химический каталог




Таблицы для определения минералов по физическим и химическим свойствам

Автор Г.Н.Вертушков, В.Н.Авдонин

ы, равные между собой. По этой причине каждая частица заменена точкой, называемой в пространственной решетке узлом. Совокупность узлов, расположенных на одной прямой, представляет собой ряд узлов (рис. 1,а). Расстояние между двумя рядом расположенными узлами AoAt называется промежутком, или параметром ряда и обозначается ао. Параметр ряда — мера плотности ряда узлов. Такое положение узлов определяет периодичность — регулярность, упорядоченность строения всего кристаллического пространства. Разными называются ряды узлов, обладающие неравными параметрами.

Совокупность узлов, расположенных в одной плоскости, образует плоскую сетку (см. рис. 1,6). Для однородности строения кристалла необходимо, чтобы узлы в плоской сетке находились в вершинах параллелограммов — равных, параллельно ориентированных и смежных по целым сторонам. Плоскую сетку можно построить, если известны три узла, не лежащие на одной прямой, или два ряда пересекающихся узлов. Число узлов, приходящихся на единицу площади плоской сетки, называется ретикулярной плотностью D, которая обратно пропорциональна площади S элементарного параллелограмма: D — 1/S.

В пространственной решетке узлы распределены в вершинах параллелепипедов — также равных, взаимно параллельных и смежных по целым сторонам.

Ряды узлов в пространственной решетке равны между собой, если их можно совместить путем любого параллельного перемещения, вращения или отражения. Это же свойственно плоским сеткам. При параллельном переносе рядов узлов пространственной решетки можно установить такой элементарный параллелепипед, который содержит все геометрические компоненты

строения и позволяет путем параллельного переноса увеличивать пространственную решетку до бесконечности.

Наикратчайшее расстояние между двумя параллельными плоскими сетками называется межплоскостным расстоянием d (см. рис. 1,г). Соотношение между объемом элементарного параллелепипеда v, межплоскостным расстоянием плоских сеток d и их ретикулярной плотностью D определяется выражением vD = d. Для данной пространственной решетки t> = const. Следовательно, чем больше ретикулярная плотность плоских сеток, тем больше их межплоскостное расстояние.

Строение кристалла по принципу пространственной решетки обусловливает анизотропность свойств кристаллического вещества. Только кристаллы обладают одновременно и однородностью, и анизотропностью.

Ряд узлов как основной элемент строения кристалла будем именовать вектором. В кристаллографическом векторе положительное и отрицательное направления равны между собой. Только как исключение в кристаллах имеются ряды узлов, в которых наблюдаются положительное и отрицательное направления. Такие векторы называются полярными. Параметр ряда а» можно принять за единичный вектор. Таким образом, полную длину ряда узлов k как вектора можно найти по формуле ? = = пао, где п — целое число. Поэтому величина кристалла не связана с его строением и длина вектора не имеет значения. Следовательно, у кристаллографического вектора нет начала и конца, он определяется отрезком прямой между любыми узлами ряда.

Плоская сетка пространственной решетки двухмерная; ее можно получить, перенося точку Аа по направлению дву_х рядов узлов АоА„ и АоВт, параметры которых а0 и bo- В результате этого получаются два вектора: АоАп = пао и AoBm = mbo, где п и /77 — целые числа. При сложении эти двух векторов возникают другие векторы плоской сетки: А = nao+mbo.

Для построения трехмерной пространственной решетки нужно иметь три не лежащих в одной плоскости ряда узлов, которые определяют направления трех векторов (рядов узлов пространственной решетки), и знать параметры этих векторов: аа, Ьц, со. К двум векторам, расположенным на плоскости,— АйАп и А0Вт прибавляется некомплинарный (не лежащий в этой плоскости) им третий вектор А0Се = есо, где е — целое число. Любой вектор трехмерной решетки теперь можно получить, сложив три вектора: R = nao + mbo + ecoКоординатные оси. Положение элементов строения пространственной решетки обозначается с помощью трех некомпланарных векторов, которые принимаются за координатные оси. Следовательно, в кристаллографии, в отличие от геометрии, координатные оси материальные, они определяются рядами узлов пространственной решетки. При этом в кристаллографии принята

ю

Рис. 2. Правая система

правая система координатных осей (рис. 2). Для простоты будем рассматривать только прямоугольную систему координатных осей.

Ряды узлов. В пространственной решетке ряд узлов определяется направляющим вектором, который нужно выбрать так, чтобы его длина А была равна паи, где п — целое число. Координаты направляющего вектора ряда узлов, проходящего через начало координат, равны x=ra<>; i/ = sfto; г=^о. где г, s, t — целые числа, а параметры каждого ряда — ао, 6о и со—могут иметь равные или различные значения. Тогда уравнение ряда узлов примет вид:

х у г

Г S t

В кристаллографии три отвлеченных числа г, s, t пишут в ряд без знаков препинания и заключают в квадратные скобки, т. е.

[rst\. Это выр

страница 4
< К СПИСКУ КНИГ > 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 100 101 102 103 104 105 106 107 108 109 110 111 112 113 114 115 116 117 118 119 120 121 122

Скачать книгу "Таблицы для определения минералов по физическим и химическим свойствам" (3.94Mb)


[каталог]  [статьи]  [доска объявлений]  [прайс-листы]  [форум]  [обратная связь]

 

 

Реклама
сервис врв систем
поселок в подмосковье новая рига
немецкая посуда сковороды
кресло ch 300

Рекомендуемые книги

Введение в химию окружающей среды.

Книга известных английских ученых раскрывает основные принципы химии окружающей среды и их действие в локальных и глобальных масштабах. Важный аспект книги заключается в раскрытии механизма действия природных геохимических процессов в разных масштабах времени и влияния на них человеческой деятельности. Показываются химический состав, происхождение и эволюция земной коры, океанов и атмосферы. Детально рассматриваются процессы выветривания и их влияние на химический состав осадочных образований, почв и поверхностных вод на континентах. Для студентов и преподавателей факультетов биологии, географии и химии университетов и преподавателей средних школ, а также для широкого круга читателей.

Химия и технология редких и рассеянных элементов.

Книга представляет собой учебное пособие по специальным курсам для студентов химико-технологических вузов. В первой части изложены основы химии и технологии лития, рубидия, цезия, бериллия, галлия, индия, таллия. Во второй части книги изложены основы химии и технологии скандия, натрия, лантана, лантаноидов, германия, титана, циркония, гафния. В третьей части книги изложены основы химии и технологии ванадия, ниобия, тантала, селена, теллура, молибдена, вольфрама, рения. Наибольшее внимание уделено свойствам соединений элементов, имеющих значение в технологии. В технологии каждого элемента описаны важнейшие области применения, характеристика рудного сырья и его обогащение, получение соединений из концентратов и отходов производства, современные методы разделения и очистки элементов. Пособие составлено по материалам, опубликованным из советской и зарубежной печати по 1972 год включительно.

 

 



Рейтинг@Mail.ru Rambler's Top100

Copyright © 2001-2012
(23.06.2017)