химический каталог




Синтез минералов. Том 2

Автор Ю.М.Путилин, Ю.А.Белякова, В.П.Голенко и др

ием в расплавах: РО, В203, PbF2, BaO, BaF2, Fe203, V205 и Li2C03 при температурах 1373—1473 К. Указанному способу присущ ряд недостатков. Травление кристаллов проводится в тех же условиях, в которых выращиваются кристаллы методом из раствора в расплаве, что приводит наряду с процессом травления к некоторому перераспределению и перекристаллизации вещества на поверхности кристалла и соответственно к искажению результатов. Кроме того, в названных условиях поверхность обрабатываемого кристалла загрязняется компонентами растворителя за счет ионного обмена между кристаллом и расплавом. При извлечении из тра-вителя на обрабатываемую поверхность кристалла налипает расплав, что особенно проявляется при использовании барийсодержа-щих расплавов. При остывании на поверхности кристалла появляются сколы и микротрещины в местах контакта с застывшими каплями расплава, обусловленные различным тепловым расширением растворителя и кристалла. Остатки растворителя удаляются с помощью дополнительной технологической операции — кипячения в разбавленных кислотах.

Во ВНИИСИМСе разработан способ обработки кристаллов в расплаве смеси металлов, входящих в состав обрабатываемого кристалла при избытке одного из компонентов [27]. Травление осуществляется с изотермической выдержкой в течение 0,01—0,1 ч 222

Рис. 90. Фигуры травления на плоскости (100) кристаллов ИАГ (ув. 160)

в области температур на 1—5 К ниже температуры плавления кристалла и на 1—5 К выше температуры плавления смеси веществ. При таком способе обработки на поверхности кристалла не наблюдается механических повреждений и загрязнений, так как составы расплава и кристалла отличаются только соотношением компонентов. При погружении кристалла в расплав в указанных условиях происходит растворение части кристалла. Равномерность травления обеспечивается изотермической выдержкой кристалла в расплаве в течение 0,01—0,1 ч. Указанным способом можно обрабатывать кристаллические соединения, образующиеся в системах, диаграмма состояний которых близка приведенной на рис. 89, А, В и С —оксиды металлов, причем Л и С могут быть сами соединениями простых оксидов металлов. Тогда диаграмму состояний следует рассматривать как часть общей диаграммы состояний простых оксидов. Кроме кристаллического соединения В в расплаве смеси компонентов А я С могут обрабатываться также и кристаллы А, С.

Состав и температура плавления кристаллов А, В и С определяются соответственно точками а, с и е на рис. 89. Кривая abode является линией ликвидуса системы. Обработка кристалла А может производиться в области температур и составов расплава смесп компонентов Л и С, лежащей внутри замкнутой кривой abcdega. Область составов и температур расплава для обработки кристалла С ограничивается замкнутой кривой fecdef; для обработки кристалла В существуют две области составов и температур расплава, ограниченные кривыми hbch и cdic.

Диапазон составов и температур расплавов для обработки конкретных кристаллов определяется диаграммой состояний конкретной системы. В соответствии с диаграммой состояний системыY203 — A1203 расплав смеси Y203 ? г/А1203 в широком диапазоне составов имеет температуру плавления ниже температуры плавления граната. Эвтектика Y203 — ИАГ имеет температуру плавления 2138 К, эвтектика ИАГ — А1203 — температуру плавления 2033 К. Кристалл, помещенный в расплав шихты, в которой молярные доли Y203 и А203 составляют соответственно 10—51 и 49—90 % (кроме стехиометрии граната), при температуре ниже температуры плавления граната будет растворяться.

Экспериментально установлено, что наиболее качественная обработка поверхности и селективное травление ИАГ происходят в расплаве эвтектической смеси компонентов Y203 и А1203 при температурах 2103—2173 К. Время травления —от 5 с до 2 мин. Например, в расплав с соотношением Y203 : А|203= 1 : 3 при температуре 2103 К±50 К, давлении аргона (марки ОСЧ) в установке Р — - Ю5 Па, с частотой вращения и = 30 мин-1 и скоростью опускания 7 мм/мин погружен стержень ИАГ сечения 0,45х Х0.45 см2. Через 2 мин стержень со скоростью 70 мм/мин извлечен из расплава. На длине 1,4 см сечение стержня линейно изменилось от исходного до 0,36X0,36 см. Скорость травления составила 0,45 мм/мин; травление происходило равномерно по всей длине стержня. На всех четырех гранях образца наблюдается четкая граница травления поверхности в виде ступени от шероховатой раковистой поверхности к ровной с четкими фигурами селективного травления кристаллов в местах выхода дислокаций (рис. 90). Ямки травления имеют симметрию 4-го порядка. Таким же способом может быть выявлен и другой дефект, называемый гофрировкой соответствующей полосчатости, образование которой обусловливается кристаллизационным переохлаждением.

Оптимальные температуры травления кристаллов в расплаве смеси компонентов Л и С определяются эмпирически. Кристалл, предназначенный для травления, закрепляется на штоке, режим травления подбирается пробными погружениями нижней части кристалла в расплав. В случае переохлаждения расплава начинается

страница 87
< К СПИСКУ КНИГ > 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 100 101 102

Скачать книгу "Синтез минералов. Том 2" (3.08Mb)


[каталог]  [статьи]  [доска объявлений]  [прайс-листы]  [форум]  [обратная связь]

 

 

Реклама
блок фундаментный 5
сертификат на вентрешетки алюминиевые марка вр-к
правила получения медицинской справки для гибдд в 2015 году
unimax-r 850vel ec характеристики

Рекомендуемые книги

Введение в химию окружающей среды.

Книга известных английских ученых раскрывает основные принципы химии окружающей среды и их действие в локальных и глобальных масштабах. Важный аспект книги заключается в раскрытии механизма действия природных геохимических процессов в разных масштабах времени и влияния на них человеческой деятельности. Показываются химический состав, происхождение и эволюция земной коры, океанов и атмосферы. Детально рассматриваются процессы выветривания и их влияние на химический состав осадочных образований, почв и поверхностных вод на континентах. Для студентов и преподавателей факультетов биологии, географии и химии университетов и преподавателей средних школ, а также для широкого круга читателей.

Химия и технология редких и рассеянных элементов.

Книга представляет собой учебное пособие по специальным курсам для студентов химико-технологических вузов. В первой части изложены основы химии и технологии лития, рубидия, цезия, бериллия, галлия, индия, таллия. Во второй части книги изложены основы химии и технологии скандия, натрия, лантана, лантаноидов, германия, титана, циркония, гафния. В третьей части книги изложены основы химии и технологии ванадия, ниобия, тантала, селена, теллура, молибдена, вольфрама, рения. Наибольшее внимание уделено свойствам соединений элементов, имеющих значение в технологии. В технологии каждого элемента описаны важнейшие области применения, характеристика рудного сырья и его обогащение, получение соединений из концентратов и отходов производства, современные методы разделения и очистки элементов. Пособие составлено по материалам, опубликованным из советской и зарубежной печати по 1972 год включительно.

 

 



Рейтинг@Mail.ru Rambler's Top100

Copyright © 2001-2012
(24.07.2017)