![]() |
|
|
Экспериментальные методы в химии полимеров. Часть 2тод внешнего стандарта. Данный метод позволяет правильно рассчитать весовой процентный состав. Согласно этому способу вводятся точные количества чистых калибровочных веществ Ль А2. Затем строят калибровочную кривую как зависимость площади пика от известного веса введенного образца, эта кривая должна быть прямой линией, проходящей через начало координат (рис. 23.7). После этого вводят точное количество вещества неизвестного состава (Ах). Измеряют площадь пика и с помощью калибровочной кривой находят количество данного соединения в веществе неизвестного состава (рис. 23.7). Обзорная литература: 419, 556, 905. 3. Метод внутреннего стандарта. С применением этого способа можно найти истинный весовой процентный состав из одного анализа. При этом отпадает необходимость в определении фактора чувствительности детектора. Так как этот метод является относительным, то нет необходимости в точном соблюдении аналитических условий. IZ Глава 23 Хроматография IS Готовят смесь исследуемого образца и стандартного вещества с известным весовым соотношением и подвергают ее хроматограП ной кривой находят весовое отношение неизвестного вещества к стандарту. Поскольку количество добавленного стандартного вещества известно, то с помощью простого расчета вычисляют количество неизвестного соединения. Обозорная литература: 419, 556, 905. 23.3. ПЕРЕХОД ОТ ХРОМАТОГРАММ К ЧИСЛОВЫМ ДАННЫМ Существует несколько способов связать форму пика с концентрацией образца. 1. Измерение высоты пиков. Измеряют высоту пика в миллиметрах как расстояние от основания пика до его максимума (рис. 23.9). С помощью интерполяции базовой линии у начала и фическому анализу. Затем измеряют площади пиков и строят зависимость отношения площадей от весовых отношений (рис. 23.8). Затем к анализируемому образцу добавляют точно известное количество внутреннего стандарта и полученную смесь хроматогра-фируют. Измеряют отношения площадей и с помощью калибровочконца пика проводят компенсацию ее дрейфа. Высота и ширина пика зависят от содержания вещества в образце и объема пробы. 2. Оценка площадей пиков. Эти методы менее чувствительны к условиям анализа, чем методы, связанные с определением высоты пиков. а. Определение произведения высоты на ширину на полувысоте. Площадь можно рассчитать по формуле площади треугольника (рис. 23.10) А = 0.5ЯЦ7, (23.23) где Н — высота пика (мм), W — ширина на половине высоты (мм). Метод пригоден только при наличии симметричных пиков или пиков со сходной формой. Измеренная площадь на несколько процентов меньше истинной площади, но пропорциональна количеству образца. б. Определение методом треугольника. Измеряют высоту от основания до точки пересечения двух касательных (рис. 23.11). Площадь находят по формуле треугольника А = 0,ЪЬН (23.24) 14 Глава 23 Хроматография 15 16 Глава 23 Хроматография 17 23.5.1. ГАЗОВЫЕ ХРОМАТОГРАФЫ Газовые хроматографы (рис. 23.12) имеют следующие основные узлы: 1. Баллон с газом-носителем (водород, гелий, азот), снабженный редуктором и вентилем, регулирующим подачу газа. Оптимальную скорость подачи газа можно легко подобрать опытным путем с помощью зависимости ВЭТТ от линейной скорости газа может забирать на себя часть свободных электронов, снижается чувствительность детектора по отношению к анализируемым веществам. При наличии в газе-носителе следов Ог и НгО пламенно-ионизационные детекторы и детекторы по теплопроводности дают отрицательные пики. Для удаления следов 02 и НгО нужно использовать мощные системы очистки, позволяющие уменьшить содержание указанных примесей до менее 1 млн-1. Выпускаются системы, в которых .—. .—. колонка для анализа 1—Hal—TjH -УШ5»!ВД^- J L_J Ц_1 образца Ввод газа-носителя \ Ввод Рис. 23.12. Схема устройства газового хроматографа. /—система очистки газа-носителя; 2—контроль потока и регуляторы давления; s—устройство для ввода пробы; 4 — контроль и программирование температуры; 5 —термостат для колонок; б—детектор; 7— измерительное устройство; 8—интегратор; 9—печатающее устройство; 10 — самописец. (кривая ван Деемтера, рис. 23.4). Наиболее эффективная скорость отвечает наименьшему значению ВЭТТ или максимальному числу теоретических тарелок. Наличие в газе-носителе кислорода и воды может при повышенных температурах вызывать ухудшение качества растворителя, применяющегося при хроматографировании, приводя к появлению на хроматограммах «хвостов» и ухудшению разделения пиков. При захвате воды из газа-носителя такие сорбенты, как молекулярные сита, силикагель и оксид алюминия, портятся. Кислород действует на угольные носители при температурах выше 200°С. Присутствующая вода при охлаждении скапливается в верхней части колонки и при повторном нагреве колонки способна вызвать изменение базовой линии и появление лишнего пика. На многие очень чувствительные детекторы, использующиеся в газовой хроматографии, оказывают влияние примеси Ог и НгО в газе-носителе. Из-за того что Ог, содержащийся в газе-н |
[каталог] [статьи] [доска объявлений] [прайс-листы] [форум] [обратная связь] |
|
Введение в химию окружающей среды. Книга известных английских ученых раскрывает основные принципы химии окружающей
среды и их действие в локальных и глобальных масштабах. Важный аспект книги
заключается в раскрытии механизма действия природных геохимических процессов в
разных масштабах времени и влияния на них человеческой деятельности.
Показываются химический состав, происхождение и эволюция земной коры, океанов и
атмосферы. Детально рассматриваются процессы выветривания и их влияние на
химический состав осадочных образований, почв и поверхностных вод на континентах.
Для студентов и преподавателей факультетов биологии, географии и химии
университетов и преподавателей средних школ, а также для широкого круга
читателей.
Химия и технология редких и рассеянных элементов. Книга представляет собой учебное пособие по специальным курсам для студентов
химико-технологических вузов. В первой части изложены основы химии и технологии
лития, рубидия, цезия, бериллия, галлия, индия, таллия. Во
второй
части книги изложены основы химии и технологии скандия, натрия, лантана,
лантаноидов, германия, титана, циркония, гафния. В
третьей части книги изложены основы химии и технологии ванадия, ниобия,
тантала, селена, теллура, молибдена, вольфрама, рения. Наибольшее внимание
уделено свойствам соединений элементов, имеющих значение в технологии. В
технологии каждого элемента описаны важнейшие области применения, характеристика
рудного сырья и его обогащение, получение соединений из концентратов и отходов
производства, современные методы разделения и очистки элементов. Пособие
составлено по материалам, опубликованным из советской и зарубежной печати по
1972 год включительно.
|
|