химический каталог




Основы общей химии. Том 1

Автор Б.В.Некрасов

ряду:

Значение О 1 2 3 4

Спектроскопическое обозначение . . $ р d f g

5) На основании отвечающих различным / возможных значений mi легко установить максимальную емкость подгрупп того или иного слоя. Емкость эту часто бывает

удобно выражать числом иезаниснмых ячеек, каждая из которых способна вместить

одну электронную пару;

р d f g

Максимальная емкость . . • 10 14 18

3 S 7 9

При характеристике той или иной подгруппы электронов сначала указывают цифрой ее главное квантовое число, а затем буквой — побочное. Например, символ 3d означает, что речь идет о подгруппе электронов, находящейся в третьем слое и характеризующейся значением 1=2. Число электронов в такой подгруппе указывают, вводя его в форме верхнего индекса при соответствующей букве. Например, символ 3d10 означает, что в подгруппе 3d содержится 10 электронов.

Суммарное описание электронной структуры атома включает в себя все отдельные обозначения характерных для него подгрупп, причем располагаются они по порядку возрастания сначала л и затем /. Например, для Ne с его десятью электронами имеем: \sz2st2p*. Приведенное описание показывает, что два электрона атома неона

находятся в первом слое и характеризуются значением / =» 0, а из находящихся во втором слое восьми электронов два характеризуются значением / -0 и шесть — значением / = I.

в) Каждая отдельная достроенная (или наполовину заполненная) подгруппа дает электронное облако, обладающее шаровой симметрией. Вместе с тем максимумы электронной плотности у всех подгрупп, отвечающих одному и тому же главному квантовому числу я, близки друг к другу. Поэтому их облака образуют в совокупности шаровой слой с максимумом электронной плотности на некотором определенном расстоянии от ядра, как это видно из рис. VI-3.

(

7) Заполнение подгрупп электронами по мере

увеличения атомного номера элемента идет таким

образом, что каждый вновь добавляемый электрон

^ стремится занять самый низкий (нз еще не заполнен_" ных) энергетический уровень, так как это соответI

ствует наиболее прочной его связи с ядром. Относительные энергетические уровни различных подгрупп обычно характеризуются следующим рядом:

ls<2s<2/><3s<3p<4s<3d<4p<5s<4d< < 5p<6s<4f<5dРис. VI-4. Относительные виергети- Им удобно пользоваться Для грубой ориентировки, ческне уровни атома и нонов титана. однако в действительности некоторые уровни [например, nd и (n-i-\)p] нередко меняются местами. Их взаимное расположение зависят и от состояния ионизации атома, как то вмеет место, например.у титана (рис. VI-4).

8) Распределение электронов по подгруппам в нейтральном атоме каждого элемента видно нз приводимой таблицы (стр. 227). Оно соответствует нормальному (основному), т. е. энергетически наиинзшему состоянию атомов. Переход к любому другому распределению требует затраты определенной энергии возбуждения.

Данные таблицы показывают, что последовательное заполнение энергетических уровней обычно происходит в порядке увеличения сумм л h а при нх одинаковости — в порядке уменьшения / и увеличения л. Например, прн п ?+• / б сперва заполняется слой Ad (где л = 4 и 1 = 2), а уже затем Ър (где п = 5 и / = 1). Обоснованию этой закономерности и вытекающим из нее следствиям посвящена специальная монография. * 9) Некоторые элементы являются аналогами, ио тем не менее нх атомы обладают

различной структурой внешних электронных оболочек. Хорошим примером могут служить Ni, Pd и Pt. Как видно нз рис. VI-5, нормальное состояние одного из иих соответствует возбужденным состояниям двух других. Непосредственные причины подобных индивидуальных различий пока не ясны. Существенного значения для химии они

ие имеют.

10) Детальное изучение многих спектров показало, что некоторые электронные

переходы с одного энергетического уровня на другой практически не происходят. Причины этого неизвестны, но сами полученные результаты обобщают т. и. «правила

60

?0

отбора». Важнейшее из них допускает лишь такие переходы электрона, при которых квантовое число / изменяется на ±1. Например, переход 3s-*- 2s может произойти последовательными этапами 3s-*~2p и 2p-*-2s, ио недопустим непосредственно (так как I првэтом не изменялось бы).

го

С правилами отбора связана, в частности, тонкая структура спектральных линий. Рассмотрим, например, линию На водородного спектра (III § 4), возникающую в результате перехода электрона с третьего энергетического уровня на второй. При п = 3 возможны значения / — О, I и 2, а при п — 2 — значения / = 0 и 1. Казалось бы, что суммарно может быть шесть характеризующихся несколько различной энергией переходов от я = 3 к я = 2 (в результате чего линия #а слагалась бы из шести очень близких отдельных линий). Однако три таких перехода (Зо~*-2<ь 3t-*-2i и 32-»-2о) исключаются, как не отвечающие условию изменения / на ±1. Следовательно, лниия #а может слагаться максимально из трех отдельных линий. То же самое (при условии несовпадения энергий различных переходов) относится и к други

страница 136
< К СПИСКУ КНИГ > 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 100 101 102 103 104 105 106 107 108 109 110 111 112 113 114 115 116 117 118 119 120 121 122 123 124 125 126 127 128 129 130 131 132 133 134 135 136 137 138 139 140 141 142 143 144 145 146 147 148 149 150 151 152 153 154 155 156 157 158 159 160 161 162 163 164 165 166 167 168 169 170 171 172 173 174 175 176 177 178 179 180 181 182 183 184 185 186 187 188 189 190 191 192 193 194 195 196 197 198 199 200 201 202 203 204 205 206 207 208 209 210 211 212 213 214 215 216 217 218 219 220 221 222 223 224 225 226 227 228 229 230 231 232 233 234 235 236 237 238 239 240 241 242 243 244 245 246 247 248 249 250 251 252 253 254 255 256 257 258 259 260 261 262 263 264 265 266 267 268 269 270 271 272 273 274 275 276 277 278 279 280 281 282 283 284 285 286 287 288 289 290 291 292 293 294 295 296 297 298 299 300 301 302 303 304 305 306 307 308 309 310 311 312 313 314 315 316 317 318 319 320 321 322 323 324 325 326 327 328 329 330 331 332 333 334 335 336 337 338 339 340 341 342 343 344 345 346 347 348 349 350 351 352 353 354 355 356 357 358 359 360 361 362 363 364 365 366 367 368 369 370 371 372 373 374 375 376 377 378 379 380 381 382 383 384 385 386 387 388 389 390 391 392 393 394 395 396 397 398 399 400 401 402 403 404 405 406 407 408 409 410 411 412 413 414 415 416 417 418 419 420 421 422 423 424 425 426 427 428 429 430 431

Скачать книгу "Основы общей химии. Том 1" (9.64Mb)


[каталог]  [статьи]  [доска объявлений]  [прайс-листы]  [форум]  [обратная связь]

 

 

Реклама
KNS - кликните по ссылке, получите скидку по промокоду "Галактика" - Asus VC239H-W - поставщик товаров и оборудования для бизнеса в Москве.
стоимость аренды автобуса
стул велла
HGS-LED-2.5-230V-HOL-UW

Рекомендуемые книги

Введение в химию окружающей среды.

Книга известных английских ученых раскрывает основные принципы химии окружающей среды и их действие в локальных и глобальных масштабах. Важный аспект книги заключается в раскрытии механизма действия природных геохимических процессов в разных масштабах времени и влияния на них человеческой деятельности. Показываются химический состав, происхождение и эволюция земной коры, океанов и атмосферы. Детально рассматриваются процессы выветривания и их влияние на химический состав осадочных образований, почв и поверхностных вод на континентах. Для студентов и преподавателей факультетов биологии, географии и химии университетов и преподавателей средних школ, а также для широкого круга читателей.

Химия и технология редких и рассеянных элементов.

Книга представляет собой учебное пособие по специальным курсам для студентов химико-технологических вузов. В первой части изложены основы химии и технологии лития, рубидия, цезия, бериллия, галлия, индия, таллия. Во второй части книги изложены основы химии и технологии скандия, натрия, лантана, лантаноидов, германия, титана, циркония, гафния. В третьей части книги изложены основы химии и технологии ванадия, ниобия, тантала, селена, теллура, молибдена, вольфрама, рения. Наибольшее внимание уделено свойствам соединений элементов, имеющих значение в технологии. В технологии каждого элемента описаны важнейшие области применения, характеристика рудного сырья и его обогащение, получение соединений из концентратов и отходов производства, современные методы разделения и очистки элементов. Пособие составлено по материалам, опубликованным из советской и зарубежной печати по 1972 год включительно.

 

 



Рейтинг@Mail.ru Rambler's Top100

Copyright © 2001-2012
(27.02.2017)