|
|
|
|
|
Технология производства полупроводниковых приборов и интегральных микросхемк . . 62 § 4.6. Электрохимическая обработка полупроводниковых подложек ... 62 § 4.7. Парогазовая обработка кремниевых подложек.......... 65 § 4.8. Ионно-плазменная обработка подложек........... 67 § 4.9. Плазмохимическая обработка подложек............. 69 ¦§ 4.10. Осаждение гальванических покрытий.............. 71 § 4.11. Получение особо чистой воды................ 74 Глава 5. Получение структур методом сплавления § 5.1. Диаграмма состояния...................... 77 366 § 5.2. Физико-металлургические основы образования сплавного р-гс-пере- хода.............................. 82 § 5.3. Контроль качества сплавных структур............. 85· Глава 6. Получение структур методом эпитаксиального наращивания § 6.1. Основные методы эпитаксиального осаждения......... 87 § 6.2. Технологические особенности эпитаксии Si и Ge......... 90s § 6.3. Технологические особенности эпитаксии полупроводниковых соединений типа ?????..................... 101 § 6.4. Дефекты в эпитаксиальных структурах............. 107 § 6.5. Методы контроля эпитаксиальных слоев............ Глава 7. Защитные диэлектрические пленки в планарной технологии § 7.1. Требования, предъявляемые к защитным диэлектрическим пленкам 112 § 7.2. Кинетика термического окисления кремния........... 113- § 7.3. Термическое окисление кремния в парах воды......... 116· § 7.4. Термическое окисление кремния в сухом кислороде....... 118· § 7.5. Термическое окисление кремния во влажном кислороде..... 119· § 7.6. Пиролитическое осаждение оксидных пленок кремния..... 120 § 7.7. Анодное окисление кремния.................. 123 § 7.8. Осаждение пленок оксида кремния термическим испарением ... 124> § 7.9. Реактивное катодное распыление оксида кремния....... 125 § 7.10. Химическое осаждение пленок нитрида кремния........ 126· § 7.11. Реактивное катодное осаждение пленок нитрида кремния ... 130 § 7.12. Контроль качества защитных диэлектрических пленок диоксида и нитрида кремния ...................... 131 Глава 8. Фотолитография § 8.1. Фотолитография—основа планарной технологии......... 135 § 8.2. Фоторезисты.......................... 136 § 8.3. Критерии применимости фоторезистов.............. 141 § 8.4. Фотошаблоны и способы их получения............. 144 § 8.5. Промышленное изготовление фотошаблонов........... 150 § 8.6. Контактная фотолитография.................. 157 § 8.7. Проекционная вптическая фотолитография........... 166 § 8.8. Рентгенолитография...................... 169 § 8.9. Дефекты фотолитографического процесса............ 170 Глава 9. Получение структур методом диффузии § 9.1. Распределение примеси при диффузии............. 172 § 9.2. Технологические приемы получения "диффузионных структур . . 177 § 9.3. Методы расчетов диффузионных структур........... 181 § 9.4. Определение режимов диффузии.............. · · · '88 § 9.5. Диффузионные процессы при изготовлении ИМС........ '93 § 9.6. Дефекты и методы контроля диффузионных структур...... 197 Глава 10. Получение структур методом ионной имплантации § 10.1. Физические представления об имплантации .......... 202 § 10.2. Технологические особенности процессов ионной- имплантации . . 207 § 10.3. Отжиг и диффузия...................... 211 § 10.4. Методы расчетов ионно-имплантированиых структур...... 214 § 10.5. Определение режимов имплантации.............. 219 § 10.6. Использование процессов ионной имплантации в полупроводниковой технологии....................... 223 § 10.7. Методы контроля ионно-имплантированных структур...... 223 367 Глава 11. Получение структур методами термического испарения и ионно-ялазменного распыления. § 11.1. Технологические особенности термического испарения материалов 231 § 11.2. Катодное распыление материалов............... 238 § 11.3. Технологические особенности ионно-плазменного распыления . . 241 § 11.4. Изготовление межэлементных соединений и контактов..... 251 § 11.5. Пассивные элементы интегральных микросхем......... 255 § 11.6. Методы контроля тонких пленок................ 261 Глава 12. Процессы радиационной обработки § 12.1. Воздействие проникающей радиации на вещество....... 265 § 12.2. Радиационная литография................... 269 § 12.3. Радиационно-стимулированная диффузия........... 272 § 12.4. Контролируемое введение радиационных нарушений с помощью ионной имплантации ...................... 276 § 12.5. Лазерная технология...................... 281 § 12.6. Методы контроля радиационных нарушений.......... 285 Глава 13. Защита поверхности р-л-переходов § 13.1. Влияние состояния поверхности ?-?-перехода на электрические параметры прибора ..................... 287 § 13.2. Защита веществами на основе кремнийорганических соединений и полимеров....................... 290 § 13.3. Защита оксидными и нитридными пленками кремния...... 291 § 13.4. Защита пленками оксидов металлов.............. 293 § 13.5. Защита пленками стекла................... 295 Глава 14. Сборка полупроводниковых приборов и интегральных микросхем § 14.1. Особенности процесса сборки................. 300 § 14.2. Присоединение кристалла к основанию корпуса......... 301 § 14.3. Присоединение выводов.................... 306 § 14.4. Герметизация кристалла................... 311 Глава 15. Конструкции корпусов полупроводниковых приборов и ИМС § 15.1. Общие сведения о корпусах.................. 318 § 15.2. Конструкции корпусов диодов общего назначения........ 319 § 15.3. Конструкции корпусов тиристоров............... 325 § 15.4. Конструкции корпусов диодов СВЧ-диапазона......... 327 § 15.5. Конструкции корпусов туннельных диодов........... 329 § 15.6. Конструкции корпусов транзисторов.............. 331 § 15,7. Конструкции корпусов источников света............ 334 § 15.8. Конструкции корпусов интегральных микросхем......-. . 337 Глава 16. Особенности технологии изготовления ИМС § 16.1. Классификация интегральных микросхем............ 345 § 16.2. Разработка топологии ИМС.................. 347 § 16.3. Изготовление элементов биполярных ИМС.......... 351 § 16.4. Изготовление элементов МДП ИМС.............. 356 Заключение............................... 361 Список литературы........................... 363 Предметный указатель.......... ............... 364 |
| < К СПИСКУ КНИГ > 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 87 |
Скачать книгу "Технология производства полупроводниковых приборов и интегральных микросхем" (3.82Mb) |
| [каталог] [статьи] [доска объявлений] [прайс-листы] [форум] [обратная связь] |
|
|
Введение в химию окружающей среды. Книга известных английских ученых раскрывает основные принципы химии окружающей
среды и их действие в локальных и глобальных масштабах. Важный аспект книги
заключается в раскрытии механизма действия природных геохимических процессов в
разных масштабах времени и влияния на них человеческой деятельности.
Показываются химический состав, происхождение и эволюция земной коры, океанов и
атмосферы. Детально рассматриваются процессы выветривания и их влияние на
химический состав осадочных образований, почв и поверхностных вод на континентах.
Для студентов и преподавателей факультетов биологии, географии и химии
университетов и преподавателей средних школ, а также для широкого круга
читателей.
Химия и технология редких и рассеянных элементов. Книга представляет собой учебное пособие по специальным курсам для студентов
химико-технологических вузов. В первой части изложены основы химии и технологии
лития, рубидия, цезия, бериллия, галлия, индия, таллия. Во
второй
части книги изложены основы химии и технологии скандия, натрия, лантана,
лантаноидов, германия, титана, циркония, гафния. В
третьей части книги изложены основы химии и технологии ванадия, ниобия,
тантала, селена, теллура, молибдена, вольфрама, рения. Наибольшее внимание
уделено свойствам соединений элементов, имеющих значение в технологии. В
технологии каждого элемента описаны важнейшие области применения, характеристика
рудного сырья и его обогащение, получение соединений из концентратов и отходов
производства, современные методы разделения и очистки элементов. Пособие
составлено по материалам, опубликованным из советской и зарубежной печати по
1972 год включительно.
|
|