химический каталог




Синтез минералов. Том 2

Автор Ю.М.Путилин, Ю.А.Белякова, В.П.Голенко и др

алла и тигля (>?к/#т). Кристаллы выращивались в направлении [100], [111] с постепенным расширением диаметра до /?к/йт = 0,4-7-0,5. Газовая среда в ростовой камере — азот, давление 1,5 • 105 Па. Полученные кристаллы разрезались на тонкие пластинки, перпендикулярные направлению роста, коРис. 85. Кристалл ИАГ, выращенный Т0РШ 3аТеМ дались поляривдоль оси [100] с минимальным зационно-оптическим методом,

«объемным» дефектом (ув. 3) По серии таких поперечных сре216

Таблица 58

Теплоотвод

Величина диаметра «объемного» дефекта d при различных углах наклона образующей конуса кристаллизации

QLMAX

Он Qui

1,1 1,6

1,5 3,4

3,0 4,0 2,3 4,5 3,0 2,7 3,0 4,3

45° 45 45 45 45 45 45 45 45 45 45 45

1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Номер кристалла

64°00'

59°00' 49 10 49 20 45 40

44 10

45 00

44 10

44 10

42 20

40 40

39 50

35 40

35°00'

Qvmin

Примечание: о -угол между осью роста кристалл» н нормалью к образующей

конуса кристаллизации; я{110) и - угль, между осью роста кристалла и нормалью

соответствующей граин.

8—12 характеризуют части кристаллов, выращенных в условиях Як/Яг>0,3 (до 0.5). При RJRT> >0,3 на фронте кристаллизации, кроме граней (110), появляются грани {211} и поперечный размер «объемного» дефекта увеличивается, что ведет к уменьшению объема оптически однородной части кристалла.

Кроме граней на фронте кристаллизации на боковой поверхности кристаллов также наблюдается развитие гранных форм. Так, например, по данным Ко-кейна и других исследователей, при выращивании кристаллов ИАГ в направлении [111] кристаллы ограняются с боков шестью гранями типа {211}, параллельными оси роста и придающими кристаллу гексагональную форму.

Проведены исследования зависимости степени развития граней на боковой поверхности кристаллов ИАГ от вертикальных температурных градиентов и ориентировки кристаллов. Использовались монокристаллические затравки, ориентированные по основным кристаллографическим направлениям с низкими индексами: [100], [110], [111]. Кристаллы выращивались на установке «Донец-3» из иридиевых тиглей /?т = 2,0 см в среде азота (P=l- 105 Па) и в условиях вакуума (Р= 1 • Ю-3 Па). Изменение условий теплоотвода осуществлялось различными вариантами экранирования тигля. Частота вращения кристалла о> = 20—30 мин-1, скорость вытягивания V = 3—5 мм/ч. В условиях максимальных температурных градиентов происходит наибольшее развитие граней на поверхности кристаллов (табл. 59, рис. 87). На поверхности конуса расширения кристалла, выращенного на затравку, ориентированную по оси [111], в условиях максимальных температурных градиентов развивается 12 граней. При переходе к заданному диаметру кристалла число граней уменьшается до шести (см. рис. 87).

В случае температурных флуктуации в процессе выращивания кристаллов наблюдается локальное появление гранных форм на боковой поверхности кристаллов. Согласно данным ряда исследователей, легирование монокристаллов различными примесями ведет к изменению их габитуса. В результате исследований влияния некоторых примесей на степень развития гранных форм поверхности кристаллов установлено, что введение в состав шихты V, Сг, 218

Со, Ga, Sc в количестве 0,01—3 % несущественно влияет на огра-нение кристаллов ИАГ; ноны Li1+ в количестве до 1 % уменьшают степень огранення кристаллов; примеси Be до 0,05 % и Mg до 0,5% способствуют развитию граней {ПО}. Более высокие концентрации указанных компонентов ведут к ухудшению оптической однородности кристаллов.

Изучение оптической однородности кристаллов ИАГ с различной степенью огранення поверхности показало, что плотность рассеивающих центров в кристаллах прямо пропорциональна развитию гранных форм.

Нестехиометрия расплава и травление кристаллов граната

Выращивание кристаллов ИАГ в условиях вакуума позволяет очищать расплав от легколетучих примесей, например примесей переходных элементов. Кроме того, в условиях вакуума расплав меньше загрязняется материалом конструктивных элементов кристаллизатора. Поэтому «вакуумные» кристаллы ИАГ характеризуются не только лучшей оптической однородностью, но и обладают более высокой радиационной стойкостью, чем кристаллы, выращенные в газовой среде. Однако в условиях вакуума в ростовой камере из расплава ИАГ испаряются также продукты диссоциации оксида алюминия, в результате чего происходит нарушение стехнометрического соотношения кристаллообразующих ионов в расплаве. Обеднение расплава ИАГ ионами кислорода приводит к появлению в структуре граната кислородных вакансий, которые образуют центры окраски (ЦО-2). Б. Кокейн показал, что даже незначительное отклонение состава расплава от стехиометриче219

ского значительно ухудшает светопропускание ИАГ. Нарушение стехиометрического соотношения компонентов существенно влияет и на сам процесс выращивания ИАГ: изменяется габитус кристалла, т. е. происходит изменение относительных скоростей роста кристалла по различным кристаллографическим направлениям; при выращивании из расплава на фронте кристаллизации наблюдается яч

страница 85
< К СПИСКУ КНИГ > 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 100 101 102

Скачать книгу "Синтез минералов. Том 2" (3.08Mb)


[каталог]  [статьи]  [доска объявлений]  [прайс-листы]  [форум]  [обратная связь]

 

 

Реклама
металлопрофиль клинцы купить профлист
насос циркуляции
duravit сантехника купить
деревянный душ для дачи

Рекомендуемые книги

Введение в химию окружающей среды.

Книга известных английских ученых раскрывает основные принципы химии окружающей среды и их действие в локальных и глобальных масштабах. Важный аспект книги заключается в раскрытии механизма действия природных геохимических процессов в разных масштабах времени и влияния на них человеческой деятельности. Показываются химический состав, происхождение и эволюция земной коры, океанов и атмосферы. Детально рассматриваются процессы выветривания и их влияние на химический состав осадочных образований, почв и поверхностных вод на континентах. Для студентов и преподавателей факультетов биологии, географии и химии университетов и преподавателей средних школ, а также для широкого круга читателей.

Химия и технология редких и рассеянных элементов.

Книга представляет собой учебное пособие по специальным курсам для студентов химико-технологических вузов. В первой части изложены основы химии и технологии лития, рубидия, цезия, бериллия, галлия, индия, таллия. Во второй части книги изложены основы химии и технологии скандия, натрия, лантана, лантаноидов, германия, титана, циркония, гафния. В третьей части книги изложены основы химии и технологии ванадия, ниобия, тантала, селена, теллура, молибдена, вольфрама, рения. Наибольшее внимание уделено свойствам соединений элементов, имеющих значение в технологии. В технологии каждого элемента описаны важнейшие области применения, характеристика рудного сырья и его обогащение, получение соединений из концентратов и отходов производства, современные методы разделения и очистки элементов. Пособие составлено по материалам, опубликованным из советской и зарубежной печати по 1972 год включительно.

 

 



Рейтинг@Mail.ru Rambler's Top100

Copyright © 2001-2012
(05.12.2016)