химический каталог




Синтез минералов. Том 2

Автор Ю.М.Путилин, Ю.А.Белякова, В.П.Голенко и др

ментальных исследований по использованию различных металлов, сплавов и других материалов для изготовления тиглей был найден сплав на основе молибдена, наиболее устойчивый к расплавам ИАГ в условиях вакуума. В спектрах оптического поглощения кристаллов граната, выращенных в тиглях из указанного сплава, и кристаллов, выращенных из иридиевых тиглей, имеется характерное отличие. В первом случае область прозрачности начинается с 0,28 мкм, во втором — с 0,24 мкм. По оптической однородности кристаллов видимой разницы не обнаружено.

Устойчивость любых молибденсодержащих тиглей к расплавам А1203 существенно хуже, чем к расплавам ИАГ. Это объясняется большим количеством кислорода, выделяющегося в результате диссоциации А1203. Проведенные опыты показали, что в условиях вакуума при Р = 2-10"3 Па и (~2050°С скорость испарения расплава оксида алюминия в 2—3 раза выше скорости испарения расплава граната.

Газообразные продукты диссоциации А1203 взаимодействуют также с теплоизолирующей керамикой из оксида иттрия, которая обычно размещается вокруг тигля. Это взаимодействие ведет к обогащению засыпки оксидом алюминия и образованию низкотемпературной эвтектики. Происходит расплавление засыпки, расплав стекает вниз и оголяет тигель, что ведет к неконтролируемому изменению температуры. 204

Для устранения указанного явления была разработана новая конструкция кристаллизатора (рис. 80). Тигель расположен в молибденовой трубе и не контактирует с засыпаемым оксидом иттрия. Малая (0,3—0,5 мм) толщина трубы делает ее полупрозрачной для высокочастотного электромагнитного поля и не затруд-, няет нагрев тигля. В то же время молибденовая труба служит дополнительным тепловым экраном, так как разогревается до высокой температуры. Продукты испарения расплава А1203 не доходят до теплоизолирующей засыпки из Y203, а конденсируются на трубе. Такая конструкция оказалась очень удобной для исследований физико-химических процессов в кристаллизаторе. Тигель с расплавом легко извлекается из кристаллизатора, на него не налипает засыпка. Появилась возможность количественно определять скорость испарения расплава из тигля, исследовать количество и состав осевших на тигель и молибденовую трубу продуктов испарения расплава. Здесь удачно соединились преимущества резистивного и индукционного нагревов. Повысилась производительность установки, так как .тигель извлекается и устанавливается в кристаллизатор без его разборки, уменьшился расход теплоизолирующей засыпки из У203, которая не взаимодействует с продуктами испарения расплава. Молибденовая труба на 40—50 мм выше верха тигля, в связи с чем она работает как отжиговая камера для выращиваемого кристалла.

Для выращивания кристаллов ИАГ использовались оксид иттрия марки ИтО-В, оксид алюминия марки для спектрального анализа или таблеты ИАГ марки И-1, оксиды редких земель (табл. 57).

Массовая доля примесей (в %, не более) в Y203 по ОСТ 48—208—81 (ИтО-В) составляет:0,3

0,0005 0,0001 0,0005 0,0001 0,0015

П. 1

Fe

In

Cd

Ca

Siio- Co

1 io-» Si

— Mn

1 10"» Си

1 io-» Na

5 io-» Ni

5 io-» Ti

5 io-» S

2 io-» P

2 io-4 CI

5 io- Cr

5 io-

Массовая доля примесей (в %, не более) в А1203 по ТУ 6—09—98—76 (для спектрального анализа) составляет:

Mn 0,00005

Cu 0,00005

Na 0,001

Sn 0,0005

Pb 0,0005

Ag 0,0005

Mg 0,0005

Массовая доля некоторых примесей (в %, не более) в шихте ИАГ марки И-1 по ТУ 6—09—26—254—77 (данные взяты из сопроводительных паспортов на шихту) составляет: Si 3 • 10—3; Fe 6-Ю-4; Mg 6-10-4; Pb 5-10-"; Cr 1 ? 10~3 (фактическое содержание Сг в шихте <5- 10- %).

Смесь оксидов состава, стехиометрического составу граната, сплавлялась гарниссажным методом. Для стартового плавления использовались металлический иттрий марки Ит М-Д или металлический алюминий квалификации ОСЧ.

Технология приготовления шихты ИАГ этим методом описана В предыдущей главе.

Дефекты в кристаллах граната

Основное требование, предъявляемое к кристаллам, используемым в квантовой электронике,— это высокая оптическая однородность. Вопросам изучения оптической однородности и путей устранения или уменьшения дефектов кристаллов ИАГ, выращенных методом Чохральского, посвящено много работ как экспериментальных, так и теоретических.

В кристаллах ИАГ, выращенных методом Чохральского, наблюдаются дефекты, присущие кристаллам, выращенным другими методами (трещины, включения посторонних твердых фаз, продуктов диссоциации оксида алюминия, границы блоков дислокации и другие), а также специфические данному методу дефекты: («объемный» дефект и поперечная полосчатость). Растрескивание кристаллов, обусловливаемое высокими термическими напряжениями, может быть предотвращено уменьшением осевого температурного градиента путем экранирования кристалла сверху.Газовые включения образуются в основном в результате диссоциации оксида алюминия на газообразные продукты и последующего захвата их растущим кристаллом. Вероятная динамика процесса захвата таких включений детально исследована.

Твер

страница 80
< К СПИСКУ КНИГ > 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 100 101 102

Скачать книгу "Синтез минералов. Том 2" (3.08Mb)


[каталог]  [статьи]  [доска объявлений]  [прайс-листы]  [форум]  [обратная связь]

 

 

Реклама
бф где реально помогают детям с дцп
сименс рлу 210 инструкция
верстак столярный 1470*770*850
Компьютерная техника в КНС Нева - Моноблок Acer Aspire C20-220 - КНС СПБ - мы дорожим каждым клиентом!

Рекомендуемые книги

Введение в химию окружающей среды.

Книга известных английских ученых раскрывает основные принципы химии окружающей среды и их действие в локальных и глобальных масштабах. Важный аспект книги заключается в раскрытии механизма действия природных геохимических процессов в разных масштабах времени и влияния на них человеческой деятельности. Показываются химический состав, происхождение и эволюция земной коры, океанов и атмосферы. Детально рассматриваются процессы выветривания и их влияние на химический состав осадочных образований, почв и поверхностных вод на континентах. Для студентов и преподавателей факультетов биологии, географии и химии университетов и преподавателей средних школ, а также для широкого круга читателей.

Химия и технология редких и рассеянных элементов.

Книга представляет собой учебное пособие по специальным курсам для студентов химико-технологических вузов. В первой части изложены основы химии и технологии лития, рубидия, цезия, бериллия, галлия, индия, таллия. Во второй части книги изложены основы химии и технологии скандия, натрия, лантана, лантаноидов, германия, титана, циркония, гафния. В третьей части книги изложены основы химии и технологии ванадия, ниобия, тантала, селена, теллура, молибдена, вольфрама, рения. Наибольшее внимание уделено свойствам соединений элементов, имеющих значение в технологии. В технологии каждого элемента описаны важнейшие области применения, характеристика рудного сырья и его обогащение, получение соединений из концентратов и отходов производства, современные методы разделения и очистки элементов. Пособие составлено по материалам, опубликованным из советской и зарубежной печати по 1972 год включительно.

 

 



Рейтинг@Mail.ru Rambler's Top100

Copyright © 2001-2012
(24.06.2017)