химический каталог




Основы общей химии. Том 2

Автор Б.В.Некрасов

и а т галлия малоустойчив, и из его раствора уже при 0°С быстро выделяется (А1Н3)Х, а упаривание фильтрата в вакууме дает устойчивый до 35 °С кристаллический (C2Hs)20GaH3. Получены также кристаллические соединения галлийтригидрида с три-метиламииом—(CH3bNGaH3 и [(CH3)3N]2GaH3 — аналогичные соответствующим производным алюминия (§ 2 доп. 84). Рентгеноструктурное изучение первого из этих соединений подтвердило, что оно моиомерио [d(NGa) = 1,97 А]. Его ближайшим аналогом является (CH3)3PGaH3 (т. пл. 71 °С), изоструктуриый соответствующим производным бора и алюминия (интересно, что их устойчивость изменяется по ряду В > Ga ;» » А1). Взаимодействием GaH3 и HN3 может быть, по-видимому, получен азид галлия— Ga(N3)3. Известен также гидрохлорид галлия — GaHCl2, более устойчивый в виде аддукта (CH3)3NGaHCI2 (т. пл. 70 °С). Последний является представителем ряда бесцветных кристаллических соединений общей формулы (CH3)3NGaH3_nXn. где X — CI, Вг, I, а п = 0 3.

49) Аналогичный диборану димериый гидрид галлия Ga2He был описай в 1942 гч как бесцветная жидкость (т. пл. —21, т. кип. 139°С), разложение которой на элементы начинает идти выше 130 °С. Однако при проверке этих данных (в 1963 г.) они ие подтвердились. Таким образом, бытовавшее в научной литературе соединение (с теоретической стороны очень интересное) было «закрыто». Не подтвердилось, по-видимому, и существование полигаллана— (GaH3)*.

50) Ии дай ат лития образуется при —25 °С в эфирной среде по реакции, аналогичной образованию галлаиата, и может быть выделен в виде эфирата состава LiInH4 • 3(С2Н5)20. Взаимодействие его в эфирной среде с 1пС13 ведет к образованию полимерного (1пН3)х (который постепенно выделяется из раствора после отфильтро-вывания LiCl). Индогидрид представляет собой белое твердое вещество, нерастворимое в воде и органических растворителях. При хранении иа воздухе и под действием горячей воды ои разлагается медленно, а кислотами быстро. Были получены также бораиат и алаиат индия, но оба они весьма неустойчивы (разлагаются соответственно выше —10 и —40 °С).

51) Талланат лития образуется при —15°С аналогично иидаиату, но белый, очень гигроскопичный LiTlH4 выделяется без эфира. Взаимодействием его в эфирной среде с T1CU может быть получен белый, легко разлагающийся (Т1Н3)Ж. Галланат трехвалентного таллия устойчив лишь ниже —90 °С, а аланат и бораиат известны только в виде еще менее устойчивых смешанных солей типа Т1С1(ЭН4)2.

52) Известны соединения формально двухвалентного галлия с С1, Вг, I, S, Se, Те. Однако исследование кристаллов GaCl2 и GaS показало, что оба эти соединения димериы, причем обладают различной внутренней структурой. Хлорид Ga2Cl4 представляет собой соль с катионом Ga* и тетраэдрическим анионом [GaCl4]~

[где 53) Значительно лучше других рассматриваемых производных изучен Ga^U, который образуется, в частности, при 150°С по схеме: 2HGaCl2 = H2f -j- Ga2Cl4. Его бесцветные кристаллы плавятся при 176 "С, а образующаяся жидкость легко переохлаждается и хорошо проводит электрический ток. Выше 200 °С становится заметным разложение Ga2CI4 (иа GaCI3 и Ga). Определение его молекулярного веса в бензоле показало, что раствор содержит молекулы Ga2Cl4, обладающие очень большим диполь-иым моментом (и, == 8,9). Был выделен и крнсталлосольват Ga^U • С«Нб. С водой Ga2Cl4 энергично реагирует, выделяя водород. Так как подобная же реакция имеет место и при разбавлении водой раствора Ga в небольшом количестве концентрированной HCI, очень вероятно, что раствор этот содержит Ga2CI4. Из его аналогов бесцветный Ga2Br4 известен в Двух формах, характеризующихся температурами плавления 153 и 165°С, а желтый Ga2I4 плавится при 211°С (расплав — темно-красный). Дальнейшее нагревание ведет к его разложению иа Gal3 и Gal. В солях типа [N(CH3)4J[Ga2re] (где Г — О, Вг, I) анион имеет, по-видимому, этаноподобное строение с прямой валентной связью Ga—Ga.

54) Важнейшим представителем производных одновалентного галлия является коричнево-черный окисел Ga20, образующийся при нагревании Ga2Os с металлическим галлием. Очистка его может быть проведена перегонкой в вакууме пря 500 °С. Молекула Ga20 характеризуется параметрами rf(GaO) = 1,84 А и <^GaOGa «= 140е. Теплота образования этого окисла из элементов -равна 82 ккал/моль. При взаимодействии с серной кислотой он частично восстанавливает H2S04 до H2S. Известен также серо-черный сульфид Ga2S, медленно разлагаемый водой и разбавленными кислотами уже на холоду. Около 1000 "С ои дисмутирует иа Ga2S2 и Ga.

55} Из галоидных производных, помимо упоминавшихся выше, описаны Ga[AlCl4] (т. пл. 175 °С) и сольват монохлорида галлия с двумя молекулами диоксаиа. В индивидуальном состоянии GaCl может быть, по-видимому, получен взаимодействием Ga с хлористым водородом при 820°С (под давлением 10 мм рт. ст.).

56) Хлорид двухвалентного индия может быть получен нагреванием индия до 970°С в токе хлористого водорода (под давлением Ю мм рт. ст.): отгоняющаяся желтая жидкость дает при остывании бесцветные кристаллы (т. пл. 235, т. кип. 485 °С). Плотность пара в интервале 500—700 °С отвечает формуле 1пС12, но в жидком и твердом состояниях вещество имеет удвоенную формулу со строением In[InCUj. Водой двухлористый индий разлагается иа In и 1пС13, причем процесс идет в две стадии: 21пС12 = 1пС!3 -f- InCI и затем 3lnCI *= InCI3 + 21п. В то время как для InCla вторая из них тотчас следует за первой, при действии холодной воды иа 1пВг2 (т. пл. 240, т. кип. 638*0) разложение задерживается иа первой стадии и дальше идет сравнительно медленно. Были также описаны малоустойчивый InF2 и 1п12 (т. пл. 225 °С). Для красного сульфида (т. пл. 692), селеинда (660 °С) и теллурида двухвалентного индия известны теплоты образования из элементов (ккал/моль): 34 (InS), 28 (InSe) и 23 (InTe). Два последних соединения обладают полупроводниковыми свойствами.

57) Хлорид одновалентного индия может быть получен пропусканием паров 1пС12 над нагретым In. Ои известен в двух кристаллических формах: желтой, устойчивой при обычной температуре, и красной, устойчивой выше 120 °С. Около 1100°С плотность пара отвечает формуле InCI [d(InCl) = 2,40 А], однако при дальнейшем повышении температуры плотность пара увеличивается. Водой InCI разлагается иа 1пС13 и In. Некоторые свойства различных хлоридов индия сопоставлены ниже:

1пС|3 InCI* InCI

Теплота образования, ккал/моль 126 96 48

Температура плавления. °С. . . 586 235 225

^ V расплавленного .... бесцв. бесов. желтый

желтый желто- темно коричн. красный

Температура кипения, вС . . . . 498 485 609

Теплоты образования из элементов оранжево-красного 1пВг (т. пл. 285, т. кип. 656 °С) и коричнево-красного Inl (т. пл. 365. т. кип. 712 вС) равны соответственно 42 и 28 ккал/моль, а <*(1пГ) в парах —2,54 и 2.86 А. Ионный радиус In* оценивается в 1,32 А. Интересным его производным является желтоватый InfAlClJ (т. пл. 268 взаимодействие которого с эфиром идет по схеме (С,Н6)20 + 1пА1С1*= (C»H*)20A1CU+ + InCI.

Реакцией по схеме С08 + 21п = 1щ0 + С0 при 850 еС (под давлением 10 мм рт. ст.) может быть получен черный окисел 1п20. В его молекуле rf(InO)=2,02A и ZInOIn *= 150е. Взаимодействие индия с сероводородом при высоких температурах ведет, по-видимому, к образованию черного In2S. Полимерный (1пН), образуется при слабом нагревании (InHs), в вакууме. Он термически устойчив до 340 "Си нерастворим в обычных растворителях, а горячей водой медленно разлагается по схеме 31пН + ЗНаО = ЗН2-f-In(OH)s + 21п. Известно также циклопеитадиеиильиое производное одновалентного индия — InCsH*, имеющее «полусэндвичевую» структуру (ср. X $ 2 доп. 34) с расстояниями 4(1пС)= 2,62 А. Его желтоватые летучие кристаллы устойчивы до П0°С.

58) Теплоты образования некоторых с

страница 29
< К СПИСКУ КНИГ > 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 100 101 102 103 104 105 106 107 108 109 110 111 112 113 114 115 116 117 118 119 120 121 122 123 124 125 126 127 128 129 130 131 132 133 134 135 136 137 138 139 140 141 142 143 144 145 146 147 148 149 150 151 152 153 154 155 156 157 158 159 160 161 162 163 164 165 166 167 168 169 170 171 172 173 174 175 176 177 178 179 180 181 182 183 184 185 186 187 188 189 190 191 192 193 194 195 196 197 198 199 200 201 202 203 204 205 206 207 208 209 210 211 212 213 214 215 216 217 218 219 220 221 222 223 224 225 226 227 228 229 230 231 232 233 234 235 236 237 238 239 240 241 242 243 244 245 246 247 248 249 250 251 252 253 254 255 256 257 258 259 260 261 262 263 264 265 266 267 268 269 270 271 272 273 274 275 276 277 278 279 280

Скачать книгу "Основы общей химии. Том 2" (12.92Mb)


[каталог]  [статьи]  [доска объявлений]  [прайс-листы]  [форум]  [обратная связь]

 

 

Реклама
Продажа элитных коттеджей в поселке Ильинка
сантехника виллерой и бош
видеорегистраторы xdevice купить
монтажные скобы s+s regeltechnik mk 05 stahl

Рекомендуемые книги

Введение в химию окружающей среды.

Книга известных английских ученых раскрывает основные принципы химии окружающей среды и их действие в локальных и глобальных масштабах. Важный аспект книги заключается в раскрытии механизма действия природных геохимических процессов в разных масштабах времени и влияния на них человеческой деятельности. Показываются химический состав, происхождение и эволюция земной коры, океанов и атмосферы. Детально рассматриваются процессы выветривания и их влияние на химический состав осадочных образований, почв и поверхностных вод на континентах. Для студентов и преподавателей факультетов биологии, географии и химии университетов и преподавателей средних школ, а также для широкого круга читателей.

Химия и технология редких и рассеянных элементов.

Книга представляет собой учебное пособие по специальным курсам для студентов химико-технологических вузов. В первой части изложены основы химии и технологии лития, рубидия, цезия, бериллия, галлия, индия, таллия. Во второй части книги изложены основы химии и технологии скандия, натрия, лантана, лантаноидов, германия, титана, циркония, гафния. В третьей части книги изложены основы химии и технологии ванадия, ниобия, тантала, селена, теллура, молибдена, вольфрама, рения. Наибольшее внимание уделено свойствам соединений элементов, имеющих значение в технологии. В технологии каждого элемента описаны важнейшие области применения, характеристика рудного сырья и его обогащение, получение соединений из концентратов и отходов производства, современные методы разделения и очистки элементов. Пособие составлено по материалам, опубликованным из советской и зарубежной печати по 1972 год включительно.

 

 



Рейтинг@Mail.ru Rambler's Top100

Copyright © 2001-2012
(27.02.2017)