химический каталог




Основы общей химии. Том 2

Автор Б.В.Некрасов

вты диссоциации ионов GaNCS" и InNCS" равны соответственно Ю~* и 5- 10-*. 4

37) Бесцветные азотнокислые соли Ga*+, In3* и Т1** из растворов выделяются в виде кристаллогидратов, которые легко расплываются иа воздухе. Растворимость Ga(NOa)S'9H20 равна 295 г иа 100 г Н20 (при 20"С). Основные нитраты галлия хорошо растворимы, и при достаточном добавлении к раствору Ga(N03)9 щелочи осаждаетси непосредственно Ga(OHb- Безводный 1п(ЫОз)3 интересен тем, что способен возгоняться без разложения. Для галлия и таллия известны кристаллические вит-раткые комплексы с диыетилсульфоксндом (X $ 2 доп. 71) общего типа [3(DMCO)6](N03)3 It. пл. 202 (Ga) или П0°С (ТТ)]. Установлено, что молекулы (CH3)2SO координированы в иих через атомы кислорода. С азотнокислыми солямя щелочных металлов нитрат таллия образует комплексы типа M2[T1(N03)5]. Подобное же соединение с NH4NOa известно и для In(N03)3.

38) Перхлорат галлия образуется при кипячении металла с 72%-иой хлорной кислотой. Из охлаждающегося раствора ои выделяется в виде кристаллогидрата Ga(C104)3 • 6Н1О. Соль эта очень хорошо растворима ие только в воде, но и в спирте. Для галлия и таллия известны перхлоратиые комплексы с диыетилсульфоксндом, по составу аналогичные нитратным (ио при нагревании взрывающиеся). Фосфат галлия (GaP04) плавится лишь при 1670 °С и по свойствам похож иа фосфат алюминия (§ 2 доп. 66). И для галлия, и для иидия известны ацетилацетоиаты Э(СвН702)з, плавящиеся при 194 (Ga) или 186°С (In). Получен и золотисто-желтый циклопентадиеннд трехвалентного индия — In(CsHs)3.

39) Из сернистых производных Ga** и его аналогов Ga2S3 представляет собой желтое кристаллическое вещество, медленно разлагающееся водой уже иа холоду. При его нагревании выше 950 °С идет реакция по схеме 2Ga2S3 ч* Ga4S5 -f S. Кристаллическая структура тетрагаллий-пеитасульфида устойчива в пределах состава от Ga4S5,j до Ga4S4.t и начинает разрушаться с отщеплением серы лишь выше 1200 °С. Сухим путем были получены желтые тиогаллаты MGaSj (где М—Na, К). Из аналогичных сульфиду галлия Ga3Se3 и Ga2Tej (т. пл. 790°С) последний интересен тем, что обладает полупроводниковыми свойствами. Теплоты образования этих соединений составляют (ккал/моль): 137 (S), 105 (Se) и 65 (Те).

И для серы, и для ее аналогов известны гидролизующиеся во влажном воздухе соединения типа ЭйаГ (где Г —CI, Br, 1). За исключением имеющих желтую окраску производных теллура, они бесцветны. Получен и бесцветный SGaF, подобно OGaF отличающийся устойчивостью по отношению к горячей концентрированной H*S04.

40) В отличие от сульфида галлия, In2S3 (т. пл. 1050 °С) ие разлагается ие

только водой, но и разбавленными кислотами. Благодаря этому ои может быть получен пропусканием HSS в слабокислые растворы солей In3*. Первоначально InjSs выделяется в виде желтого осадка, легкорастворимого в HNOs. При продолжительном

кипячении с разбавленными кислотами ои переходит в более устойчивую красную

форму, уже труднорастворимую в HNO3- Последний форма получается также в результате непосредственного соединения индия с серой при нагревании. С сульфидами

щелочных металлов In2S3 образует тиоиидаты MlnSs светло-желтого (LI, Na)

или розового (К) цвета. Был выделен и бесцветный кристаллогидрат NaInS2*HaO.

Аналогичные сульфиду иидия In2Se3 (т. пл. 890) и 1п2Тез (т. пл. 667 °С) обладают

полупроводниковыми свойствами. Теплоты образования этих веществ составляют

(ккал/моль): 102 (S), 82 (Se) и 47 (Те). Смешанные соединении типа Э1пГ (где Э —S,

Se, Те, а Г — CI, Br, I) известны во всех сочетаниях. Были получены также SInF HSelnR

41) Черный нерастворимый в воде и разбавленных кислотах T12S3 (т. пл. 260 °С)' может быть получен только сухим путем. Взаимодействие H2S с солями трехвалентного таллия ведет к восстановлению последнего по схеме 2Т1*" + ЗН2$ = TljS + 2S + + 6Н\ Довольно характерен для таллия известный в двух формах (красной и черной) полисульфнд TlaS5. Фотоэлемент с оксосульфидом таллня характеризуется огромной чувствительностью к невидимым инфракрасным лучам, источником которых является всякий нагретый предмет.

42) Желтый нитрид трехвалентного галлия (GaN) может быть получен взаимодействием Ga203 с аммиаком при 900 °С, а черный IiiN — взаимодействием 1пС13 и NHj при 600 "С. Теплоты их образования из элементов составляют 25 (Ga) и 5 (In) ккал/моль. Оба нитрида обладают большой твердостью и очень устойчивы по отношению к кислотам, но разлагаются горячими щелочами. При нагреваинн на воздухе оии медленно переходят в соответствующие окнси. Полупроводниковые свойства характерны лишь для GaN, тогда как InN довольно хорошо проводит электрический ток. Известен и сероватый двойной нитрид Li3GaN2, менее устойчивый, чем аналогичное производное алюминия.

43) фосфиды рассматриваемых элементов — оранжевый GaP (т. пл. 1500) и черный 1пР (т. пл. 1062 °С) могут быть получены прямым синтезом из элементов. При температурах плавления они уже сильно диссоциированы. Фосфид индия (теплота образования 21 ккал/моль) легко гидролизуется.в кислых средах (ко концентрированной HNOj пассивируется). Оба вещества являются хорошими полупроводниками с шириной запрещенной зоны 2,4 (GaP) или 1,3 эв (InP). Известен и смешанный фосфид состава LisGaP2. Для таллня были описаны Т,1Р3 и TIP5.

44) На основе фосфида галлия был сконструирован миниатюрный (цилиндр из пластмассы длиной 1 и диаметром 0,75 мм) полупроводниковый источник красного света. При включении тока он «загорается» за время менее 10~6 сек. Такая его «ско-росветиость» может найти использование в различных быстродействующих установках.

45) Подобно фосфидам, арсенйды и аитимоииды галлия и индия могут быть получены прямым синтезом из элементов. Все они устойчивы в обычных условиях и являются полупроводниками. Некоторые их свойства сопоставлены инже:

IGaAs QsSb InAs InSb

•0 7 4

712 942 525

0,77 0,35 0.18

При образовании этих соединений имеет место некоторое смещение электронной плотности от Ga и tin к As и Sb, которое может быть описано величинами эффективных зарядов (III § 6 доп. 4). По приближенной оценке б = ±0,36 (GaAs), 0,16 (GaSb), 0,54 ^InAs), 0,36 (InSb). Так как электропроводность InSb сильно меняется под действием инфракрасного излучения, ои часто служит основой приборов, «видящих» в темноте нагретые предметы. Под давлением в 30 тыс. ат аитимоиид индия изменяет свою кристаллическую структуру, что сопровождается увеличением его электропроводности в миллион раз. Известен и двойной ар сен ид состава LisGaAs2.

46) Арсеиид галлия послужил рабочим веществом первого лазера, сконструированного иа полупроводниках (§ 2 доп. 30). Ои работает при температуре жидкого азота и дает излучение с А, = 8430 А, т. е. в инфракрасной области. Однако при большой мощности такого излучения глаз воспринимает его как интенсивно красное свечение. Для лазера на GaAs уже удалось получить коэффициент полезного действия электрического тока более 80% (тогда как для рубинового лазера он обычно ие превышает 0,1%).

47) При взаимодействии GaCl3 с избытком взвеси LiH в эфирной среде по схеме GaCl3 + 4LiH » 3LiCl| + LiGaH« образуется галлаиат лития, который может быть затем выделен отгонкой эфира в вакууме, Ои представляет собой бесцветное кристаллическое вещество, медленно разлагающееся уже при обычной температуре. Его восстановительная активность выражена слабее, чем у LiAlH4 и LiBH4. Нагревание LtGaH* до 100 "С вызывает его распад по схеме 3LiGaH4 = Li3GaH6 + 2Ga ЗН2. Дальнейший распад по схеме 2U3GaHe = 6LiH -j- 2Ga -f- 3H2 наступает при 240 eC.

Обменным разложением соответствующих солей с LiGaH4 (в органических растворителях) были получены устойчивые при обычной температуре галлаиаты MGaH4 других щелочных металлов и некоторых комплексных катионов. При взаимодействии LiGaH4 с AgC104 в эфирной среде около —100 °С осаждается оранжевый AgGaH4 (уже выше —75°С распадающийся на элементы).

48) Эфират моногалла на (GaH3) был получен в качестве вторичного продукта реакции по схеме GaCl3 + 3LiAlH4 = 3LiCl| -+- Ga (A1H4)3: образующийся а л а

страница 28
< К СПИСКУ КНИГ > 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 100 101 102 103 104 105 106 107 108 109 110 111 112 113 114 115 116 117 118 119 120 121 122 123 124 125 126 127 128 129 130 131 132 133 134 135 136 137 138 139 140 141 142 143 144 145 146 147 148 149 150 151 152 153 154 155 156 157 158 159 160 161 162 163 164 165 166 167 168 169 170 171 172 173 174 175 176 177 178 179 180 181 182 183 184 185 186 187 188 189 190 191 192 193 194 195 196 197 198 199 200 201 202 203 204 205 206 207 208 209 210 211 212 213 214 215 216 217 218 219 220 221 222 223 224 225 226 227 228 229 230 231 232 233 234 235 236 237 238 239 240 241 242 243 244 245 246 247 248 249 250 251 252 253 254 255 256 257 258 259 260 261 262 263 264 265 266 267 268 269 270 271 272 273 274 275 276 277 278 279 280

Скачать книгу "Основы общей химии. Том 2" (12.92Mb)


[каталог]  [статьи]  [доска объявлений]  [прайс-листы]  [форум]  [обратная связь]

 

 

Реклама
http://taxiru.ru/faq/reklamniy-korob/
аквапарки крыма
стеклокерамика посуда
термостат 3 м fst-5d thermasregrk цена

Рекомендуемые книги

Введение в химию окружающей среды.

Книга известных английских ученых раскрывает основные принципы химии окружающей среды и их действие в локальных и глобальных масштабах. Важный аспект книги заключается в раскрытии механизма действия природных геохимических процессов в разных масштабах времени и влияния на них человеческой деятельности. Показываются химический состав, происхождение и эволюция земной коры, океанов и атмосферы. Детально рассматриваются процессы выветривания и их влияние на химический состав осадочных образований, почв и поверхностных вод на континентах. Для студентов и преподавателей факультетов биологии, географии и химии университетов и преподавателей средних школ, а также для широкого круга читателей.

Химия и технология редких и рассеянных элементов.

Книга представляет собой учебное пособие по специальным курсам для студентов химико-технологических вузов. В первой части изложены основы химии и технологии лития, рубидия, цезия, бериллия, галлия, индия, таллия. Во второй части книги изложены основы химии и технологии скандия, натрия, лантана, лантаноидов, германия, титана, циркония, гафния. В третьей части книги изложены основы химии и технологии ванадия, ниобия, тантала, селена, теллура, молибдена, вольфрама, рения. Наибольшее внимание уделено свойствам соединений элементов, имеющих значение в технологии. В технологии каждого элемента описаны важнейшие области применения, характеристика рудного сырья и его обогащение, получение соединений из концентратов и отходов производства, современные методы разделения и очистки элементов. Пособие составлено по материалам, опубликованным из советской и зарубежной печати по 1972 год включительно.

 

 



Рейтинг@Mail.ru Rambler's Top100

Copyright © 2001-2012
(25.07.2017)