![]() |
|
|
Экспериментальные методы в химии полимеров. Часть 2гированных лучей от направления падающих рентгеновских лучей (см. рис. 28.2), % — длина волны - рентгеновских лучей, /(.s)— интенсивность когерентного рентгеновского рассеяния от образца (как от аморфных, так и от кристаллических областей), Ic(s) — интенсивность когерентного рентгеновского рассеяния от кристаллической области. Вычисленная на основании уравнения (28.7) степень кристалличности обычно несколько занижена по сравнению с истинным содержанием кристаллической фракции. Это связано с тем, что частично интенсивность рентгеновских лучей, рассеянных кристаллическими областями, не входит в кристаллические пики, а входит в диффузное рассеяние вследствие тепловых колебаний атомов и дефектов решетки. Провести различие между кристаллическим и аморфным рассеянием в когерентном рассеянии очень трудно, и это бывает причиной ошибок, которые сильно искажают данные о степени кристалличности. Существуют два основных метода, которые позволяют отличить кристаллическое рассеяние от аморфного:1. Для образцов, которые нельзя получить в чисто аморфной или. кристаллической форме. В этом случае проводят линию (рис. 28.22), соединяющую минимумы между кристаллическими пиками. Интенсивность рассеяния выше этой линии (/с) обусловлена кристаллической фазой, тогда как интенсивность рассеяния ниже этой линии (1а) связана с аморфной фазой. Степень кристалличности (%с) рассчитывают по уравнению (28.7). 2. Для образцов полимеров чисто аморфной или чисто кристаллической структуры. В этом случае исследуют по отдельности кри134 Глава 28 вые (рис 28.23) для аморфного эталонного образца, кристаллического эталонного образца и образца с неизвестной кристалличностью. Степень кристалличности находят по формуле Глава 29 АНАЛИЗ МЕТОДОМ ЭЛЕКТРОННОЙ ДИФРАКЦИИ (28.9) Где /_ интенсивность рассеяния от исследуемого образца, 1а — интенсивность рассеяния от аморфного эталонного образца, 1С~ Обзорная литература: 41, 438, 439, 1043, 1327. в Положительные величины
Отрицательные величины интенсивность рассеяния от кристаллического эталона, К -константа которую определяют по наклону кривой зависимости / - 1а ОТ 1с -1а (РИС. 28.24). wfl, 6857,' 5895 5896,'6122-6125, 6325, 6517, 6988, 7141, 7272. 29 1. СВОЙСТВА ЭЛЕКТРОННОГО ПУЧКА (29.1) Электронное излучение имеет типично волновую природу. Длина волны (Я) ускоренного электрическим напряжением (V) электронного пучка определяется из уравнения де Бройля: % = h\^4meU = 12,25/л/D, где X — длина волны электронного пучка (в ангстремах), h — постоянная Планка, т — масса электрона, е — заряд электрона, U — напряжение (в вольтах). При напряжении V = 40 кВ длина волны составляет Х = 0,06 А, т. е. намного короче длины волны рентгеновских лучей (1,54 А для СмКа) (разд. 28.1). По геометрии дифракция электронного излучения аналогична дифракции рентгеновских лучей, описанной в разд. 28.3; при расчетах можно пользоваться уравнением Брэгга [уравнение (28.5)] и моделью обратной решетки. 29.2. ОБОРУДОВАНИЕ ДЛЯ АНАЛИЗА МЕТОДОМ ЭЛЕКТРОННОЙ ДИФРАКЦИИ В большинстве случаев исследования дифракции полимеров проводят с использованием просвечивающих электронных микроскопов (разд. 27.2). Современные конструкции электронных микроскопов позволяют переходить от изображения к дифракции путем простой коммутации линз. Интерференционная картина, получающаяся в фокусной плоскости объектива, увеличивается и проектируется на экране (рис. 29.1). Для исследования ориентации текстуры пригодны лишь такие держатели образца, которые можно вращать вокруг одной или двух осей. Для точной оценки дифракционной картины необходима внутренняя калибровка прибора. В результате измерения получают только расстояние г(ш> дифракционных точек от первичного пучка на фотографической пластинке. Зависимость между этим расстоянием и углом дифракции (29) определяется как L tg 28 = г<ш), (29.2) 136 Глава 29 Анализ методом электронной дифракции 137 где L — эффективное расстояние между образцом и фотографической пластинкой, 9 —угол дифракции, г(в«о — расстояние дифракционных точек от первичного пучка. Соотношение между г{Ниь которое дает эксперимент, и межплоскостным расстоянием (d Рис. 29.1. Образование изображения в электронном микроскопе [О: 439]. а—яркопольное изображение; б—электронная дифракция в больших углах; в — малоугловая электронная дифракция. / — электронная пушка; 2— первая конденсорная линза; 3—вторая конденсорная линза; 4—образец; 5—линза объектива; 6~ апертура объектива; 7—селекторная диафрагма; в—промежуточная линва; 9—проекционная линза; 19— флуоресцентный экран. можно получить путем сравнения с дифракционной картиной эталонного вещества, например LiF или TiCU, для которого известно расстояние между плоскостями кристаллической решетки. Обзорная литература: 14, 439. 29.3. ПРЕПАРИРОВАНИЕ ОБРАЗЦОВ ДЛЯ АНАЛИЗА МЕТОДОМ ЭЛЕКТРОННОЙ ДИФРАКЦИИ Оптимальной толщиной образцов для анализа методом электронной дифракции является неско |
[каталог] [статьи] [доска объявлений] [прайс-листы] [форум] [обратная связь] |
|
Введение в химию окружающей среды. Книга известных английских ученых раскрывает основные принципы химии окружающей
среды и их действие в локальных и глобальных масштабах. Важный аспект книги
заключается в раскрытии механизма действия природных геохимических процессов в
разных масштабах времени и влияния на них человеческой деятельности.
Показываются химический состав, происхождение и эволюция земной коры, океанов и
атмосферы. Детально рассматриваются процессы выветривания и их влияние на
химический состав осадочных образований, почв и поверхностных вод на континентах.
Для студентов и преподавателей факультетов биологии, географии и химии
университетов и преподавателей средних школ, а также для широкого круга
читателей.
Химия и технология редких и рассеянных элементов. Книга представляет собой учебное пособие по специальным курсам для студентов
химико-технологических вузов. В первой части изложены основы химии и технологии
лития, рубидия, цезия, бериллия, галлия, индия, таллия. Во
второй
части книги изложены основы химии и технологии скандия, натрия, лантана,
лантаноидов, германия, титана, циркония, гафния. В
третьей части книги изложены основы химии и технологии ванадия, ниобия,
тантала, селена, теллура, молибдена, вольфрама, рения. Наибольшее внимание
уделено свойствам соединений элементов, имеющих значение в технологии. В
технологии каждого элемента описаны важнейшие области применения, характеристика
рудного сырья и его обогащение, получение соединений из концентратов и отходов
производства, современные методы разделения и очистки элементов. Пособие
составлено по материалам, опубликованным из советской и зарубежной печати по
1972 год включительно.
|
|