химический каталог




Синтез минералов. Том 2

Автор Ю.М.Путилин, Ю.А.Белякова, В.П.Голенко и др

ная черта энергетических схем ионов TR2+ — относительно низкое расположение термов смешанных конфигураций, обусловленных слабостью связи добавочного 4/-электрона. В результате этого в оптических спектрах, наряду с вышерассмот-ренными типичными для редких земель запрещенными переходами в пределах конфигурации 4/\ проявляются переходы в смешанные конфигурации 4fk~,5d и т. п. [19]. Эти переходы разрешены правилом Д/ = —11 и проявляются в виде широких интенсивных полос поглощения в относительно длинноволновой области спектра.Переходы /—d детально изучены в соединениях MeF2 А. А. Каплянским. Данных по активаторным центрам Еи2+ и Yb2+ В кристаллах Y3AUO12 найти не удалось. По-видимому, такие центры впервые реализованы при выращивании монокристаллов граната с названными ионами.

Спектры оптического поглощения, обусловленного TR2+-HONAMH, имеют универсальный характер для всех кристаллических основ. Аналогично кристаллам, изученным В. В. Овсянкиным, А. А. Каплянским и М. В. Ерёминым, в спектрах Y3AI5O12, активированных Еи2+, и Yb2+, наблюдаются широкие полосы,- 380 и 550 нм для Еиг+, 390 и 650 нм для Yb2+. Как видно из сравнения спектров, силы осцилляторов для этих полос превышают силы осцилляторов для запрещенных переходов 4/—4/. Положение полос \—d в Y3AI5O12 отличается от такового в MeF2 на 100—1000 см-1. Эти переходы могут быть приписаны межконфигурационным переходам 4/7—4/6(7F)5d и 4f14—4f(2F)5d из основных состояний 8S7/2(Eu2i) и 'S0(Yb2+) на два расщепленных 5с(-уровня /- и /-типа. Величина кристаллического расщепления составляет 10 см~', т. е, превышает спинорбитальное, и заставляет рассматривать задачу в приближении сильного кристаллического поля. Из-за неизбежной политипии структуры активаторных центров в различной степени окисления (В одной кристаллической основе) однозначного вывода о локальной симметрии центров Еи2+ и Yb2+ на данном этапе не может быть сделано без дополнительных исследований.

Дефекты в кристаллах ИАГ. Кристаллы ИАГ различного состава, выращенные методом ГНК, обладают несколькими типами характерных дефектов, снижающих их качества: 1) включениями посторонних твердых фаз; 2) остаточными напряжениями и связанной с ними трещиноватостью; 3) блочной структурой; 4) поперечной ростовой полосчатостью; 5) неоднородным распределением примесей по длине кристалла.

Часть этих дефектов может быть устранена в результате контроля за условиями роста, качественным подбором исходных компонентов, соблюдением стехиометрии исходного расплава и рядом других технологических приемов.

В качестве посторонних фаз в кристаллах ИАГ наблюдаются включения а-корунда или алюмината иттрия, связанные с нарушениями стехиометрии расплава. Даже при строгом соблюдении всех предосторожностей при смешивании порошкообразных исходных компонентов невозможно добиться их точного стехиометрического соотношения в шихте (Y203: А1203 = 3 : 5). Расплав всегда содержит незначительный избыток одного из компонентов. Кроме того, в условиях вакуума с зеркала расплава всегда происходит активное испарение составляющих компонентов. Вследствие различия упругости паров Y2O3 и А120з испарение последнего более интенсивно, и в расплаве образуется дефицит по алюминию. Этому же способствует и термическая диссоциация А1203 при высоких температурах. Для компенсации потерь А1203 в шихту преднамеренно вводится избыток AI2O3, величина которого определяется

183 эмпирически и не является достоверной. Избыток оксида алюминия выделяется из расплава в виде взвеси, представленной а-ко-рундом, сравнительно равномерно распределенной по высоте хвостовой части кристалла.

Недостаток оксида алюминия приводит к образованию алюмината иттрия.

Очень редко в гранате наблюдается твердая фаза оксида иттрия. Она была обнаружена в кристаллах ИАГ, активированных трехвалентным европием, при изучении электронно-колебательных спектров иона Еи3+.

Включения металлического молибдена и вольфрама образуются в кристаллах, полученных в условиях недостаточно глубокого вакуума.

• При предварительном сплавлении шихты на участки поликристалла, находящиеся вне зоны нагрева, интенсивно напыляется металл. На стадии плавления хлопья металла опускаются на дно расплава и концентрируются в подошве кристалла. Как правило, такие включения становятся центрами, от которых расходятся трещины в виде радиальных лучей и концентрических окружностей. Значительное различие в коэффициентах термического расширения граната и металлов обусловливает возникновение в кристалле больших напряжений и, как следствие, трещинообразо-вание.

Усилению напряжений способствуют различия в коэффициентах термического расширения молибденового контейнера и кристалла, а также неравномерность его охлаждения за счет тепло-отвода через контейнер и сквозь массу прозрачного для инфракрасных лучей кристалла. Неравномерность распределения температур по кристаллу вызывает неодинаковое тепловое расширение различных его участков, их упругое взаимодействие и, как следствие, возникновение в кристалле напряжений. Неравномерность

страница 71
< К СПИСКУ КНИГ > 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 100 101 102

Скачать книгу "Синтез минералов. Том 2" (3.08Mb)


[каталог]  [статьи]  [доска объявлений]  [прайс-листы]  [форум]  [обратная связь]

 

 

Реклама
Продажа элитных квартир и апартаментов в жилом комплексе Кристалл Хаус
блоки управления acet 30-1r0
обучить установщика бытовых кондиционеров
монтажные схемы шкафов вентиляционных систем

Рекомендуемые книги

Введение в химию окружающей среды.

Книга известных английских ученых раскрывает основные принципы химии окружающей среды и их действие в локальных и глобальных масштабах. Важный аспект книги заключается в раскрытии механизма действия природных геохимических процессов в разных масштабах времени и влияния на них человеческой деятельности. Показываются химический состав, происхождение и эволюция земной коры, океанов и атмосферы. Детально рассматриваются процессы выветривания и их влияние на химический состав осадочных образований, почв и поверхностных вод на континентах. Для студентов и преподавателей факультетов биологии, географии и химии университетов и преподавателей средних школ, а также для широкого круга читателей.

Химия и технология редких и рассеянных элементов.

Книга представляет собой учебное пособие по специальным курсам для студентов химико-технологических вузов. В первой части изложены основы химии и технологии лития, рубидия, цезия, бериллия, галлия, индия, таллия. Во второй части книги изложены основы химии и технологии скандия, натрия, лантана, лантаноидов, германия, титана, циркония, гафния. В третьей части книги изложены основы химии и технологии ванадия, ниобия, тантала, селена, теллура, молибдена, вольфрама, рения. Наибольшее внимание уделено свойствам соединений элементов, имеющих значение в технологии. В технологии каждого элемента описаны важнейшие области применения, характеристика рудного сырья и его обогащение, получение соединений из концентратов и отходов производства, современные методы разделения и очистки элементов. Пособие составлено по материалам, опубликованным из советской и зарубежной печати по 1972 год включительно.

 

 



Рейтинг@Mail.ru Rambler's Top100

Copyright © 2001-2012
(26.02.2017)