химический каталог




Основы структурного анализа химических соединений

Автор М.А.Порай-Кошиц

е плоскости симметрии, перпендикулярной оси X (Y), или оси симметрии, параллельной оси X (Y), если плоскость отсутствует*. На последнем месте в символе ставится обозначение плоскости симметрии (или оси симметрии), делящей пополам угол между плоскостями симметрии, перпендикулярными осям X и У (или между осями симметрии, параллельными осям X и У), если такая плоскость (или ось) имеется.

Например, символ РА/пЬт (рис. 20) означает, что мы имеем дело с группой, относящейся к тетрагональной сингоний; решетка примитивная; перпендикулярно оси 4 располагается плоскость скользящего отражения с диагональным скольжением; перпендикулярно осям X и У проходят плоскости скользящего отражения со скольжением вдоль осей У и X соответственно, а между ними (под углом в 45°) проходят плоскости зеркального отражения.

Символ Р32 означает, что группа относится к триго-нальной подсингонии гексагональной сингоний и имеет примитивную гексагональную решетку. Главные оси — поворотные третьего порядка. Плоскостей симметрии, перпендикулярных главным осям, нет. Отсутствуют и плоскости симметрии, перпендикулярные осям X и У. В наличии имеются только поворотные оси второго порядка, параллельные этим осям.

* В кристаллах тетрагональной и гексагональной сингоний оси X и Y всегда равноценны.

Символы групп, относящихся к кубической сингоний, строятся следующим образом. На первом месте после обозначения типа решетки ставится обозначение плоскостей, проходящих параллельно координатным плоскостям ячейки, или, если таких плоскостей симметрии нет, осей симметрии, параллельных координатным осям '(осей симметрии второго или четвертого порядков). На втором месте всегда стоит обозначение осей, проходящих по телесным диагоналям кубической ячейки (осей

третьего порядка). На третьем месте ставятся обозначения плоскостей или, если их нет, осей симметрии (второго порядка), проходящих по диагоналям граней ячейки. Если таких плоскостей или осей нет вообще, третье место символа остается незаполненным. Примеры символов пространственных групп кубической сингоний

РтЗт, 1аЫ% Fm3c,...; Р43т, 143т, F43c,...; Я432, /432, /?4i32,...; РтЗ, Ia3y Fd3,...; Р23, Р2Х3, F23,....

§ 14. Правильные системы точек

Пространственная группа симметрии определяет лишь правило, по которому в кристалле размещаются материальные частицы — атомы или ионы. Задача рентгеноструктурного исследования состоит в том, чтобы найти само размещение частиц, их координаты. В этом разделе кратко рассматриваются некоторые понятия и термины, связанные с размещением частиц (то

чек), размножаемых операциями симметрии.

Совокупность всех точек, получаемых из исходной всеми операциями симметрии пространственной группы, называется правильной системой точек; местонахождение исходной точки — ее позицией, а число точек системы, приходящихся на одну элементарную ячейку, — кратностью позиции.

Если точка не находится ни на одном из закрытых элементов симметрии, ее позицию называют общей. Такая позиция характеризуется тремя переменными параметрами: х, у, z. Если точка находится на одном из закрытых элементов симметрии или на их пересечении, ее позицию называют частной.

Частная позиция на плоскости зеркального отражения характеризуется двумя параметрами: позиция на поворотной оси любого порядка, начиная с 2, или инверсионной оси любого порядка, начиная с 3, характеризуется одним параметром; позиция в центре инверсии, в точке инверсии инверсионной оси или на пересечении элементов симметрии беспараметрическая.

Кратность частной позиции всегда меньше (в цел<ч-число раз), чем кратность общей позиции. На рис. 21 качестве примера приведена пространственная групп. РТТ2. Общая позиция А здесь четырехкратная, позиции на плоскостях симметрии (В и С)—двукратные, и< осях симметрии (позиция D) —однократные. Понижение кратности позиции при уменьшении числа варьируемых параметров можно рассматривать как результат слияния точек при перемещении их на элемент симметрии.

Каждая позиция характеризуется определенной собственной симметрией. Общая позиция всегда асимметрична. Частные позиции В и С на рис. 21 имеют симметрию Т, позиция D — симметрию ТТ2.

Роль возбудителя дифракционных эффектов в кристалле могут выполнять рентгеновские лучи, поток электронов или поток нейтронов при соответствующей скорости (по соотношению де Бройля частице с массой т и скоростью v соответствует волна длиной X=h/mv), Соответственно существуют три дифракционных метода структурного анализа: рентгеноструктурный, электроно-графический и нейтронографический.

По общему принципу они родственны друг другу (основаны на эффекте дифракции), но каждый, конечно, имеет свои специфические черты, так как характер взаимодействия волн разной природы с атомами кристалла различен. Рентгеновские лучи рассеиваются электронами атомов, поток нейтронов — ядрами, а поток электронов — электромагнитным полем ядра и электронов.

По целому ряду принципиальных и технических особенностей рентгеноструктурный анализ наиболее эффективен для практического иссл

страница 14
< К СПИСКУ КНИГ > 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66

Скачать книгу "Основы структурного анализа химических соединений" (1.73Mb)


[каталог]  [статьи]  [доска объявлений]  [прайс-листы]  [форум]  [обратная связь]

 

 

Реклама
дешевая аренда автомобиля с водителем в москве
обувницы в прихожую узкие фото
баннер над проезжей частью
rl48rrcmg

Рекомендуемые книги

Введение в химию окружающей среды.

Книга известных английских ученых раскрывает основные принципы химии окружающей среды и их действие в локальных и глобальных масштабах. Важный аспект книги заключается в раскрытии механизма действия природных геохимических процессов в разных масштабах времени и влияния на них человеческой деятельности. Показываются химический состав, происхождение и эволюция земной коры, океанов и атмосферы. Детально рассматриваются процессы выветривания и их влияние на химический состав осадочных образований, почв и поверхностных вод на континентах. Для студентов и преподавателей факультетов биологии, географии и химии университетов и преподавателей средних школ, а также для широкого круга читателей.

Химия и технология редких и рассеянных элементов.

Книга представляет собой учебное пособие по специальным курсам для студентов химико-технологических вузов. В первой части изложены основы химии и технологии лития, рубидия, цезия, бериллия, галлия, индия, таллия. Во второй части книги изложены основы химии и технологии скандия, натрия, лантана, лантаноидов, германия, титана, циркония, гафния. В третьей части книги изложены основы химии и технологии ванадия, ниобия, тантала, селена, теллура, молибдена, вольфрама, рения. Наибольшее внимание уделено свойствам соединений элементов, имеющих значение в технологии. В технологии каждого элемента описаны важнейшие области применения, характеристика рудного сырья и его обогащение, получение соединений из концентратов и отходов производства, современные методы разделения и очистки элементов. Пособие составлено по материалам, опубликованным из советской и зарубежной печати по 1972 год включительно.

 

 



Рейтинг@Mail.ru Rambler's Top100

Copyright © 2001-2012
(27.03.2017)