химический каталог




Синтез минералов. Том 2

Автор Ю.М.Путилин, Ю.А.Белякова, В.П.Голенко и др

ступенями, зубцами и кинематическими волнами плотности ступеней. Форма ступеней зависит не только от местных условий роста, но и от ориентации грани. Например, для направления [110] характерен рост трапециевидными зубцами. Рост огранен-42

ными ступенями происходит в относительно равновесных условиях, при нарушении которых образуются кинематические волны плотности элементарных ступеней с плавной формой фронта кристаллизации. Наличие на фронте кристаллизации резкого градиента температуры или концентрации может привести к локальному образованию выступов, значительно опережающих основной фронт роста (рис. 18). Рост в плоскости (001) посредством зубцов и выступов способствует образованию различных включений, расположенных во входящих углах роста, в изолированных каналах и перекрытых сверху слоями поздней генерации.

Дефекты в кристаллах

Для кристаллов фторфлогопита, выращенных из расплава, характерна высокая дефектность. Многочисленные дефекты обусловлены как условиями кристаллизации, так и самой структурой слюды. Небольшие количества некоторых изоморфных элементов, содержащихся в компонентах шихты, влияют не только на свойства слюды, но и на свойства и кристаллизационную способность расплава. Например, ухудшение качества кристаллов и уменьшение их размеров происходят при наличии в расплаве натрия; в присутствии бария улучшается дифференциация кристаллов слюды от примесей и увеличивается их толщина. Изоморфные замещения— важный фактор практического управления не только свойствами получаемых кристаллов слюды, но и собственно процессом кристаллизации расплава с целью выращивания крупных монокристаллов. В то же время при кристаллизации сложного фторсиликатного расплава с примесями изоморфизм в совокупности с исключительной способностью структуры фторфлогопита к трансформации служит кристаллохимической основой возникновения многочисленных структурных дефектов.

В ростовом отношении изоморфизм тесно связан с политипией и двойникованием фторфлогопита. При структурообразовании наиболее важен тип катиона в промежуточном слое. Взаимодействие между этим катионом и анионами в октаэдрической слое контролирует образование различных политипов. Возрастание структурных сил связи происходит в ряду межслоевых катионов следующим образом: Li+->-Na4->-K+-,-Ba:;+.

Политипия в слюдах обусловлена тем, что атомы в пределах одной субъячейки (пакета) расположены в моноклинной симметрии, а поверхность субъяченки является гексагональной. Поворот субъячейки на 60° не влияет на характер упаковки поверхностей слоев, но существенным образом изменяет взаимное положение субъячеек. Политипы слюды образуются путем вращения идентичных пакетов толщиной примерно 1 нм относительно друг друга на угол, кратный 60°. В случае отсутствия вращения имеем поли-тип Ш, свойственный фторфлогопиту, выращенному из расплава. Политипы высшего порядка (2Mi, 20, ЗТ)—результат введения дефектов упаковки. Степень структурного контроля является оп-44 ределяющей для ориентационного соответствия нарастающих слоев, особенно при послойном механизме роста кристаллов слюды. При спиральном росте происходит образование упорядоченной упаковки слоев в результате сохранения первоначальной ориентации.

Двойникование может рассматриваться как следствие вторичного зародышеобразования, подчиненного структурному контролю со стороны межслоевого катиона. Благоприятствует вторичному зародышеобразованию склонность фторфлогопитового расплава к переохлаждению. Более одной трети кристаллов, полученных из расплава, составляют двойники. Наиболее часто элементами двой-никования являются направления [110] и [310]. В кристаллах фторфлогопита, выращенных из расплавов, иногда встречается несколько микродвойников в пределах одной чистой пластины, что свидетельствует о существенном изменении условий роста в течение времени образования даже одного кристалла.

Кристаллам слоистой структуры, обладающим политипией, присуще образование винтовых дислокаций, возникающих при обходе препятствия растущими слоями, которые не смыкаются точно. Краевые дислокации в слюде образуются в результате перекрытия незавершенных слоев. Дислокации часто декорированы скоплениями закрытых расслоений типа газовых пузырьков. Изучение дислокационного строения кристаллов фторфлогопита может быть проведено с помощью травления и электронной микроскопии.

Примеси в расплаве ответственны за появление дислокаций, расщепление кристаллов во время роста, дендритный и блочно-мозаичный рост, деформацию кристаллов и т. д. Обособление примесей в кристаллах при росте приводит к появлению различных включений, источниками которых служат примеси из шихты, растворенные газы, материал контейнера, инородные кристаллофазьг, остаточный фторидный расплав. Особенно богаты включениями кристаллы фторфлогопита, полученные при гетерогенной кристаллизации расплава из шихты на основе природного калиевого полевого шпата. Содержимое включений в момент захвата в кристаллы слюды представлено самыми различными фазами.

Газовые включения размером 0,1 —10 м

страница 19
< К СПИСКУ КНИГ > 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 100 101 102

Скачать книгу "Синтез минералов. Том 2" (3.08Mb)


[каталог]  [статьи]  [доска объявлений]  [прайс-листы]  [форум]  [обратная связь]

 

 

Реклама
цемент в биг бегах цена
кузовной ремонт самолета
матрасы sealy posture
такси в москве корпоративное обслуживание

Рекомендуемые книги

Введение в химию окружающей среды.

Книга известных английских ученых раскрывает основные принципы химии окружающей среды и их действие в локальных и глобальных масштабах. Важный аспект книги заключается в раскрытии механизма действия природных геохимических процессов в разных масштабах времени и влияния на них человеческой деятельности. Показываются химический состав, происхождение и эволюция земной коры, океанов и атмосферы. Детально рассматриваются процессы выветривания и их влияние на химический состав осадочных образований, почв и поверхностных вод на континентах. Для студентов и преподавателей факультетов биологии, географии и химии университетов и преподавателей средних школ, а также для широкого круга читателей.

Химия и технология редких и рассеянных элементов.

Книга представляет собой учебное пособие по специальным курсам для студентов химико-технологических вузов. В первой части изложены основы химии и технологии лития, рубидия, цезия, бериллия, галлия, индия, таллия. Во второй части книги изложены основы химии и технологии скандия, натрия, лантана, лантаноидов, германия, титана, циркония, гафния. В третьей части книги изложены основы химии и технологии ванадия, ниобия, тантала, селена, теллура, молибдена, вольфрама, рения. Наибольшее внимание уделено свойствам соединений элементов, имеющих значение в технологии. В технологии каждого элемента описаны важнейшие области применения, характеристика рудного сырья и его обогащение, получение соединений из концентратов и отходов производства, современные методы разделения и очистки элементов. Пособие составлено по материалам, опубликованным из советской и зарубежной печати по 1972 год включительно.

 

 



Рейтинг@Mail.ru Rambler's Top100

Copyright © 2001-2012
(24.08.2017)