химический каталог




Промышленная кристаллизация

Автор В.И.Панов

на рис. 3, 4.

При увеличении длительности предварительного перегрева скорость роста кристалла несколько уменьшалась; при повышении температуры перегрева скорость роста вначале возрастала, затем,

Таблица 1

Влияние чистоты раствора иа скорость роста граин кристалла хлористого калия

Характеристика раствора

Скорость роста грани кристалла

хлористого калия, мкм/мин

16,0

Стандартный раствор

10,9 9,5

19,5 18,0 17,6 19,8

Раствор, профильтрованный через филь тры:

«Белая лента»

«Синяя лента»

Раствор с примесью 0,1 вес. %:

окиси кремния

окиси алюминия

углерода

окнеи железа

7 Пром. кристаллизация

ВТ

98

98

da s

1,6 2,0 2,4 2,8 Переохлаждение раствора °C

*-! • -2

60

Перегрев раствора'С 1,2 0,8 Ofi

<*i *м

QWOOtJOMQ с*

So

нтл//ьмт

? QUIDOCtOXJ

е-полиакриламид (/-0 00! Я; 2-0,010Х); г- полнвиииламнн (/- 0,001 %? 2 - 0,005м: J-0.010K; 4 — 0,Ш%); (Э-ОКТИЛОВЫЙ спирт, жирную кислоту Сд, арквад 2НТ, сульфоиат (/-сульфонат 0.01К: 2-арквад 2НТ 0.01К; 3-окти-ловый спирт 0,01 Ж | С»-0,01Х);

«01

u s л о & ?

? Eg

5 а»

0 »>

8 S3 > ё*

ю ^ Я

v !?§

1 Я о в Я о с »g

си Я

8 'Я

а «вз

из а 0) о

к « о 5 73 о

Ей

g 3

?а и

« о г ы

5*

в s

« о

дЗ го »

?

*?

<-

«*>

N. cs1

• ь 3 **" 5? Д И Я

? S 2 2

я-еI X

**'

* on

•За

О о

?о й

я §

s *

аз

Е *

== Й

?= ": X °

S s

? 8

со* " о

т

. JWAmMJ^Sil^-'oLiiMJ^ 1,1 CSV OA C.2

j,2 s,u o.s o,i ta i,2 t,4 i,t 0 2 г,г ti'T.i i.s 3,6 3,2 s,i 3,6 3} i,c

Otp*oxn«mgmut bus mums, 4

PHC. 9. Зависимость скорости роста (растворения) грани кристалла йодистого калия от величины переохлаждения (перегрева! растворов, содержащих поливиниловый спирт:

/-БЕЗ ДОБАВОК ПАВ; '2— ПАЛНАИНИЛОВЫЯ спирт 0.0005 вес. К; 3-ПОЛНАНИНЛОВМН СПИРТ 0,001 ВЕС. 4 - полкйиЕтдоный СПИРТ

0.0И ВЕС, К.

добавкой ^ тетратиосульфагс-кадмиаат

РАСЧЕТНЫЙ ДАННЫЕ;

I —оез добавок ПАН; с добавкой тетр*'

н.трк». 2-0,001 ВЕС. %; 3-0,010 ВЕС. %

Q~ ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНЫЕ данные).

Рис. П. Проекции фронта роста ГРАНИ кристалла хлористого калия на плоскость, нормальную к на-, правлению роста ПРИ я ере охлаждении;

й-0,7 град: ti-1,3 град, в - 1.! ?мЗ

роста граней становятся больше скоростей их растворения при равных величинах перегрева. При кристаллизации хлористого аммония это имеет место практически при любой величине переохлаждения, при кристаллизации хлористого калия — при переохлаждениях выше 1,3 град и т. д. Следовательно, при определенных величинах переохлаждений и соответствующих им скоростях роста фактическая поверхность растущей грани превышает величину ее проекции на плоскость нормальную к направлению роста. Действительно, как видно из рис. 11, растущая грань кристалла при этих условиях не является плоской, на ней образуются значительные выступы .и неровности. Это явление, как и отклонение экспериментальной зависимости скорость роста — переохлаждение от соответствующих теоретических зависимостей, предложенных Фольмером и Страиским, — может быть объяснено переходом от мононуклеар-ного режима роста грани к полинуклеарному при определеииой скорости роста [2].

Если двумерные зародыши возникают при встрече активных твердых примесей с гранью кристалла, то частота их образования может быть записана как:

/-Z.2Af(l-e-vt) (1)

где L — линейный размер грани;

Л/—поток твердых примесей в направлении, нормальном к

растущей грани; V—частота образования двумерных зародышей у частицы

твердой примеси, находящейся на грани кристалла; т —время пребывания частицы твердой примеси на грани кристалла.

При малых значениях показателя vt, что, по-видимому, справедливо при малых переохлаждениях, формула (1) может быть упрощена:

а

1 = L2Nrt =? l?Nz -4- ё Л т 12)

Д72

Скорость роста грани при мононуклеарном режиме роста:

,3)

(4)

it

При полинуклеарном режиме роста за время прорастания зародыша на всю грань иа ией успевают возникнуть новые зародыши; при этом скорость роста грани будет равна:

лД72

где а — величина, пропорциональная периферийной энергии двумерного зародыша, образующегося у частицы твердой примеси на грани кристалла;

иа

6 — толщина двумерного Зародыша;

п — количество двумерных зародышей, достаточное для заполнения нового слоя на грани кристалла при полинуклеарном росте.

(5)

Период между последовательным образованием двумерных зародышей равен:

дг

Дт =

L2NxA

(6)

Прирост размера двумерного зародыша за это время составит

L*NxA

где Ь — скорость распространения двумерного зародыша по грани при переохлаждении равном единице. Для оценки количества двумерных зародышей, образующихся за время распространения нового слоя на грани, можно принять, что их суммарная поверхность равна площади грани:

Д(2+(2Д02+...+(лД()2=^ (7)

Отсюда

(9)

л(л + 1)(2л + .)Ц_^ (8)

и, с достаточной степенью приближения:

л + 0,5 3

Из уравнений (&) и (9) следует, что число зародышей, нео

страница 29
< К СПИСКУ КНИГ > 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37

Скачать книгу "Промышленная кристаллизация" (1.19Mb)


[каталог]  [статьи]  [доска объявлений]  [прайс-листы]  [форум]  [обратная связь]

 

 

Реклама
пищевой пульверизатор для масла купить
плитка yaiza
юрист по семейным спорам
курсы массажиста

Рекомендуемые книги

Введение в химию окружающей среды.

Книга известных английских ученых раскрывает основные принципы химии окружающей среды и их действие в локальных и глобальных масштабах. Важный аспект книги заключается в раскрытии механизма действия природных геохимических процессов в разных масштабах времени и влияния на них человеческой деятельности. Показываются химический состав, происхождение и эволюция земной коры, океанов и атмосферы. Детально рассматриваются процессы выветривания и их влияние на химический состав осадочных образований, почв и поверхностных вод на континентах. Для студентов и преподавателей факультетов биологии, географии и химии университетов и преподавателей средних школ, а также для широкого круга читателей.

Химия и технология редких и рассеянных элементов.

Книга представляет собой учебное пособие по специальным курсам для студентов химико-технологических вузов. В первой части изложены основы химии и технологии лития, рубидия, цезия, бериллия, галлия, индия, таллия. Во второй части книги изложены основы химии и технологии скандия, натрия, лантана, лантаноидов, германия, титана, циркония, гафния. В третьей части книги изложены основы химии и технологии ванадия, ниобия, тантала, селена, теллура, молибдена, вольфрама, рения. Наибольшее внимание уделено свойствам соединений элементов, имеющих значение в технологии. В технологии каждого элемента описаны важнейшие области применения, характеристика рудного сырья и его обогащение, получение соединений из концентратов и отходов производства, современные методы разделения и очистки элементов. Пособие составлено по материалам, опубликованным из советской и зарубежной печати по 1972 год включительно.

 

 



Рейтинг@Mail.ru Rambler's Top100

Copyright © 2001-2012
(08.12.2016)