химический каталог




Таблицы для определения минералов по физическим и химическим свойствам

Автор Г.Н.Вертушков, В.Н.Авдонин

ажение—символ ряда. Координатные оси являются рядами узлов, их символы: 0х= [100]; 0и = [010]; 0г =

= [001].

Отрезки, которые отсекает плоская сетка (грань) на координатных осях, называются параметрами. Численное значение их выражают через единичные векторы соответствующих осей. В первом приближении можно считать, что плоские сетки пересекают оси по узлам пространственной решетки. Следовательно, их параметры р, q, г определяются соотношениями p = daa\ q = = ейо; r = fco. Здесь d, е, f — целые числа. Для любой другой плоской сетки параметрами являются pi = d\aa\ q\ = e\ba, п = = /ico, где di, ей fi — также целые числа. Отношения параметров плоских сеток по каждой координатной оси есть отношение Целых чисел, и таким образом, являются числами рациональными. Это и есть закон рациональности параметров р . q . r dot) . eft0 . fCy _ d . g . f

В кристаллографии для обозначения плоских сеток (граней) пользуются индексами — величинами, обратными параметрам:

_!_ = *; _L_,.

р ч '

Уравнение плоскости в параметрах (в отрезках на координатных осях р, q, г) будет следующим:

р ^ q ^ г

Заменив в этом выражении параметры индексами, получим уравнение плоскости в общем виде

пх + ky + lz = f,

где t—целое число, которое образуется после освобождения уравнения от дробных коэффициентов путем приведения к общему знаменателю и сокращения иа общий множитель. Коэффициенты h, k, I в этом уравнении представляют собой координаты вектора, перпендикулярного к той плоскости, которую выражает ее уравнение. Эти целые числа (индексы) записываются также в ряд без знаков препинания, заключаются в простые скобки (hkl) и называются символом плоской сетки (рис. 3). Исследование уравнения плоскости и ее символа приведено в табл. 1.

При этом нужно иметь в виду, что все плоскости, параллельные изображенным на рис. 3, в кристаллографическом отношении равны между собой и имеют одинаковый символ: например, на каком бы расстоянии от начала координат не находилась плоскость (100), ее символ от этого не изменится. Символ этой плоскости показывает, что плоская сетка параллельна координатным осям Оу и 0г и делает конечный отрезок (параметр) на оси Ох.

sinqp =•

Если символ ряда узлов [rst], а символ плоской сетки (hkl), то угол между ними ф определяется выражением

hr + ks + It

Vft2 + +12 V's + s2 +12

Если прямая 0Л параллельна или лежит в плоскости Р, тогда ср = 0 и sinq> = 0. Это возможно при условии hr+ks + lt — = 0. В кристаллографии такое уравнение называется зональным.

Прямая линия есть пересечение двух плоскостей: hx + ky + + lz = t и hix+kiy + kz = ti. Положение ее в пространстве определяют направляющие коэффициенты г, s, t, которые можно вычислить из двух уравнений:

nr + ks + lt = 0; hlr + kls + l,t = 0.

Два уравнения с тремя неизвестными позволяют найти только отношения между неизвестными. В кристаллографии этого достаточно. Уравнения решаем с помощью определителя

второго порядка, для чего воспользуемся мнемоническим правилом: напишем в одну строчку два раза подряд символ одной грани (hkl), под ней—так же символ второй грани (h\k\h), слева и справа этих строк исключим по одному знаку; таким образом получим следующую запись:

Ч/Ч/Ч/* ^Ч^Ч/Ч,

а затем перекрестным умножением найдем направляющие коэффициенты:

r = kl, — k,l\ s — lh, — l,h; t — hkl — hlk.

Если известны символы [rst] и [nsih], которые фиксируют два ряда узлов, не параллельных между собой, следовательно, имеется возможность построить плоскую сетку, символ которой (hkl) определяется следующим образом. Составляем два урав-нения:

hr + ks + It = 0; hr, + ks, + It, = 0,

в которых три неизвестных — h, k, l. Затем по вышеприведенному правилу вычисляем символ этой сетки следующим образом:

Ч/Ч/ЧУ

( (

0,360 нм

Си

h = st,— s,t; k — tr, — ttr; l — rst — r,s. Атомное строение кристаллов

С помощью рентгеновских лучей в 1912 г. было установлено наличие в кристаллах плоских сеток, от которых эти лучи отражаются по закону Вульфа—Брэгга: in=2d sin 8„, где Я — длина волны рентгеновских лучей; п — простые числа (1, 2, 3 и т. д.), показывающие порядок отражения; d — межплоскостное расстояние; 8п — угол отражения соответствующего порядка.

Таким образом, гипотеза регулярного, решетчатого строения кристаллов была подтверждена экспериментально. Несколько позднее были расшифрованы структуры галита, алмаза и других минералов. При этом обнаружилось, что кристаллы подавляющей части минералов имеют атомное строение, в них нет молекул как особых структурных сооружений, а пространственные решетки, в узлах которых находятся атомы, вставлены одна в другую, как это хорошо видно на структуре CsCl (рис. 4). Структура кристалла оказалась более сложным сооружением

14 по сравнению с абстрактной пространственной решеткой, которая представляет собой упрощенную модель атомного строения кристалла.

При изучении минеральных индивидов с помощью рентгеновских лучей устанавливают межплоскостные расстояния d межд

страница 5
< К СПИСКУ КНИГ > 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 100 101 102 103 104 105 106 107 108 109 110 111 112 113 114 115 116 117 118 119 120 121 122

Скачать книгу "Таблицы для определения минералов по физическим и химическим свойствам" (3.94Mb)


[каталог]  [статьи]  [доска объявлений]  [прайс-листы]  [форум]  [обратная связь]

 

 

Реклама
стоимость диагностики чиллера
объект охраняется вневедомственной охраной
урны для мусора уличные
инсталляция акустики

Рекомендуемые книги

Введение в химию окружающей среды.

Книга известных английских ученых раскрывает основные принципы химии окружающей среды и их действие в локальных и глобальных масштабах. Важный аспект книги заключается в раскрытии механизма действия природных геохимических процессов в разных масштабах времени и влияния на них человеческой деятельности. Показываются химический состав, происхождение и эволюция земной коры, океанов и атмосферы. Детально рассматриваются процессы выветривания и их влияние на химический состав осадочных образований, почв и поверхностных вод на континентах. Для студентов и преподавателей факультетов биологии, географии и химии университетов и преподавателей средних школ, а также для широкого круга читателей.

Химия и технология редких и рассеянных элементов.

Книга представляет собой учебное пособие по специальным курсам для студентов химико-технологических вузов. В первой части изложены основы химии и технологии лития, рубидия, цезия, бериллия, галлия, индия, таллия. Во второй части книги изложены основы химии и технологии скандия, натрия, лантана, лантаноидов, германия, титана, циркония, гафния. В третьей части книги изложены основы химии и технологии ванадия, ниобия, тантала, селена, теллура, молибдена, вольфрама, рения. Наибольшее внимание уделено свойствам соединений элементов, имеющих значение в технологии. В технологии каждого элемента описаны важнейшие области применения, характеристика рудного сырья и его обогащение, получение соединений из концентратов и отходов производства, современные методы разделения и очистки элементов. Пособие составлено по материалам, опубликованным из советской и зарубежной печати по 1972 год включительно.

 

 



Рейтинг@Mail.ru Rambler's Top100

Copyright © 2001-2012
(27.04.2017)