химический каталог




Основы общей химии. Том 1

Автор Б.В.Некрасов

лочки 3523/? и двухвалентен. Возбуждение его до ближайшего четырехвалентного состояния (3S3/73) требует затраты 95 ккал/г-атом, т. е. почти такой же энергии, как и в случае углерода (VI § 3 доп. И). Последовательные энергии ионизации этого атома равны 8,15; 16,34; 33,46 и 45,13 эв. Его сродство к одному электрону оценивается в 34 ккал/г-атом.

3) Небольшие количества кремния присутствуют практически во Всех частях человеческого организма, причем наиболее богаты нм легкие (0,65 мг на е сухой ткани). Относительно много кремния содержат волосы и ногти. Имеются указания на избыточное его накопление раковыми опухолями (с одновременным уменьшением содержания в моче).

4) Для получения больших количеств элементарного кремния обычно используется проводимая в электрической печи реакция по уравнению: SiOj + 2С = 2СО + Si (что дает продукт не выше 99%-ной чистоты). Такой кремний иногда применяется для выделения свободных металлов из их окислов (т. и. с и л и к о т е р м и я). Значительно более чистый Si получается при взаимодействии паров четыреххлористого кремния и цинка около 1000°С (по реакции: SiCU + 2Zn = 2ZnCl2 + Si), а еще более чистый — термическим разложением SiH4 на элементы при температурах выше 780 "С.

5) Кремний часто получают в виде сплава с железом (ферросилиция) сильным накаливанием смеси SiOj, железной руды и угля. Сплавы, содержащие до 20% Si, могут быть, таким образом, изготовлены в доменных печах, более высокопроцентные — в электрических. Ферросилиций непосредственно используется для изготовления кислотоупорных изделий, так как уже при Содержании 15% Si на металл не действуют все обычные кислоты, кроме соляной, а при 50% Si—перестает действовать и НС1. Важнейшее применение ферросилиций находит в металлургии, где он употребляется для введения кремния в различные сорта специальных сталей и чугунов.

в) В кристаллическом состоянии кремний хорошо проводит тепло. Его электропроводность составляет 0,007 (для обычного)—0,000001 (для особо чистого) от электропроводности ртути, причем при нагревании она не понижается (как то характерно для металлов), а повышается. Повышается она и с увеличением давления, а при 120 тыс. аг кремний приобретает свойства металла. Теплота плавления кремния равна 11, теплота атомизации—108 ккал/г-атом. Плавление сопровождается увеличением плотности (приблизительно на 9%), т. е. кремний в этом отношении подобен льду. Резко (в 20 раз) возрастает при плавлении и электропроводность кремния.

7) Кремний кристаллизуется по типу алмаза (d(SiSi) = 2,35 А, а электронная плотность в середине связи 0,25 е/А*]. Его монокристаллы получают выращиванием в вакууме из расплава (путем Медленного вытягивания соприкасающейся с поверхностью жидкости затравки). Таким путем удавалось выращивать монокристаллы диаметром 2,5 см и длиной 24 см. Подобные монокристаллы из очень чистого кремния с соответственно Подобранными добавками (III § 8 доп. 9) служат для изготовления различных полупроводниковых устройств (выпрямителей переменного тока и др.).

8) Важное место среди таких устройств занимают фотоэлементы, служащие для прямого преобразования световой энергии в электрическую. На рис. Х-49 показана спектральная характеристика кремниевого фотоэлемента, из которой видно, что максимум поглощения приходится на инфракрасные лучи. Коэффициент полезного действия кремниевых фотоэлементов составляет около 15%. Из иих построены, в частности, солнечные батареи, обеспечивающие питание радиоаппаратуры на искусственных спутниках Земли. В будущем рисуется перспектива массового наземного применения таких батарей для эффективного использования солнечной энергии (которой Земля ежегодно получает примерно в 100 раз больше, чем могло бы дать сжигание всех известных запасов ископаемого топлива).

9) Для отвечающих переходам Si02— Si и Si — SiH4 окислительно-Восстановительных потенциалов приводятся значения: —0,86 и +0,10 в (кислая среда), —1,73 и —0,73 в (щелочная среда). Эффективный радиус иона Si4+ равен 0,39, а ковалентный радиус атома кремния — 1,17 А.

10) При нагревании газообразный фтористый водород реагирует с кремнием по

схеме: Si + 4HF = SiF4 + 2Н2. Выше 300 °С на мелко раздробленный кремний начинает действовать НС1, а выше 500 *С — НВг. В обоих случаях образуется смесь водорода с Sir4 и вйдородногалоидными производными кремния (SiHr3, SiHaf^ SiH3r>«

И) Подобно карбидам, для силицидов известны только простейшие формулы. Иногда они согласуются с обычными валентностями образующих их металлов и кремния (например, Mg2Si, Mn2Si, MnSi, ReSi), ио в большинстве случаев валентные соотношения остаются неясными (например, Mn3Si, MnsSis, MnSi2, Re3Si, ReSi2, Cr3Si, Cr5Si3l CrSi, CrSia, Mo3Si, MoSij, WsSi3, W3Si3, WSi2, V3Si, VsSi, VSi2, Nb3Si, Nb5Si3, NbSi2, Ta2Si, Ta5Si3, TaSi2).

12) Как правило, силициды характеризуются большой твердостью и устойчивостью по отношению к нагреванию (например, Mg2Si плавится прн 1085, MnSi — при 1270, a TaSi2 — прн 2200 °С). Многие нз них очень устойчивы и по отношению к окислению п

страница 381
< К СПИСКУ КНИГ > 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 100 101 102 103 104 105 106 107 108 109 110 111 112 113 114 115 116 117 118 119 120 121 122 123 124 125 126 127 128 129 130 131 132 133 134 135 136 137 138 139 140 141 142 143 144 145 146 147 148 149 150 151 152 153 154 155 156 157 158 159 160 161 162 163 164 165 166 167 168 169 170 171 172 173 174 175 176 177 178 179 180 181 182 183 184 185 186 187 188 189 190 191 192 193 194 195 196 197 198 199 200 201 202 203 204 205 206 207 208 209 210 211 212 213 214 215 216 217 218 219 220 221 222 223 224 225 226 227 228 229 230 231 232 233 234 235 236 237 238 239 240 241 242 243 244 245 246 247 248 249 250 251 252 253 254 255 256 257 258 259 260 261 262 263 264 265 266 267 268 269 270 271 272 273 274 275 276 277 278 279 280 281 282 283 284 285 286 287 288 289 290 291 292 293 294 295 296 297 298 299 300 301 302 303 304 305 306 307 308 309 310 311 312 313 314 315 316 317 318 319 320 321 322 323 324 325 326 327 328 329 330 331 332 333 334 335 336 337 338 339 340 341 342 343 344 345 346 347 348 349 350 351 352 353 354 355 356 357 358 359 360 361 362 363 364 365 366 367 368 369 370 371 372 373 374 375 376 377 378 379 380 381 382 383 384 385 386 387 388 389 390 391 392 393 394 395 396 397 398 399 400 401 402 403 404 405 406 407 408 409 410 411 412 413 414 415 416 417 418 419 420 421 422 423 424 425 426 427 428 429 430 431

Скачать книгу "Основы общей химии. Том 1" (9.64Mb)


[каталог]  [статьи]  [доска объявлений]  [прайс-листы]  [форум]  [обратная связь]

 

 

Реклама
установка и обслуживание кондиционеров курсы екатеринбург
купить подкрылки опель астра н
Кастрюля Original Pro Collection 18см 2,5 л
мастер по ремонту кондиционеров в лобне

Рекомендуемые книги

Введение в химию окружающей среды.

Книга известных английских ученых раскрывает основные принципы химии окружающей среды и их действие в локальных и глобальных масштабах. Важный аспект книги заключается в раскрытии механизма действия природных геохимических процессов в разных масштабах времени и влияния на них человеческой деятельности. Показываются химический состав, происхождение и эволюция земной коры, океанов и атмосферы. Детально рассматриваются процессы выветривания и их влияние на химический состав осадочных образований, почв и поверхностных вод на континентах. Для студентов и преподавателей факультетов биологии, географии и химии университетов и преподавателей средних школ, а также для широкого круга читателей.

Химия и технология редких и рассеянных элементов.

Книга представляет собой учебное пособие по специальным курсам для студентов химико-технологических вузов. В первой части изложены основы химии и технологии лития, рубидия, цезия, бериллия, галлия, индия, таллия. Во второй части книги изложены основы химии и технологии скандия, натрия, лантана, лантаноидов, германия, титана, циркония, гафния. В третьей части книги изложены основы химии и технологии ванадия, ниобия, тантала, селена, теллура, молибдена, вольфрама, рения. Наибольшее внимание уделено свойствам соединений элементов, имеющих значение в технологии. В технологии каждого элемента описаны важнейшие области применения, характеристика рудного сырья и его обогащение, получение соединений из концентратов и отходов производства, современные методы разделения и очистки элементов. Пособие составлено по материалам, опубликованным из советской и зарубежной печати по 1972 год включительно.

 

 



Рейтинг@Mail.ru Rambler's Top100

Copyright © 2001-2012
(21.01.2017)