химический каталог




Синтез минералов. Том 2

Автор Ю.М.Путилин, Ю.А.Белякова, В.П.Голенко и др

Б/ /(см .ГГц).

В ИРЭ АН исследовано поглощение АВ при комнатной температуре в выращенных во ВНИИСИМСе монокристаллах Y3-xTRxAl60i2, где TR от Gd до Lu; х — от 0,05 до 0,3 (в некоторых случаях до 3). Измерения проводились в основном на частоте 2,5 ГГц, поскольку на этой частоте малы диффракционные потери и эффективные потери за счет непараллельности торцов образца.

Проведенными исследованиями установлена зависимость поглощения от содержания примесей. При этом выявился нелинейный характер этой зависимости: наименьшее поглощение продольных АВ характерно для составов с содержанием какого-либо из TR (Dy, Ег, Т) около 0,2 формульной единицы; для тулия этот минимум приходится на концентрации 0,15—0,2, а для Qd, Yb и Lu минимум охватывает область составов от х = 0,2—0,3 до х = 0,9—1 (рис. 72).

Установлена также зависимость поглощения АВ в кристаллах ИАГ от рода легирующей примеси. Для сравнения были взяты кристаллы ИАГ с содержанием TR х=0,2 формульной единицы, для которых характерно минимальное поглощение АВ. Просле-194 жена некоторая тенденция уменьшения поглощения АВ к концу ряда TR, т. е. с увеличением атомного номера элемента (рис. 73). В отличие от этих данных, поглощение АВ при азотной температуре не имеет такой зависимости от рода легирующей примеси.

Затухание АВ в кристалле Y2,sYbo,2AlsOi2 с увеличением температуры возрастает более заметно, чем в кристаллах ИАГ, легированных Dy и Тш (рис. 74).

В целом можно сделать вывод, что в исследованном диапазоне температур, вплоть до комнатной, минимальным затуханием АВ характеризуются кристаллы ИАГ с Yb и Lu.

Изучено влияние примеси лютеция в монокристаллах ИАГ на скорость звука [30]. Измерения скорости звука проводились на образцах, ориентированных по основным кристаллографическим направлениям. Возбуждение звука частоты 2,5 ГГц осуществлялось с помощью текстурированных пленок из оксида цинка, погрешность измерений составляла ±0,02- 105 см/с.

Концентрация лютеция в кристаллах оценивалась по плотности и параметрам решетки. Результаты измерения скорости продольной волны в направлении [110] и теоретическая зависимость скорости продольных волн в предположении независимости упругих постоянных кристалла от концентрации лютеция хорошо согласуются (рис. 75). Расхождение в упругих постоянных чистых иттриевого и лютециевого гранатов составляет ~3%. Аналогичные данные получены и для волн сдвиговой поляризации.

Изучены спектры неупругого рассеяния медленных нейтронов в твердом растворе Уз-^Еи^АЦО^, особенности которых коррели-руются с изменением поглощения АВ в системе Y—Lu гранатов. [30].

13 195Электрические свойства монокристаллов иттрий-алюминиевых гранатов. Высокой чувствительностью к физическим и химическим неоднородностям в кристаллах, к точечным и линейным дефектам при условии их электрической активности обладают электрические характеристики: удельная, относительная диэлектрическая постоянная е, и их функциональные зависимости от температуры. Перечисленные свойства изучались во ВНИИСИМСе [36]. С целью измерения электрических свойств кристаллов граната образцы подвергались металлизации платиной катодным распылением на установке УВР-2. Измерение удельного сопротивления осуществлялось методом Бронсона с использованием электрического усилителя ВК2-16 и лабораторной измерительной ячейки.

Зависимости удельного сопротивления (р) различных кристаллов граната от температуры сходны (рнс. 76). Это позволяет утверждать, что температурные измерения не связаны с составом, а обусловливаются дефектами. Зависимость р (Г) при первом нагревании образцов не является экспоненциальной: она осложнена аномальными областями 350— 500 и 750—900 К, в которых происходит резкое уменьшение р, а иногда инверсия знака. Такие эффекты в диэлектриках и полупроводниках вызываются явлениями захвата носителей на ловушечные уровни. Экспериментально доказано, что одним из основных механизмов захвата неравновесных носителей в полупроводниках при низких температурах (комнатной и ниже) является захват на дефектные уровни, создаваемые дислокациями.

Центрами захвата в температурной области 750—950 К, вероятно, являются вакансии по кислороду. Основанием для такой 196 трактовки является, во-первых, возрастание подвижности вакансий в диэлектрических кристаллах в интервале 750—900 К [17], во-вторых, весовой недостаток кислорода (до 0,2 %) в кристаллах ИАГ, устанавливаемый по результатам термографических исследований.

Зависимость р (Т) после отжига представляет собой «классическую» экспоненту с показателем 1,0±0,1 для всех образцов, на которую не накладываются участки аномального изменения р. Это свидетельствует как будто о том. что под влиянием термического отжига происходит упорядочение структуры: «нейтрализация» акцепторных уровней захвата, связанных с дислокациями и вакансиями. Однако такое упорядочение обратимо: по прошествии определенного времени первоначальный ход кривых р (Т) восстанавливается. Эта закономерность представляется крайне интересной, расшифровка физической сущности обнаруженно

страница 76
< К СПИСКУ КНИГ > 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 100 101 102

Скачать книгу "Синтез минералов. Том 2" (3.08Mb)


[каталог]  [статьи]  [доска объявлений]  [прайс-листы]  [форум]  [обратная связь]

 

 

Реклама
купить плитку в ванную
подарки на день чекиста
сковорода jamie oliver
курсы для управляющей компании

Рекомендуемые книги

Введение в химию окружающей среды.

Книга известных английских ученых раскрывает основные принципы химии окружающей среды и их действие в локальных и глобальных масштабах. Важный аспект книги заключается в раскрытии механизма действия природных геохимических процессов в разных масштабах времени и влияния на них человеческой деятельности. Показываются химический состав, происхождение и эволюция земной коры, океанов и атмосферы. Детально рассматриваются процессы выветривания и их влияние на химический состав осадочных образований, почв и поверхностных вод на континентах. Для студентов и преподавателей факультетов биологии, географии и химии университетов и преподавателей средних школ, а также для широкого круга читателей.

Химия и технология редких и рассеянных элементов.

Книга представляет собой учебное пособие по специальным курсам для студентов химико-технологических вузов. В первой части изложены основы химии и технологии лития, рубидия, цезия, бериллия, галлия, индия, таллия. Во второй части книги изложены основы химии и технологии скандия, натрия, лантана, лантаноидов, германия, титана, циркония, гафния. В третьей части книги изложены основы химии и технологии ванадия, ниобия, тантала, селена, теллура, молибдена, вольфрама, рения. Наибольшее внимание уделено свойствам соединений элементов, имеющих значение в технологии. В технологии каждого элемента описаны важнейшие области применения, характеристика рудного сырья и его обогащение, получение соединений из концентратов и отходов производства, современные методы разделения и очистки элементов. Пособие составлено по материалам, опубликованным из советской и зарубежной печати по 1972 год включительно.

 

 



Рейтинг@Mail.ru Rambler's Top100

Copyright © 2001-2012
(04.12.2016)