химический каталог




Синтез минералов. Том 2

Автор Ю.М.Путилин, Ю.А.Белякова, В.П.Голенко и др

p>1.1996 5,524 1,847

1.1993 5,795 1,850

1.1987 6,094 1,854

1,1984 6,397 1,857

1,2009 4,662 1,837

1,2010 4,717 1,838

1,2012 4,827 1,840

1,2018 5,101 1,846

1.2024 5,374 1,851

1,2029 5,648 1,857

1,2035 5,922 1,862

1,2041 6,196 1,868

1,2004 4,624 1,835

1.2002 4,660 1,835

1,2001 4,695 ? 1,835

1,1998 4,766 1,836

1,1992 4,908 1,836

1,1989 4,980 1,836

1,1977 5.264 1,837

1,1958 5,712 1,839

1.1946 5.975 1,840

1,1931 6,330 1,841

1,1914 6,686 1,842

Рис. 68. Схема установки для проверки удельного затухания упругих волн в образце граната: 1 — высокочастотный генератор; 2 — генератор запуска; 3 — коаксиальный тройник; 4 — образец ИАГ; 5 — высокочастотный приемник с аттенюатором; в"— осциллограф

щин, включений и других дефектов. Толщина образца 0,4 см, ширина 0,4 см, длина 1,0—1,2 см, ориентировка вдоль одной из главных осей решетки кубического кристалла [ПО] или [111]. Точность ориентированной резки монокристаллов ±0,3°. (Отклонение геометрической оси образца от кристаллографической оси кристалла, по данным Е. Гейтса, ведет к эффективному поглощению ультразвука). Торцовые грани образцов полировались по оптическим стандартам. Непараллельность их не хуже 4". Контроль параллельности осуществлялся с помощью гониометра ГС5. Эффективное поглощение АВ за счет непараллельности торцов образцов не превышает 0,1 дБ/см.

Акустические волны вводятся в исследуемый кристалл с помощью электроакустических преобразователей на основе тексту-рированных пьезоэлектрических пленок из сульфида кадмия или оксида цинка. Пленки CdS осаждались в вакууме 7- Ю-4 Па с помощью атомно-молекулярного пучка с предварительно нанесенным подслоем из алюминия.

Экспериментальное исследование поглощения акустических волн диапазона СВЧ осуществлялось с помощью лабораторных установок, позволяющих проводить измерения на частотах 9,4 и 1—4 ГГц при температуре жидкого гелия до комнатной (рис. 68). Оценка потерь на расхождение звукового пучка при диаметре излучателя —0,1 см составляет величину не большую 0,1 дБ/см в экспериментах на частоте 2,5 ГГц. Зависимость эффективного поглощения АВ за счет разориентации образцов на частоте 2,5 ГГц составляла порядка 0,2 дБ/К. Оценивались потери за счет поглощения звука в пленочном преобразователе и другие. Суммарная ошибка измерений изменений уровня мощности СВЧ равна —0,5 дБ.

С целью выяснения механизма поглощения АВ в монокристаллах граната проведено исследование зависимости поглощения АВ от изменения температуры от 4,2 до 78 К и частоты в диапазоне от 1 до 9,4 ГГц в монокристаллах ИАГ, легированных 192 ос, дБ/см0,05

у

0 20 40 60 80 100 Мол д,оля Lu,%

Рис. 70. Зависимость времени релаксации тепловых фононов в кристаллах Ys->LuAliOiz(x<3) от концентрации Lu [25]

TR, составов: Y3-.TTR.vA150,2, где TR — Gd, Dy, Er, Tm, Yb, Lu, x= = 0,05—0,3. Исследование образцов ИАГ с Dy, Er, Tm в указанном интервале температур позволило установить существование максимумов на кривой поглощения АВ, положение которых зависит от частоты АВ. Величина поглощения АВ в области максимумов превышает величины поглощения в чистом ИАГ и в ИАГ, легированном Gd, Yb, Lu.

Изучена зависимость поглощения АВ на частоте 2,5 ГГц при температурах 4,2—78 К от концентрации. Установлено, что с повышением концентрации Dy, Er в гранате величина поглощения увеличивается (рис. 69). В кристаллах ИАГ с лютецием при Т 40 К и частоте 2,5 ГГц имеет место минимум на кривой концентрационной зависимости затухания АВ (рис. 70).

Поглощение АВ в гранатах с лютецием при низких температурах для разных частот характеризуется рядом особенностей, главной из которых является четко выраженный переход от квадратичной к линейной зависимости от частоты (см. рис. 70, 71). Отметим, что характер частотной зависимости для гранатов указанных составов качественно согласуется с характером соответствующей теоретической кривой.

На примере кристаллов граната с лютецием было изучено влияние высокотемпературного отжига на поглощение АВ. Известно, что отжиг кристаллов уменьшает внутренние напряжения и устраняет некоторые дефекты в структуре, которые в свою очередь могут повлиять на акустические характеристики граната. Измерено затухание АВ в неотожженных образцах ИАГ состава (Yi_iLuI)3Al50i2 и в образцах после отжига. Термический отжиг

13 Заказ № 270 ^

кристаллов проводился в специальной термокамере на воздухе при температуре 1000 К со скоростью нагрева гк10°С/ч и скоростью охлаждения в =3— 5°С/ч. Установлено, что отжиг при указанных температурах не оказывает влияния на величину поглощения АВ. Можно предположить, что дефекты типа дислокаций и кислородных вакансий, обычно устраняемых отжигом, не вносят заметного вклада в рассеяние тепловых фононов, ответственного за поглощение АВ [14].

Поглощение АВ в кристаллах ИАГ без примесей при комнатной температуре изучалось многими исследователями. По данным Л. М. Беляева, затухание продольных волн в лучших кристаллах ИАГ пропорционально квадрату частоты и составляет 0,35 д

страница 75
< К СПИСКУ КНИГ > 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 100 101 102

Скачать книгу "Синтез минералов. Том 2" (3.08Mb)


[каталог]  [статьи]  [доска объявлений]  [прайс-листы]  [форум]  [обратная связь]

 

 

Реклама
кресло ch 993 low v
урна у-3 металлическая

Рекомендуемые книги

Введение в химию окружающей среды.

Книга известных английских ученых раскрывает основные принципы химии окружающей среды и их действие в локальных и глобальных масштабах. Важный аспект книги заключается в раскрытии механизма действия природных геохимических процессов в разных масштабах времени и влияния на них человеческой деятельности. Показываются химический состав, происхождение и эволюция земной коры, океанов и атмосферы. Детально рассматриваются процессы выветривания и их влияние на химический состав осадочных образований, почв и поверхностных вод на континентах. Для студентов и преподавателей факультетов биологии, географии и химии университетов и преподавателей средних школ, а также для широкого круга читателей.

Химия и технология редких и рассеянных элементов.

Книга представляет собой учебное пособие по специальным курсам для студентов химико-технологических вузов. В первой части изложены основы химии и технологии лития, рубидия, цезия, бериллия, галлия, индия, таллия. Во второй части книги изложены основы химии и технологии скандия, натрия, лантана, лантаноидов, германия, титана, циркония, гафния. В третьей части книги изложены основы химии и технологии ванадия, ниобия, тантала, селена, теллура, молибдена, вольфрама, рения. Наибольшее внимание уделено свойствам соединений элементов, имеющих значение в технологии. В технологии каждого элемента описаны важнейшие области применения, характеристика рудного сырья и его обогащение, получение соединений из концентратов и отходов производства, современные методы разделения и очистки элементов. Пособие составлено по материалам, опубликованным из советской и зарубежной печати по 1972 год включительно.

 

 



Рейтинг@Mail.ru Rambler's Top100

Copyright © 2001-2012
(30.04.2017)