химический каталог




Таблицы для определения минералов по физическим и химическим свойствам

Автор Г.Н.Вертушков, В.Н.Авдонин

тся: аофЬофСо; аф$фу. Подавляющая часть минералов кристаллизуется в центральной группе симметрии, где все формы — пинакоиды; в примитивной группе симметрии все формы — моноэдры.

ОГРАНЕНИЕ КРИСТАЛЛОВ

Простые и сложные формы кристаллов. Многогранник, образующий «одежду» кристалла, называется формой. Монокристаллы— выпуклые многогранники. В таких многогранниках внутренняя часть представляет собой кристаллическое пространство, а внешняя — среду. Для любого многогранника, в том числе и кристаллического, существует зависимость между числом граней — г, ребер — р и вершин — в:

г = р — в+ 2.

В кристаллографии равные элементы огранения кристалла при симметричных преобразованиях совмещаются. Многогранники, у которых все грани кристаллографически равны друг другу, называются простой формой. В идеальных условиях скорости роста граней одной простой формы равны. Простая форма — геометрический образ, который позволяет описать кристаллографический многогранник. Простые формы могут быть закрытыми и открытыми; первые полностью ограничивают кристаллическое пространство (куб), вторые — частично, с одной или нескольких сторон (моноэдр, диэдр, призмы).

Равенство устанавливается совмещением при симметричных преобразованиях, поэтому каждая грань обладает некоторой симметрией; кристаллографически равные грани обладают одной и той же степенью симметрии. Конгруэнтные многогранники совмещаются путем параллельного переноса, а энантио-морфные — путем отражения в Р. Среди энантиоморфных различают формы правые и левые, соответственно этому кристаллическое пространство может быть левым и правым.

Типов простых форм 47, включая энантиоморфные. В каждой точечной группе симметрии семь типов простых форм. Одна из них общая, грани ее расположены косо к Р и Ln, остальные шесть форм частные. Многогранник, состоящий из кристаллографически неравных граней, называется комбинацией, или сложной формой.

В минералогии важное значение имеет понятие «.главное направление»— это плоскости, параллельные граням. Две параллельные грани представляют одно направление. Куб имеет три равных и взаимно перпендикулярных направления. Это значит, что у куба три непараллельные между собой грани, которые совмещаются при симметричных преобразованиях.

СРАСТАНИЕ КРИСТАЛЛОВ

В природных, а также искусственных агрегатах соприкасающиеся кристаллические пространства геометрически не связаны между собой, но есть такие сочетания, в которых индивиды соединяются через общие узлы и сетки пространственной решетки. К таким закономерным срастаниям относятся двойники, параллельные и эпитаксические срастания.

Двойником называется закономерное срастание кристаллов одного вещества, в котором один индивид выводится из другого путем поворота на некоторый угол или же один кристалл является зеркальным отражением другого. Плоскость, по которой соединяются индивиды,— возможная или существующая грань кристалла BE (рис. 21). Она называется плоскостью срастания, или двойниковым швом, обладает большой ретикулярной плотностью, ее символ выражается первыми числами натурального ряда. Элементами симметрии двойника являются двойниковая ось ОО' (при вращении вокруг нее индивиды совмещаются) и двойниковая плоскость БЕ (при отражении в ней индивиды

58

также совмещаются). Плоскость срастания, двойниковая ось и двойниковая плоскость — элементы двойника, они определяют закон двойникования. Не могут быть элементами двойника плоскость симметрии и оси симметрии четного наименования.

Морфологически различают двойники срастания, или контактные, и двойники прорастания. Многократное двойникование (см. рис. 21,6) по одному или двум законам в одном и том же сростке дает полисинтетический двойник. Полисинтетические двойники особенно характерны для кальцита, полевых шпатов, пироксенов, халькопирита. В двойниках внешняя симметрия сростка всегда выше истинной симметрии монокристалла.

Двойники образуются механическим путем или при кристаллизации в результате «слипания» индивидов в двойниковом положении. Двойники роста приобретают типичный облик, обусловленный наличием входящих углов, в которых посадка частиц при росте кристалла наиболее выгодна в энергетическом отношении. Поэтому двойники развиваются в плоскости срастания по направлению входящих углов. Облик двойниковых кристаллов отличен от монокристаллов, их объем и масса превышают таковые одиночных кристаллов в 1,5—2 раза.

В параллельных сростках индивиды одного вещества находятся в параллельном положении. В таких срастаниях кристаллическое пространство однородно. Между индивидами в параллельных сростках нет границы раздела.

В эпитаксических срастаниях индивиды разных веществ контактируют так, что их кристаллические решетки приобретают относительно закономерную ориентировку. Плоские сетки, по которым соприкасаются индивиды в подобных сростках, близки по своей симметрии и размерам. Наглядный пример эпитаксических срастаний представляет собой письменный гранит, ?содержащий около 70 % ортоклаза и 30 % кварца.

К закономерным срастаниям следует

страница 22
< К СПИСКУ КНИГ > 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 100 101 102 103 104 105 106 107 108 109 110 111 112 113 114 115 116 117 118 119 120 121 122

Скачать книгу "Таблицы для определения минералов по физическим и химическим свойствам" (3.94Mb)


[каталог]  [статьи]  [доска объявлений]  [прайс-листы]  [форум]  [обратная связь]

 

 

Реклама
песчаная штукатурка
новосибирск афишные стенды
клапан обратный вентиляционный 630
компьютерные столы и стулья интернет магазин

Рекомендуемые книги

Введение в химию окружающей среды.

Книга известных английских ученых раскрывает основные принципы химии окружающей среды и их действие в локальных и глобальных масштабах. Важный аспект книги заключается в раскрытии механизма действия природных геохимических процессов в разных масштабах времени и влияния на них человеческой деятельности. Показываются химический состав, происхождение и эволюция земной коры, океанов и атмосферы. Детально рассматриваются процессы выветривания и их влияние на химический состав осадочных образований, почв и поверхностных вод на континентах. Для студентов и преподавателей факультетов биологии, географии и химии университетов и преподавателей средних школ, а также для широкого круга читателей.

Химия и технология редких и рассеянных элементов.

Книга представляет собой учебное пособие по специальным курсам для студентов химико-технологических вузов. В первой части изложены основы химии и технологии лития, рубидия, цезия, бериллия, галлия, индия, таллия. Во второй части книги изложены основы химии и технологии скандия, натрия, лантана, лантаноидов, германия, титана, циркония, гафния. В третьей части книги изложены основы химии и технологии ванадия, ниобия, тантала, селена, теллура, молибдена, вольфрама, рения. Наибольшее внимание уделено свойствам соединений элементов, имеющих значение в технологии. В технологии каждого элемента описаны важнейшие области применения, характеристика рудного сырья и его обогащение, получение соединений из концентратов и отходов производства, современные методы разделения и очистки элементов. Пособие составлено по материалам, опубликованным из советской и зарубежной печати по 1972 год включительно.

 

 



Рейтинг@Mail.ru Rambler's Top100

Copyright © 2001-2012
(25.09.2017)