химический каталог




Промышленная кристаллизация

Автор В.И.Панов

анию гидравлического сопротивления парового тракта, что недопустимо при работе под высоким вакуумом.

Для уменьшения скорости инкрустирования внутренней поверхности аппаратуры рекомендуются либо уменьшение переохлаждения раствора у поверхности путем теплоизоляции или установки испарителей в термостатированных отсеках цеха [4] либо повышение чистоты поверхности путем специальной обработки или защиты пленочными материалами [5]. Наиболее простой из этих методов — теплоизоляция вакуум-испарителей не приводит к существенному увеличению межпромывочного пробега аппарата. Другие методы связаны либо с существенным удорожанием испарителя, либо с дополнительными затратами на вспомогательное оборудование.

Поэтому при разработке конструкции вакуум-кристаллизатора для выделения поташа из растворов глиноземного производства был проведен поиск более простых решений, обеспечивающих как

ликвидацию пенообразоваяия, так и уменьшение инкрустирования внутренних поверхностей аппарата. Результатом такого поиска явился вакуум-кристаллизатор, изображаемый на рисунке.*-Пар

Вакуум-кристаллизатор состоит из кристаллорастителя 8 и вакуум-испарителя 6, связанных циркуляционной трубой 7, и циркуляционного насоса 2. Кристаллизатор работает с раздельным отбором осветленной жидкости —через кольцевой желоб 9, и сгущенной суспензии — через пульсирующий клапан И.8 -10

Благодаря раздельному отбору сгущенной суспензии и осветленного раствора создается возможность работы с накоплением кристаллов в циркулирующей суспензии. Регулирование и стабилизация отношения Т: Ж в суспензии, находящейся в кристаллорастителе и контуре циркуляции, осуществляются путем изменения частоты пульсаций клапана в соответствии с показаниями пьезометрического плотномера.

Исходный раствор с температурой 100—120° С непрерывно поступает в трубу 4, смешивается в тройнике 3 с суспензией, поступающей из кристаллорастителя 8, и циркуляционным насосом 2 подается в вакуум-испаритель 6. В вакуум-ис-паритеде суспензия охлаждается вследствие самоиспарения воды из раствора под вакуумом и самотеком опускается в нижнюю часть кристаллорастителя.

Основная масса суспензии, пройдя кристаллораститель, вновь поступает в контур циркуляции. Часть суспензии входит в зону осветления, расположенную выше уровня отбора суспензии на циркуляцию. Так как скорость восходящего потока в этой зоне мала, то раствор отделяется от кристаллов и, осветленный, переливается через верхнюю кромку переливного желоба 9 и затем выводится из аппарата на дальнейшую переработку. Сгущенная суспензия отводится из нижней части кристаллизатора с помощью пульсирующего клапана //.

Аппарат предназначен для работы в режиме однокорпусной вакуум-кристаллизации K2COs-l,5 Н20 и в качестве продукционного корпуса многокорпусной системы вакуум-кристаллизаторов. Конструкция промежуточных корпусов многокорпусной системы 10 вакуум-кристаллизаторов аналогична описанной, за исключением узла отбора сгущенной суспензии и осветленной жидкости [6].

Соотношение Т : Ж сгущенной суспензии может поддерживаться равным 1:1, что отвечает требованиям, предъявляемым к суспензиям при их разделении на непрерывно-действующих центрифугах. Фугат из центрифуги в этом случае возвращается в кристаллораститель по трубе 5.

Пенообразование в вакуум-испарителе предотвращается вследствие того, что кипение раствора происходит в тонком слое при интенсивном перемещении поверхности испарения. Эти условия создаются путем ввода раствора или суспензии через тангенциально расположенный штуцер со щелевым выходным отверстием, вырезанным в цилиндрической части корпуса испарителя вдоль образующей. Высота установки вакуум-испарителя над кристал-лорастителем должна быть такой, чтобы уровень суспензии, стекающей из испарителя, находился в центральной циркуляционной трубе, за пределами испарителя. Скорость циркулирующей суспензии на выходе из щелевого отверстия должна обеспечивать равномерное орошение всего периметра вакуум-испарителя. Кроме того, эта скорость должна быть достаточной для предотвращения вскипания раствора до выхода в вакуум-испаритель. Для уменьшения инкрустирования орошаемая суспензией часть испарителя и центральной трубы, обогревается снаружи с помощью парового змеевика, навитого с небольшим зазором вокруг корпуса аппарата. Паровой змеевик теплоизолируется совместно с вакуум-испарителем и верхней частью центральной трубы.

Для предупреждения инкрустирования внутренней поверхности аппарата в местах контакта с поступающим раствором труба 4, тройник 3, а также патрубок на конце питающей трубы защищены антиадгезионным покрытием внутренней поверхности (эпоксидная смола с двуокисью титана). Конец патрубка питающей трубы покрыт и снаружи.

Уменьшению скорости инкрустирования способствует также и накопление кристаллов в циркулирующей суспензии.

Промышленные испытания такого вакуум-кристаллизатора показали его пригодность для работы на пеиообразующих растворах. Применение описанного способа обогрева вакуум-испарителя и переход на режим с накоплением к

страница 4
< К СПИСКУ КНИГ > 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37

Скачать книгу "Промышленная кристаллизация" (1.19Mb)


[каталог]  [статьи]  [доска объявлений]  [прайс-листы]  [форум]  [обратная связь]

 

 

Реклама
ускоренные курсы 1с цена
подготовка к анализу на гомоцистеин
тд максвелл
детский комплекс чертежи

Рекомендуемые книги

Введение в химию окружающей среды.

Книга известных английских ученых раскрывает основные принципы химии окружающей среды и их действие в локальных и глобальных масштабах. Важный аспект книги заключается в раскрытии механизма действия природных геохимических процессов в разных масштабах времени и влияния на них человеческой деятельности. Показываются химический состав, происхождение и эволюция земной коры, океанов и атмосферы. Детально рассматриваются процессы выветривания и их влияние на химический состав осадочных образований, почв и поверхностных вод на континентах. Для студентов и преподавателей факультетов биологии, географии и химии университетов и преподавателей средних школ, а также для широкого круга читателей.

Химия и технология редких и рассеянных элементов.

Книга представляет собой учебное пособие по специальным курсам для студентов химико-технологических вузов. В первой части изложены основы химии и технологии лития, рубидия, цезия, бериллия, галлия, индия, таллия. Во второй части книги изложены основы химии и технологии скандия, натрия, лантана, лантаноидов, германия, титана, циркония, гафния. В третьей части книги изложены основы химии и технологии ванадия, ниобия, тантала, селена, теллура, молибдена, вольфрама, рения. Наибольшее внимание уделено свойствам соединений элементов, имеющих значение в технологии. В технологии каждого элемента описаны важнейшие области применения, характеристика рудного сырья и его обогащение, получение соединений из концентратов и отходов производства, современные методы разделения и очистки элементов. Пособие составлено по материалам, опубликованным из советской и зарубежной печати по 1972 год включительно.

 

 



Рейтинг@Mail.ru Rambler's Top100

Copyright © 2001-2012
(03.12.2016)