химический каталог




Промышленная кристаллизация

Автор В.И.Панов

го кристалла определялась также и устойчивость чистых пересыщенных растворов.

o,oi o.ooi

Содержание супьфанола.бес %

Рис. 5. Влияние содержания сульфанола на величину индукционного периода растворов сернокислого калия при переохлаждении, равном 11,4° С:

1 — чистый раствор; 2 - ра-створ с затравочным кристаллом.

При определениях в качестве добавок использовались также ПАВ, которые повышали устойчивость чистых пересыщенных растворов [2], а именно: гексаметафосфат натрия и поливиниламин для

Растворы без затравочного кристалла: / — без добавок

ПАВ: 2-е поливиниловым спиртом. Растворы с затравочным кристаллом: 3-без добавок ПАВ; 4 — с поливиниловым спиртом.

растворов хлористого аммония, сульфанол для растворов сернокислого калия, поливиниловый спирт для растворов бромистого калия. Растворы хлористого аммония и бромистого калия насыщались при 27° С; сернокислого калия, ввиду большей устойчивости его пересыщенных растворов, — при 40° С; температуры предварительного перегрева растворов были равны, соответственно, 50 и 70° С; длительность перегрева составляла 5 мин. Содержание ПАВ в растворах изменялось в пределах 0 + 0,035 вес.%. Для растворов хлористого аммония и сернокислого калия были определены величины индукционного периода при постоянном переохлаждении и различном содержании ПАВ, а также при постоянном содержании ПАВ и различных переохлаждениях; для растворов бромистого калия величины периода индукции определены для различных переохлаждений при одном значении содержания ПАВ. Результаты экспериментов приведены на рис. 2—6. Как видно из полученных данных, введение ПАВ в раствор повышает устойчивость пересыщенных растворов как в присутствии затравочного кристалла, так и без него; зависимости величины индукционного периода от переохлаждения при этом смещаются в область более высоких переохлаждений. Этот факт является еще одним подтверждением того, что инициирующее действие затравочного кристалла на процесс кристаллизации проявляется благодаря наличию посторонних твердых примесей. При контакте некоторых твердых примесей с гранью кристалла создаются благоприятные условия для образования двумерного зародыша у примеси. Механический отрыв частицы такой примеси в начале прорастания зародыша превращает ее в центр кристаллизации. С другой стороны, поскольку ПАВ замедляют образование зародышей кристаллов также и в присутствии затравочных кристаллов, есть основания ожидать их положительного влияния и при ступенчатом осуществле-.нии процесса кристаллизации.

ВЫВОДЫ

1. Поверхностно-активные вещества, замедляющие процесс образования зародышей кристаллов в чистых растворах, оказывают

аналогичное действие и на процесс образования зародышей в присутствии затравочного кристалла. Это является косвенным доказательством того, что и в последнем случае зародыши кристаллов

образуются на посторонних твердых примесях; затравочный кристалл лишь активирует эти примеси.

2, Величина индукционного периода образования зародышей

кристаллов возрастает при увеличении содержания ПАВ как при

наличии, так и в отсутствие затравочного кристалла.

Литература

1. А. В. Белюстин, Э. Д. Рогачева, сб. «Рост кристаллов», вып. IV, Изд. «Наука», 1964, стр. 5; Э. Д. Рогач.ева, А. В. Белюстии, сб. «Рост кристаллов», вып. V, Изд. «Наука», 1965, стр. 233.

2. В. И. Панов, А. Н. Новиков, В. А. П р и с я ж и ю к, настоящий сборник стр. 72.

СКОРОСТЬ РОСТА И РАСТВОРЕНИЯ КРИСТАЛЛОВ В ПРИСУТСТВИИ ПАВ

В. И. Панов, А. Н. Новинов, В. Л. Присяшнюн

На основании предположения о единстве механизма гетерогенного зароды-шеобразования в объеме раствора и на растущей грани кристалла построена теория роста кристалла из растворов, содержащих добавки поверхностно-активных

93

веществ. Выведено уравнение скорости роста кристалла для случая ноио-иуклеарного и полинуклеарного роста. Теория позволяет объяснить полученный экспериментальный материал. Зависимость скорости роста грани кристалла от переохлаждения раствора, построенная на основе теории, хорошо согласуется с полученными экспериментальными данными.

Исходя из общих представлений о механизме роста кристаллов, можно ожидать, что ПАВ будут влиять на скорость этого процесса, создавая дополнительное сопротивление диффузионному переносу вещества к растущей грани кристалла или изменяя работу образования двумерных зародышей на грани кристалла. Эти изменения могут быть не одинаковыми для граней с различными индексами, что в конечном счете проявится в изменении облика кристалла.

Скорость роста грани кристалла определялась путем микрофотографирования через определенные промежутки времени растущего кристалла, неподвижно закрепленного в термостатированном сосуде, заполненном растворами с определенной степенью переохлаждения. Перемешивание раствора в сосуде строго стабилизировалось. Раствор для выращивания кристалла приготавливался отдельно сразу для всей серии опытов, что гарантировало его идентичность во всех опытах. Приготовленный раствор перед экспериментом подвергался предварительной обработк

страница 27
< К СПИСКУ КНИГ > 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37

Скачать книгу "Промышленная кристаллизация" (1.19Mb)


[каталог]  [статьи]  [доска объявлений]  [прайс-листы]  [форум]  [обратная связь]

 

 

Реклама
viega (германия)
системы multi room
форма футбольная в новосибирске купить
ммдм цыгане скрипка паганини

Рекомендуемые книги

Введение в химию окружающей среды.

Книга известных английских ученых раскрывает основные принципы химии окружающей среды и их действие в локальных и глобальных масштабах. Важный аспект книги заключается в раскрытии механизма действия природных геохимических процессов в разных масштабах времени и влияния на них человеческой деятельности. Показываются химический состав, происхождение и эволюция земной коры, океанов и атмосферы. Детально рассматриваются процессы выветривания и их влияние на химический состав осадочных образований, почв и поверхностных вод на континентах. Для студентов и преподавателей факультетов биологии, географии и химии университетов и преподавателей средних школ, а также для широкого круга читателей.

Химия и технология редких и рассеянных элементов.

Книга представляет собой учебное пособие по специальным курсам для студентов химико-технологических вузов. В первой части изложены основы химии и технологии лития, рубидия, цезия, бериллия, галлия, индия, таллия. Во второй части книги изложены основы химии и технологии скандия, натрия, лантана, лантаноидов, германия, титана, циркония, гафния. В третьей части книги изложены основы химии и технологии ванадия, ниобия, тантала, селена, теллура, молибдена, вольфрама, рения. Наибольшее внимание уделено свойствам соединений элементов, имеющих значение в технологии. В технологии каждого элемента описаны важнейшие области применения, характеристика рудного сырья и его обогащение, получение соединений из концентратов и отходов производства, современные методы разделения и очистки элементов. Пособие составлено по материалам, опубликованным из советской и зарубежной печати по 1972 год включительно.

 

 



Рейтинг@Mail.ru Rambler's Top100

Copyright © 2001-2012
(17.01.2017)