химический каталог




Основы структурного анализа химических соединений

Автор М.А.Порай-Кошиц

менения углов ^2 и хз и соответственно углов срг(^) и срз(г), в двух других условиях Лауэ должны идти по образующим этой системы конусов. На каждом таком конусе выделяются отдельные (дискретные) направления, отвечающие дифракционным лучам с заданным р и разными q и г.

Пятна на рентгеновской пленке, помещенной в цилиндрическую кассету, расположатся на параллельных окружностях, а на распрямленной после проявления пленке — на параллельных прямых (слоевых линиях). Средняя по высоте слоевая линия отвечает развернутому конусу (р = 0, cpi = 90°); симметрично по отношению к ней размещаются слоевые линии с р=1 и р= ——\t р~2 и р = —2 и т. д.

Если внутрь камеры вставить экранирующий металлический цилиндр с прорезью для пропускания лучей одной (заданной) слоевой линии (рис. 33, б), а кассету с пленкой перемещать вдоль оси X синхронно с вращением кристалла, то пятна этой слоевой линии окажутся развернутыми по всей плоскости пленки. Координата х (рис. 33, в) каждого пятна будет характеризовать угол т — отклонение соответствующего дифракционного луча от плоскости, проведенной через первичный пучок и ось вращения. Другая координата z — величина смещения самой кассеты в процессе поворота кристалла — определит угол со поворота кристалла из исходного положения до момента возникновения дифракционного луча, т, е. ориентацию кристалла в момент отражения. Такова в общих чертах схема рентгенгониометра Вейсенберга.

Дифрактометрическая аппаратура. На рис. 34 изображен «трехкружный» дифрактометр— простейший аналог камеры вращения. Кристалл вращается вокруг одной из своих кристаллографических осей (на рис. 34 эта ось расположена вертикально), а детектор рентгеновских лучей перемещается вдоль выбранной слоевой линии (т. е. его ось вращения тоже вертикальна, но независима от оси вращения кристалла). Но, кроме того, у счетчика имеется вторая степень свободы — перемещение его по дуге, необходимое для того, чтобы вывести его на нужную слоевую линию. Таким образом, этот прибор имеет три вращательные степени свободы: одна относится к кристаллу и две — к детектору. Отсюда и название — трехкружный дифрактометр.

Изображенная кинематическая схема — не единственно возможная и далеко не лучшая. Очевидно, что вывести кристалл в отражающее положение можно многими способами, например вращательным движением кристалла вокруг двух осей, а детектора — вокруг одной оси, или вращательным движением (наклоном) и самой рентгеновской трубки, и кристалла, и детектора и т. д.

Хотя в принципе трех степеней свободы достаточно для того, чтобы вывести кристалл в любое из отражающих положений, а детектор поставить на пути дифракционного луча, современные дифрактомеры обычно являются ч е т ы р е х к р у ж и ы м и, т. е. имеют еще одну дополнительную степень свободы вращательного движения. Это обусловлено главным образом двумя причинами. Во-первых, и рентгеновская трубка, и детектор, и гониометрическая головка, несущая кристалл, и их держатели, и дополнительные дуги, несущие детектор или кристалл, занимают определенные объемы и тем самым закрывают некоторые секторы «дифракционного поля» кристалла. Наличие лишней степени свободы позволяет выбрать оптимальные варианты взаимного расположения частей прибора, позволяющие уменьшить такие «слепые» области. Во-вторых, бывает полезно произвести вращение кристалла вокруг оси, совпадающей с нормалью к отражающей серии плоскостей. При таком вращении кристалл, естественно, остается в отражающем положении, и интенсивность дифракционного луча в принципе должна сохраняться неизменной. Однако вследствие дефектов кристалла или его неправильной (несферической) формы, а также возможного возникновения одновременных отражений и некоторых других эффектов интенсивность луча при таком повороте может колебаться. Указанное вращение позволяет проанализировать причины непостоянства интенсивности и (или) нивелировать погрешности, связанные с неправильной формой кристалла и возникновением одновременных отражений.

Различных кинематических схем четырехкружных дифрактометров может быть еще больше, чем трехкруж-ных. Мы рассмотрим лишь некоторые из них.

На рис. 35, а показана кинематическая схема советских дифрактометров ДАР-М и ДАР-УМБ. Рентгеновская трубка в них не закреплена неподвижно, а может быть повернута относительно горизонтального круга (базы дифрактометра) на угол ц,. Кристалл совершает вращение вокруг вертикальной оси (угол со), держатель детектора имеет две степени свободы: его несущая часть вращается вокруг вертикальной оси (угол Т); на ней расположена дуга, позволяющая повернуть счетчик вокруг горизонтальной оси (угол v). Обычно на этом дифрактометре применяется равнонаклонная схема (\i= = v), т. е. он используется как трехкружный.

На рис. 35, б изображена кинематическая схема советского дифрактометра РЭД-4, дифрактометра P2i и других дифрактометров американской фирмы Николет. Рентгеновская трубка закреплена неподвижно, кристалл имеет три степени свободы, детектор — одну. Ведущая ось кристалла 1 расположена вертикально

страница 23
< К СПИСКУ КНИГ > 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66

Скачать книгу "Основы структурного анализа химических соединений" (1.73Mb)


[каталог]  [статьи]  [доска объявлений]  [прайс-листы]  [форум]  [обратная связь]

 

 

Реклама
участок в рассрочку на 3 года
курсы по кадрам и кадровому делопроизводству одинцово
куть детскую веранду
Sime 2R 12 OF

Рекомендуемые книги

Введение в химию окружающей среды.

Книга известных английских ученых раскрывает основные принципы химии окружающей среды и их действие в локальных и глобальных масштабах. Важный аспект книги заключается в раскрытии механизма действия природных геохимических процессов в разных масштабах времени и влияния на них человеческой деятельности. Показываются химический состав, происхождение и эволюция земной коры, океанов и атмосферы. Детально рассматриваются процессы выветривания и их влияние на химический состав осадочных образований, почв и поверхностных вод на континентах. Для студентов и преподавателей факультетов биологии, географии и химии университетов и преподавателей средних школ, а также для широкого круга читателей.

Химия и технология редких и рассеянных элементов.

Книга представляет собой учебное пособие по специальным курсам для студентов химико-технологических вузов. В первой части изложены основы химии и технологии лития, рубидия, цезия, бериллия, галлия, индия, таллия. Во второй части книги изложены основы химии и технологии скандия, натрия, лантана, лантаноидов, германия, титана, циркония, гафния. В третьей части книги изложены основы химии и технологии ванадия, ниобия, тантала, селена, теллура, молибдена, вольфрама, рения. Наибольшее внимание уделено свойствам соединений элементов, имеющих значение в технологии. В технологии каждого элемента описаны важнейшие области применения, характеристика рудного сырья и его обогащение, получение соединений из концентратов и отходов производства, современные методы разделения и очистки элементов. Пособие составлено по материалам, опубликованным из советской и зарубежной печати по 1972 год включительно.

 

 



Рейтинг@Mail.ru Rambler's Top100

Copyright © 2001-2012
(09.12.2016)