химический каталог




Синтез минералов. Том 2

Автор Ю.М.Путилин, Ю.А.Белякова, В.П.Голенко и др

ного приемника установки протираются ацетоном, а вакуумные прокладки — спиртом. Лодочка проверяется на отсутствие трещин путем заполнения ее ацетоном или спиртом. Перед включением нагревателя проводится проверка на отсутствие короткого замыкания между корпусом и то-ковводами.

При длительной работе нагреватель, волокуша и корыто деформируются, что мешает движению лодочки через зону нагрева. Правка корыта проводится путем нагрева его в пламени газовой горелки до темно-красного каления и последующего сжатия его двумя пластинами. 178

Правка нагревателя осуществляется в установке под передвижной вытяжной вентиляцией. При поднятом колпаке и отсутствии экранов вольфрамовый нагреватель доводится до белого свечения, затем система нагрева выключается и с помощью специальных крюков форма нагревателя быстро исправляется. Для удаления с поверхности нагревателя образовавшихся на воздухе оксидов вольфрама проводится отжиг его при полном сборе «домика» в условиях глубокого вакуума в течение 3 ч путем пропускания тока 700 А, 15 В.

Один из главных дефектов выращиваемых кристаллов — нормальное механическое напряжение, которое вызывается неоднородностью температурного поля во время роста (термоупругие напряжения) и дефектами реальной структуры кристалла: макро-и микровключениями, дислокациями, неравномерным распределением примеси и др. [4]. Для уменьшения термоупругих напряжений необходимо уменьшение величин температурных градиентов в зоне роста и охлаждения кристалла, достижение возможно более вертикального положения изотерм и их приближения к плоскому виду и пр. [40]. С целью уменьшения горизонтальных температурных градиентов в кристалле в условиях ГНК с боков и торцов лодочки в корыто помещаются кассеты из молибденовых экранов. Приближение формы изотермы к плоской достигается за счет того, что под лодочку укладывается молибденовая проволока.

Напряжения в кристалле создаются в стадии охлаждения также из-за большой (в 2,5 раза) разности коэффициентов теплового расширения кристалла и лодочки. В связи с сильным сцеплением кристалла с лодочкой первый при охлаждении испытывает растягивающие усилия. Уменьшению величины этих усилий на единицу площади способствует увеличение объема кристалла и уменьшение толщины молибденового листа, идущего на изготовление лодочек.

Для частичного снятия остаточных термоупругих напряжений в кристалле лодочка с кристаллом после окончания кристаллизации медленно вводится обратно в ростовую камеру по центру нагревателя и здесь охлаждается.

Величина внутренних напряжений в монокристаллах граната во многом зависит от скорости охлаждения. Опыт работы показал, что наиболее оптимальная скорость охлаждения 80 К/ч. При большей скорости величина внутренних напряжений значительно увеличивается, меньшие скорости охлаждения не ведут к существенному снижению величины внутренних напряжений, зато удлиняют цикл кристаллизации, снижая производительность установки.

Для установки СГВК разработан следующий наиболее оптимальный режим цикла выращивания ИАГ с эрбием при вакуумной технологии (рис. 64): 1) создание в камере вакуума не менее

0,01 Па; 2) подъем температуры в камере путем повышения полной мощности нагревателя до 22 кВт; 3) сплавление шихты на

скорости 80 мм/ч; 4) кристаллизация на скорости 8 мм/ч с одновременным увеличением полной мощности от 22 до 24 кВт; 5) сни12 179

жение температуры путем уменьшения полной мощности с 24 до 18 кВт; 6) ускоренное снижение полной мощности с 18 кВт до 0.

На пятом этапе после снижения температуры нагревателя лодочка с кристаллом возвращается в зону нагрева и устанавливается по центру нагревателя.

Выращенные по указанной технологии лучшие монокристаллы граната имеют напряжения, соответствующие значениям 5,2—5,8 МПа. Повторный нагрев кристаллов до температуры 900 К с последующим охлаждением со скоростью 2 К/мин позволяет уменьшить величину напряжений до 3,2 МПа. Повышенный спрос на ювелирные камни зеленого цвета вызвал необходимость разработки технологии выращивания зеленых монокристаллов ИАГ. Известно, что ИАГ зеленого цвета можно получить изоморфным замещением ионов А13+ ионами хрома или ванадия.

В связи с высокой упругостью паров Сг203 и V203 (0,1 — 0,001 Па) выращивание кристаллов граната, активированного указанными оксидами, обычно ведется под давлением. Конструкция установок СГВК, «Сапфир» позволяет вести процесс выращивания в атмосфере инертного газа до 1 кПа. Основные особенности технологии выращивания монокристаллов ИАГ с хромом в аргоно-водородной среде, в отличие от вышерассмотренной технологии выращивания розового граната, заключаются в том, что процесс кристаллизации граната ведется в атмосфере аргон + водород (9: 1) при давлении около 140 кПа. Камера наполняется указанной газовой смесью следующим образом. При вакууме порядка 0,001 Па рабочая камера заполняется аргоном до —80 кПа. Затем напуском водорода давление поднимается до —90 кПа и далее аргона — до 100 кПа. При подъеме температуры давление газа в камере возрастает. При повышении давления

страница 69
< К СПИСКУ КНИГ > 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 100 101 102

Скачать книгу "Синтез минералов. Том 2" (3.08Mb)


[каталог]  [статьи]  [доска объявлений]  [прайс-листы]  [форум]  [обратная связь]

 

 

Реклама
плитка фасадная simple brown
рихтовка крыла без покраски киров
размер файля для банера 2х1 м
концертная афиша центрального дома ученых наянварь 2017 г.

Рекомендуемые книги

Введение в химию окружающей среды.

Книга известных английских ученых раскрывает основные принципы химии окружающей среды и их действие в локальных и глобальных масштабах. Важный аспект книги заключается в раскрытии механизма действия природных геохимических процессов в разных масштабах времени и влияния на них человеческой деятельности. Показываются химический состав, происхождение и эволюция земной коры, океанов и атмосферы. Детально рассматриваются процессы выветривания и их влияние на химический состав осадочных образований, почв и поверхностных вод на континентах. Для студентов и преподавателей факультетов биологии, географии и химии университетов и преподавателей средних школ, а также для широкого круга читателей.

Химия и технология редких и рассеянных элементов.

Книга представляет собой учебное пособие по специальным курсам для студентов химико-технологических вузов. В первой части изложены основы химии и технологии лития, рубидия, цезия, бериллия, галлия, индия, таллия. Во второй части книги изложены основы химии и технологии скандия, натрия, лантана, лантаноидов, германия, титана, циркония, гафния. В третьей части книги изложены основы химии и технологии ванадия, ниобия, тантала, селена, теллура, молибдена, вольфрама, рения. Наибольшее внимание уделено свойствам соединений элементов, имеющих значение в технологии. В технологии каждого элемента описаны важнейшие области применения, характеристика рудного сырья и его обогащение, получение соединений из концентратов и отходов производства, современные методы разделения и очистки элементов. Пособие составлено по материалам, опубликованным из советской и зарубежной печати по 1972 год включительно.

 

 



Рейтинг@Mail.ru Rambler's Top100

Copyright © 2001-2012
(09.12.2016)