химический каталог




Промышленная кристаллизация

Автор В.И.Панов

ристаллов привели к увеличению межпромывочного пробега с 8—10 ч до более чем 3-х суток.

Удельная объемная производительность аппаратов трехкорпус-ной установки составляет 100-5-200 кг/(м3'-ч).

ВЫВОДЫ

1. Пенообразование в вакуум-испарителе кристаллизатора предотвращается, если процесс кипения проводится в тонком слое раствора: при интенсивном перемещении поверхности испарения.

11

Создание таких условий обеспечивается разработанной конструкцией вакуум-испарителя.

2. Предложенная конструкция тангенциального ввода циркулирующей суспензии в вакуум-испаритель, способ обогрева и режим работы с накоплением кристаллов в суспензии позволяют в 10 раз увеличить длительность межпромывочного пробега аппарата.

Литература

1. А. И. Пух лик. Авт. свид. СССР 94785 от 9 июни 1951 г.

2. В. Т. Непомнящий, Авт. свид. 184192 СССР от 18 января 1963 г.

3. Chem. week, 88, № 18, 51—52 (1961)

4. N. С. S a em an, J. W. McCain у, E. С. Houston, End. Ene. Chem 44. 1912 (1952).

5. В. С. Еремеев, В. И. Панов, А. И. Болотова, Л. И. Кравцов, П. П. Пирогов, В. М. К у б а р с к а я, настоящий сборник, стр 12.

6. В. И. Панов, А. Н. Валяшко, А П. Кондаков, В. С. Еремеев, Авт свид. СССР 186386 от 13 июля 1964 г.

ИНКРУСТИРОВАНИЕ ВНУТРЕННЕЙ ПОВЕРХНОСТИ АППАРАТУРЫ ПРИ КРИСТАЛЛИЗАЦИИ П0ЛУТ0РАВ0ДН0Г0 ПОТАША К2С031,5Н20

В, С. Еремеев, В. И. Панов, Л. И. Болотова, Л. И. Нравцов, П.П. Пирогов,

В. К. Ну барская

Излагаются результаты поиска методов замедления инкрустирования поверхности вакуум-испарителя, патрубка ввода исходного раствора и камеры смешения исходного раствора с циркулирующей суспензией.

Кристаллизация солей из пересыщенных растворов часто сопровождается образованием слоя кристаллов на внутренней поверхности аппаратов: вакуум-испарителей, холодильников, кипятильников.

Инкрустирование поверхностей, наиболее интенсивное в зонах создания пересыщения, уменьшает коэффициент теплопередачи, нарушает нормальную работу аппаратуры. Для удаления отложений аппаратуру приходится периодически отключать для промывания; в некоторых случаях, например, при кристаллизации хлористого калия в горизонтальных вакуум-кристаллизаторах, межпромывочный пробег аппаратов составляет всего 6—8 ч.

Предупредить или замедлить инкрустирование можно различными способами: например, путем понижения разности температур кристаллизующего раствора и хладагента при одновременном повышении скорости движения раствора [1], применения механических вибраций [2], повышения чистоты поверхности вплоть до ее полирования [3], использования различных покрытий поверхности [4].

В настоящей работе излагаются результаты поиска методов замедления инкрустирования поверхности вакуум-испарителя при

12

кристаллизации полутораводного поташа. Особенностью задачи являлась необходимость одновременного предотвращения пенообразования, свойственного производственным поташным растворам. Это ограничило выбор возможных средств и определило тип испарителя: с орошаемыми стенками либо с центральной разбрызгивающей форсункой, причем в обоих случаях уровень жидкости должен находиться вне пределов испарителя — в сливной трубе.

Относительно механизма образования инкрустаций можно сделать следующие предположения:

1. Инкрустации образуются в результате гетерогенного образования зародышей кристаллов на поверхности. Такой механизм образования инкрустаций может иметь место в том случае, если поверхностная энергия на границе раздела «кристалл — твердая поверхность» меньше поверхностной энергии на границе раздела «кристалл — раствор».

2. Инкрустации образуются в результате возникновения зародышей кристаллов в растворе, находящемся в микрорельефе поверхности. Возникшие зародыши механически удерживаются в неровностях поверхности и служат кристаллической подкладкой для дальнейшего отложения инкрустаций.

Для того чтобы процесс инкрустирования протекал по любому из указанных механизмов, необходимо, чтобы пересыщение раствора у стенки аппарата было выше пересыщения в объеме раствора. При равенстве указанных пересыщений инкрустирование будет незначительным, поскольку уровень пересыщения раствора, находящегося в контакте с кристаллами, недостаточен для образования с заметной скоростью новых зародышей кристаллов. Дополнительное пересыщение раствора у стенки возникает вследствие его охлаждения. Величина дополнительного пересыщения определяется как температурой внешней среды, так и чистотой поверхности. При грубом микрорельефе переохлаждение раствора во впадинах рельефа будет выше.

Причиной образования инкрустаций может быть также периодическое смачивание раствором участков твердой поверхности. При этом раствор постепенно испаряется со смачиваемых участков и соли механически закрепляются на поверхности. Состав инкрустаций в этом случае приближается к составу раствора, что служит отличительным признаком этого типа инкрустирования.

Исходя из изложенных представлений о механизме образования инкрустаций были намечены следующие способы уменьшения интенсивности инкрустирования вакуум

страница 5
< К СПИСКУ КНИГ > 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37

Скачать книгу "Промышленная кристаллизация" (1.19Mb)


[каталог]  [статьи]  [доска объявлений]  [прайс-листы]  [форум]  [обратная связь]

 

 

Реклама
закон о защите прав инвесторов на рынке ценных бумаг 46
ремонт холодильников стинол на дому в москве
дверной ограничитель напольный без шурупа италия
купить противопожарную атрибутику указатели

Рекомендуемые книги

Введение в химию окружающей среды.

Книга известных английских ученых раскрывает основные принципы химии окружающей среды и их действие в локальных и глобальных масштабах. Важный аспект книги заключается в раскрытии механизма действия природных геохимических процессов в разных масштабах времени и влияния на них человеческой деятельности. Показываются химический состав, происхождение и эволюция земной коры, океанов и атмосферы. Детально рассматриваются процессы выветривания и их влияние на химический состав осадочных образований, почв и поверхностных вод на континентах. Для студентов и преподавателей факультетов биологии, географии и химии университетов и преподавателей средних школ, а также для широкого круга читателей.

Химия и технология редких и рассеянных элементов.

Книга представляет собой учебное пособие по специальным курсам для студентов химико-технологических вузов. В первой части изложены основы химии и технологии лития, рубидия, цезия, бериллия, галлия, индия, таллия. Во второй части книги изложены основы химии и технологии скандия, натрия, лантана, лантаноидов, германия, титана, циркония, гафния. В третьей части книги изложены основы химии и технологии ванадия, ниобия, тантала, селена, теллура, молибдена, вольфрама, рения. Наибольшее внимание уделено свойствам соединений элементов, имеющих значение в технологии. В технологии каждого элемента описаны важнейшие области применения, характеристика рудного сырья и его обогащение, получение соединений из концентратов и отходов производства, современные методы разделения и очистки элементов. Пособие составлено по материалам, опубликованным из советской и зарубежной печати по 1972 год включительно.

 

 



Рейтинг@Mail.ru Rambler's Top100

Copyright © 2001-2012
(16.01.2017)