представлены аналогичным образом (см., например, J. Solid State Chem., 1970, 1, 279).

4.6. Структуры, построенные из плотноупакованных слоев АХ3

Выше уже указывалось, что пары ионов, имеющих близкие размеры, могут совместно образовывать ПУ-слой состава АХ3 и что в комплексных галогенидах и оксидах АхВ,Д3х был обнаружен лишь один из двух возможных типов АХ3-слоев, в которых атомы А не соприкасаются друг с другом. Эти слои

© О © О ©

(рис. 4.15, г) могут быть уложены в плотнейшую упаковку, в которой имеются октаэдрические пустоты Х6 и в то же время ионы А не соприкасаются друг с другом. На рис. 4.30 показаны два таких слоя и позиции с октаэдрической координацией, предназначенные для атомов В, расположенных между слоями. Число этих Хб-пустот равно числу атомов А в структуре. В структурах комплексных галогенидов и оксидов все или часть этих позиций могут быть заняты катионами В, несущими заряд, обеспечивающий электронейтральность кристалла А.хВ„Х3.,- (где А и X могут быть, например, К+ и F~ Cs+ 11 С)-, Ва2+ и О2- и т. д.).' Формула соединения зависит от относительной доли занятых позиций типа В:

.1 к

OlJG°Ou

все ДВХ3

?иняты пустоты

Рис. 4.30. Два плотноупаковаиных елоя АХ5 (сплошные и пунктирные кружки) п позиции атомов металла между слоями (зачерненные кружки меньшего размера) в октаэдри-ческом окружении атомами X.

две трети А3В2Х9 половина А2ВХЙ

Эти доли, разумеется, составляют соответственно '/*, '/б и V* общего числа октаэдрических пустот ПУ из атомов А и X.

В структурах А2ВХ6 имеются дискретные октаэдрические группы; в А3В2Х3 и АВХ3, как видно из отношения X : В, группы ВХ6 должны соединяться через атомы X. Особенность этих структур, иллюстрируемая рис. 4.31, состоит в том, что общими у октаэдрических групп BXG являются только вершины или грани. Это представляет собой существенное отличие от структур многих оксидов и галогенидов, характеризующихся наличием общих ребер октаэдров. Отсутствие общих ребер является попросту следствием строения слоев АХз, в чем можно убедиться при анализе моделей. При наложении третьего слоя на пару слоев возможны лишь две ориентации этого слоя; одна приводит к соединению октаэдров ВХ6 через вершины, а другая — через грани.

В принципе при наложении слоев АХ3 возможны самые различные последовательности, но чаще всего встречаются наиболее простые из них, с эквивалентными шарами или только двумя видами неэквивалентных шаров. Таковы последовательности с периодом повторяемости, равным 2, 3, 4, 6, 9 или 12 слоев. Примеры структур, содержащих ПУ-слои АХ3, можно найти в табл. 4.4. Многие соединения могут образовывать кристаллы с различными типами плотнейших упаковок, например, ВаМп03 образует двух-, четырех- и девятислойные структуры. В некоторых случаях это явление, вероятно, точнее описывать как поли220

4. Шаровые упаковки

4 6. Структуры, построенные из плотноупакованных слоев АХ% 22Г

А1Ф

Lii

1 ?

е

1 т

1

<> t

1 1

т *

Рис 4 31. Слева показаны (в плане) плотноупакованные слон АХ3. Даны положения только атомов X в позициях А, В и С. Маленькими черными кружками обозначены позиции атомов металла типа В между слоями А и В, В и С, С и Л окруженные октаэдрически шестью атомами X. На схемах показаны слои (горизонтальные лин

страница 72
< К СПИСКУ КНИГ > 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 100 101 102 103 104 105 106 107 108 109 110 111 112 113 114 115 116 117 118 119 120 121 122 123 124 125 126 127 128 129 130 131 132 133 134 135

Скачать книгу "Структурная неорганическая химия. Том 1" (5.13Mb)


[каталог]  [статьи]  [доска объявлений]  [прайс-листы]  [форум]  [обратная связь]

 

 

Реклама
гелиос электрокамин
душевые двери huppe официальный сайт
скороварка facile
наклейки с машинами ферари детские

Рекомендуемые книги

Введение в химию окружающей среды.

Книга известных английских ученых раскрывает основные принципы химии окружающей среды и их действие в локальных и глобальных масштабах. Важный аспект книги заключается в раскрытии механизма действия природных геохимических процессов в разных масштабах времени и влияния на них человеческой деятельности. Показываются химический состав, происхождение и эволюция земной коры, океанов и атмосферы. Детально рассматриваются процессы выветривания и их влияние на химический состав осадочных образований, почв и поверхностных вод на континентах. Для студентов и преподавателей факультетов биологии, географии и химии университетов и преподавателей средних школ, а также для широкого круга читателей.

Химия и технология редких и рассеянных элементов.

Книга представляет собой учебное пособие по специальным курсам для студентов химико-технологических вузов. В первой части изложены основы химии и технологии лития, рубидия, цезия, бериллия, галлия, индия, таллия. Во второй части книги изложены основы химии и технологии скандия, натрия, лантана, лантаноидов, германия, титана, циркония, гафния. В третьей части книги изложены основы химии и технологии ванадия, ниобия, тантала, селена, теллура, молибдена, вольфрама, рения. Наибольшее внимание уделено свойствам соединений элементов, имеющих значение в технологии. В технологии каждого элемента описаны важнейшие области применения, характеристика рудного сырья и его обогащение, получение соединений из концентратов и отходов производства, современные методы разделения и очистки элементов. Пособие составлено по материалам, опубликованным из советской и зарубежной печати по 1972 год включительно.

 

 



Рейтинг@Mail.ru Rambler's Top100

Copyright © 2001-2012
(17.01.2017)