![]() |
|
|
Основы структурного анализа химических соединенийперенести в общую точку пересечения. Всего существует 32 класса симметрии. В левой части табл. 1 указаны их символы и количество пространственных групп, объединяемых в каждый класс симметрии. * Фактически сюда относятся только две точечные группы: полностью асимметричная 1 и центросимметричная 1 и соответственно только две пространственные группы: в одной отсутствуют какие-либо элементы симметрии, кроме трансляционных осей, в другой — присутствуют только центры инверсии и трансляционные оси. ** Поскольку инверсионная ось 2 адекватна перпендикулярной ей плоскости зеркального отражения, последний случай означает комбинацию из поворотной оси 2 и перпендикулярной ей плоскости пг; равнодействующий элемент симметрии — центр инверсии I в точке их пересечения. *** В западной литературе принят термин орторомбическая сингония. Дальнейшие классификационные объединения точечных групп в более крупные семейства строятся по сугубо формальному признаку. Сингония кристалла определяется порядком и числом осей симметрии, присутствующих в точечной группе. Если в точечной группе имеется лишь поворотная или инверсионная ось первого порядка, то кристалл относят к триклинной сингоний*. Если кроме осей первого порядка имеются только оси второго порядка, то точечные группы относятся либо к моноклинной, либо к ромбической сингоний. При этом моноклинная сингония объединяет классы с одной поворотной осью второго порядка, с одной инверсионной осью второго порядка или с одной поворотной и одной инверсионной осью при совпадении их по направлению**. Ромбическая (или ортогональная***) сингония объединяет те классы, в которых присутствует нескольТаблица 1. Распределение пространственных групп по классам симметрии, сингонням и категориям а >» <- л ф о Я 3 то о, я 4 ? 5 к « к ?—g S -я s рая Я с со п О & о м о ч и Я я о ь, и к и та и о О) в* К а О ч о [-4 я п п >> к га s в* <и я* о Е я с р. >, о ft X! о ч о s л я в ф й я с га п &>, н о, о к а к Си с S его исло "ВЕН Н н га Триклин-ная 2 т 2/т Моноклинная 2/т 13 Низшая 74 тт2 222 ттт 22 9 28 Ромбическая ттт 59 4/да 4тт 422 42/тг 4/ттт Тетрагональная 4/ ттт 68 32 2 6 7 Гексагональная (тригональ-ная подсин-гония) 6/ ттт* 25 Средняя 120 2 4 б 4 4 Гексагональная (гексагональная подсингония) 6/ттт 27 23 тЪ 432 43т тЗяг Кубическая тЪт 36 Высшая 36 ко осей симметрии второго порядка, разных по ориентации (взаимно перпендикулярных—в соответствии с правилами взаимодействия элементов симметрии). В том случае, когда в состав точечной группы входит одна ось симметрии четвертого порядка (безразлично, поворотная или инверсионная), группу относят к тетрагональной сингоний. Если в состав группы входит одна ось третьего или шестого порядка, то группа относится к гексагональной сингоний. В последней выделяют две подсингонии: тригональную (главная ось симметрии — ось третьего порядка) и собственно гексагональную (главная ось симметрии шестого порядка). Наконец, если в составе точечной группы имеется несколько осей высшего порядка (выше второго порядка), то такие группы относят к кубической сингоний. Распределение точечных групп по сингониям приведено в табл. 1. Все группы, относящиеся к одной и той же сингоний, являются подгруппами одной из них. В триклинной сингоний это группа 1, моноклинной 2/т, ромбической mmm, тетрагональной 4/mmm, гексагональной 6/шт, кубической mSm. Такая группа высшей симметрии в данной сингоний называется голоэдрической, В свою очередь сингоний объединяют в категории: низшую, среднюю и высшую. Здесь основным признаком является число осей высшего порядка. К низшей категории относят триклинную, моноклинную и ромбическую сингонию (осей высшего порядка нет). К средней— тетрагональную и гексагональную сингонию (оси высшего порядка ориентированы лишь в одном направлении пространства), к высшей — кубическую сингонию. § 10. Координатные системы и метрика решеток Как отмечалось выше, для задания решетки кристалла в общем случае необходимо указать три векторных параметра а, Ь, с или шесть скалярных: размеры трансляций а, Ь, с вдоль выбранных осей и углы между их направлениями а, р, у. Любая ось симметрии (кроме оси первого порядка) вызывает, как известно, существование узловых рядов, параллельных и перпендикулярных этой оси. Обычно именно такие узловые ряды выбирают в качестве координатных осей кристаллической решетки (см. ниже), а это означает, что по крайней мере два из трех угловых параметров а, р, у элементарной ячейки должны быть равны 90°. Кроме того, оси высших порядков уравнивают по величине те из трех осевых параметров a, bt с, которые лежат в плоскости, перпендикулярной главной оси, или располагаются рав-нонаклонно к ней. Таким образом нетрансляционные элементы симметрии, фиксируя углы между осями и уравнивая размеры трансляций, уменьшают число независимых параметров решетки. |
< К СПИСКУ КНИГ > 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 |
Скачать книгу "Основы структурного анализа химических соединений" (1.73Mb) |
[каталог] [статьи] [доска объявлений] [прайс-листы] [форум] [обратная связь] |
|
Введение в химию окружающей среды. Книга известных английских ученых раскрывает основные принципы химии окружающей
среды и их действие в локальных и глобальных масштабах. Важный аспект книги
заключается в раскрытии механизма действия природных геохимических процессов в
разных масштабах времени и влияния на них человеческой деятельности.
Показываются химический состав, происхождение и эволюция земной коры, океанов и
атмосферы. Детально рассматриваются процессы выветривания и их влияние на
химический состав осадочных образований, почв и поверхностных вод на континентах.
Для студентов и преподавателей факультетов биологии, географии и химии
университетов и преподавателей средних школ, а также для широкого круга
читателей.
Химия и технология редких и рассеянных элементов. Книга представляет собой учебное пособие по специальным курсам для студентов
химико-технологических вузов. В первой части изложены основы химии и технологии
лития, рубидия, цезия, бериллия, галлия, индия, таллия. Во
второй
части книги изложены основы химии и технологии скандия, натрия, лантана,
лантаноидов, германия, титана, циркония, гафния. В
третьей части книги изложены основы химии и технологии ванадия, ниобия,
тантала, селена, теллура, молибдена, вольфрама, рения. Наибольшее внимание
уделено свойствам соединений элементов, имеющих значение в технологии. В
технологии каждого элемента описаны важнейшие области применения, характеристика
рудного сырья и его обогащение, получение соединений из концентратов и отходов
производства, современные методы разделения и очистки элементов. Пособие
составлено по материалам, опубликованным из советской и зарубежной печати по
1972 год включительно.
|
|