химический каталог




Основы структурного анализа химических соединений

Автор М.А.Порай-Кошиц

физическое явление обладает определенной собственной симметрией, которая накладывается («умножается») на симметрию кристалла. В данном случае собственная симметрия рентгеновской оптики — операция инверсии.

Определение пространственной группы симметрии. Правила погасания. В табл. 3 были приведены правила, определяющие значения индексов ht k и / в символах се

рий узловых сеток в решетках разного типа: в примитивной решетке Л, k, I — целые числа, не имеющие об- , щего множителя; в непримитивных решетках соблюдаются дополнительные правила кратности. Поскольку! порядок отражения п может быть любым целым числом, , а дифракционные индексы р, q, г равны соответственно nh, nk и nl, то правила, установленные для /г, k> /, легко преобразуются в правила, действующие в отношении индексов ру q, г. Эти правила приведены в последнем столбце табл. 3.

В литературе по рентгеноструктурному анализу дифракционные индексы принято обозначать теми же буквами /г, /г, /, что и индексы серий плоскостей. Поэтому в табл. 3 и далее в тексте обозначения pqr заменены на hkl [символ дифракционного луча hkl записывается без скобок в отличие от символа узловых сеток (hkl)].

Физический смысл правил, приведенных в табл. Зг поясняют рис. 15, а и б, изображающие две решетки с одинаковыми параметрами а, Ь, с\ одна из них примитивная; вторая — С-центрированная. Проведем в первой серию сеток (210) и установим кристалл так, чтобы он давал отражение первого порядка от этой серии, т. е. чтобы 2c?2io sin Ф= IX. Это означает, что лучи, отраженные соседними плоскостями, имеют разность хода в одну длину волны.

* Их индексы уже не (210), а (420).

Установим С-центрированный кристалл в то же положение. Поскольку аналогичные плоскости проходят в этой решетке вдвое гуще *, при такой ориентации кристалла разность хода лучей, отраженных соседними плоскостями, составит только половину длины волны, т. е. эти лучи будут иметь противоположные фа- . зы и взаимно погасят друг друга. То же, естественно, \ произойдет при ориентации, отвечающей отражению любого другого нечетного порядка от плоскостей (210). В С-центрированной решетке соответствующие лучи ока- . зываются «погашенными». Таким образом, сформулированные выше ограничения в значениях индексов hkt можно интерпретировать как правила погасания (точнее, правила непогасания) лучей, дифрагированных решетками, имеющими дополнительные (центрирующие) трансляции.

Аналогичное действие — погасание части дифракционных лучей — вызывают также те операции симметрии, которые содержат перенос в качестве одной из компонент операции. Имеются в виду скользящее отражение и винтовое вращение. Однако если понятие центрировки относится к решетке в целом, то понятие скользящего отражения относится лишь к определенной плоскости, а винтового вращения — к определенному направлению. Соответственно этому они вызывают погасания не среди отражений hkl общего типа, а лишь среди отражений определенного частного типа. Так, плоскости скользящего отражения, параллельные координатным плоскостям XY, XZ или YZ, вызывают погаРис. 37. Скользящие отражения, приводящие к погасаниям

среди отражений типа hkO

сания лишь среди соответствующих «зональных» отражений: hkO, hOl и (Ш, а винтовые оси, параллельные координатным осям X, Y или Z, — лишь среди отражений типа /гОО, (Ш) и 001 соответственно. Сам характер погасаний зависит от направления и величины трансляционного переноса. Так, например, плоскость скользящего отражения, параллельная плоскости XY, с переносом, равным 1/2 полной трансляции (рис. 37), вызывает погасания среди отражений hkO по следующим правилам.

Если скольжение направлено вдоль оси X (а-сколь-жение), сохраняются отражения hkO лишь с h = 2n (рис. 37, а); если скольжение направлено вдоль оси Y (Ь-скольжение), сохраняются hkO с k=2n (рис. 37, б); если скольжение направлено вдоль диагонали XY (п-скольжение), сохраняются hkO лишь с h+k=2n (рис.

37, в)*. Если в последнем случае величина скольжения равна не 7г* a XU трансляции (d-скольжение), то сохраняются лишь отражения с h-{-k = 4n (рис. 37, г). Правила погасаний для плоскостей скользящего отражения, параллельных другим координатным плоскостям, естественно, аналогичны с соответствующей перестановкой индексов.

Характер погасаний, вызываемых присутствием винтовой оси, также зависит от величины переноса вдоль оси вращения. Пусть ось п-го порядка параллельна оси Z. При переносе, равном 1/2, 7з> 74» Уб трансляции с, присутствуют отражения 00/ лишь с 1 = 2п> Зп, 4п, 6/г соответственно.

Правила погасаний дают сведения о центрированности решетки и о присутствии плоскостей скользящего отражения и винтовых осей. При отсутствии регулярных погасаний сохраняется известная неопределенность: остается неясным, заменяется ли в рамках данного класса Лауэ скользящее отражение на зеркальное, а винтовой поворот на простой поворот, или таких операций вообще в кристалле нет.

Если, например, в классе Лауэ 2/т (точечные группы 2, т или 2/т) среди отражений hkl погасаний нет, среди hkO п

страница 28
< К СПИСКУ КНИГ > 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66

Скачать книгу "Основы структурного анализа химических соединений" (1.73Mb)


[каталог]  [статьи]  [доска объявлений]  [прайс-листы]  [форум]  [обратная связь]

 

 

Реклама
кресло клио цена
урна металлическая 1000 мм окурки

Рекомендуемые книги

Введение в химию окружающей среды.

Книга известных английских ученых раскрывает основные принципы химии окружающей среды и их действие в локальных и глобальных масштабах. Важный аспект книги заключается в раскрытии механизма действия природных геохимических процессов в разных масштабах времени и влияния на них человеческой деятельности. Показываются химический состав, происхождение и эволюция земной коры, океанов и атмосферы. Детально рассматриваются процессы выветривания и их влияние на химический состав осадочных образований, почв и поверхностных вод на континентах. Для студентов и преподавателей факультетов биологии, географии и химии университетов и преподавателей средних школ, а также для широкого круга читателей.

Химия и технология редких и рассеянных элементов.

Книга представляет собой учебное пособие по специальным курсам для студентов химико-технологических вузов. В первой части изложены основы химии и технологии лития, рубидия, цезия, бериллия, галлия, индия, таллия. Во второй части книги изложены основы химии и технологии скандия, натрия, лантана, лантаноидов, германия, титана, циркония, гафния. В третьей части книги изложены основы химии и технологии ванадия, ниобия, тантала, селена, теллура, молибдена, вольфрама, рения. Наибольшее внимание уделено свойствам соединений элементов, имеющих значение в технологии. В технологии каждого элемента описаны важнейшие области применения, характеристика рудного сырья и его обогащение, получение соединений из концентратов и отходов производства, современные методы разделения и очистки элементов. Пособие составлено по материалам, опубликованным из советской и зарубежной печати по 1972 год включительно.

 

 



Рейтинг@Mail.ru Rambler's Top100

Copyright © 2001-2012
(29.04.2017)