химический каталог




Технология производства полупроводниковых приборов и интегральных микросхем

Автор А.И.Курносов, В.В.Юдин

к . . 62

§ 4.6. Электрохимическая обработка полупроводниковых подложек ... 62

§ 4.7. Парогазовая обработка кремниевых подложек.......... 65

§ 4.8. Ионно-плазменная обработка подложек........... 67

§ 4.9. Плазмохимическая обработка подложек............. 69

¦§ 4.10. Осаждение гальванических покрытий.............. 71

§ 4.11. Получение особо чистой воды................ 74

Глава 5. Получение структур методом сплавления

§ 5.1. Диаграмма состояния...................... 77

366

§ 5.2. Физико-металлургические основы образования сплавного р-гс-пере-

хода.............................. 82

§ 5.3. Контроль качества сплавных структур............. 85·

Глава 6. Получение структур методом эпитаксиального наращивания

§ 6.1. Основные методы эпитаксиального осаждения......... 87

§ 6.2. Технологические особенности эпитаксии Si и Ge......... 90s

§ 6.3. Технологические особенности эпитаксии полупроводниковых соединений типа ?????..................... 101

§ 6.4. Дефекты в эпитаксиальных структурах............. 107

§ 6.5. Методы контроля эпитаксиальных слоев............

Глава 7. Защитные диэлектрические пленки в планарной технологии

§ 7.1. Требования, предъявляемые к защитным диэлектрическим пленкам 112

§ 7.2. Кинетика термического окисления кремния........... 113-

§ 7.3. Термическое окисление кремния в парах воды......... 116·

§ 7.4. Термическое окисление кремния в сухом кислороде....... 118·

§ 7.5. Термическое окисление кремния во влажном кислороде..... 119·

§ 7.6. Пиролитическое осаждение оксидных пленок кремния..... 120

§ 7.7. Анодное окисление кремния.................. 123

§ 7.8. Осаждение пленок оксида кремния термическим испарением ... 124>

§ 7.9. Реактивное катодное распыление оксида кремния....... 125

§ 7.10. Химическое осаждение пленок нитрида кремния........ 126·

§ 7.11. Реактивное катодное осаждение пленок нитрида кремния ... 130 § 7.12. Контроль качества защитных диэлектрических пленок диоксида

и нитрида кремния ...................... 131

Глава 8. Фотолитография

§ 8.1. Фотолитография—основа планарной технологии......... 135

§ 8.2. Фоторезисты.......................... 136

§ 8.3. Критерии применимости фоторезистов.............. 141

§ 8.4. Фотошаблоны и способы их получения............. 144

§ 8.5. Промышленное изготовление фотошаблонов........... 150

§ 8.6. Контактная фотолитография.................. 157

§ 8.7. Проекционная вптическая фотолитография........... 166

§ 8.8. Рентгенолитография...................... 169

§ 8.9. Дефекты фотолитографического процесса............ 170

Глава 9. Получение структур методом диффузии

§ 9.1. Распределение примеси при диффузии............. 172

§ 9.2. Технологические приемы получения "диффузионных структур . . 177

§ 9.3. Методы расчетов диффузионных структур........... 181

§ 9.4. Определение режимов диффузии.............. · · · '88

§ 9.5. Диффузионные процессы при изготовлении ИМС........ '93

§ 9.6. Дефекты и методы контроля диффузионных структур...... 197

Глава 10. Получение структур методом ионной имплантации

§ 10.1. Физические представления об имплантации .......... 202

§ 10.2. Технологические особенности процессов ионной- имплантации . . 207

§ 10.3. Отжиг и диффузия...................... 211

§ 10.4. Методы расчетов ионно-имплантированиых структур...... 214

§ 10.5. Определение режимов имплантации.............. 219

§ 10.6. Использование процессов ионной имплантации в полупроводниковой технологии....................... 223

§ 10.7. Методы контроля ионно-имплантированных структур...... 223

367

Глава 11. Получение структур методами термического испарения и ионно-ялазменного распыления.

§ 11.1. Технологические особенности термического испарения материалов 231

§ 11.2. Катодное распыление материалов............... 238

§ 11.3. Технологические особенности ионно-плазменного распыления . . 241

§ 11.4. Изготовление межэлементных соединений и контактов..... 251

§ 11.5. Пассивные элементы интегральных микросхем......... 255

§ 11.6. Методы контроля тонких пленок................ 261

Глава 12. Процессы радиационной обработки

§ 12.1. Воздействие проникающей радиации на вещество....... 265

§ 12.2. Радиационная литография................... 269

§ 12.3. Радиационно-стимулированная диффузия........... 272

§ 12.4. Контролируемое введение радиационных нарушений с помощью

ионной имплантации ...................... 276

§ 12.5. Лазерная технология...................... 281

§ 12.6. Методы контроля радиационных нарушений.......... 285

Глава 13. Защита поверхности р-л-переходов

§ 13.1. Влияние состояния поверхности ?-?-перехода на электрические

параметры прибора ..................... 287

§ 13.2. Защита веществами на основе кремнийорганических соединений и полимеров....................... 290

§ 13.3. Защита оксидными и нитридными пленками кремния...... 291

§ 13.4. Защита пленками оксидов металлов.............. 293

§ 13.5. Защита пленками стекла................... 295

Глава 14. Сборка полупроводниковых приборов и интегральных микросхем

§ 14.1. Особенности процесса сборки................. 300

§ 14.2. Присоединение кристалла к основанию корпуса......... 301

§ 14.3. Присоединение выводов.................... 306

§ 14.4. Герметизация кристалла................... 311

Глава 15. Конструкции корпусов полупроводниковых приборов и ИМС

§ 15.1. Общие сведения о корпусах.................. 318

§ 15.2. Конструкции корпусов диодов общего назначения........ 319

§ 15.3. Конструкции корпусов тиристоров............... 325

§ 15.4. Конструкции корпусов диодов СВЧ-диапазона......... 327

§ 15.5. Конструкции корпусов туннельных диодов........... 329

§ 15.6. Конструкции корпусов транзисторов.............. 331

§ 15,7. Конструкции корпусов источников света............ 334

§ 15.8. Конструкции корпусов интегральных микросхем......-. . 337

Глава 16. Особенности технологии изготовления ИМС

§ 16.1. Классификация интегральных микросхем............ 345

§ 16.2. Разработка топологии ИМС.................. 347

§ 16.3. Изготовление элементов биполярных ИМС.......... 351

§ 16.4. Изготовление элементов МДП ИМС.............. 356

Заключение............................... 361

Список литературы........................... 363

Предметный указатель.......... ............... 364

страница 87
< К СПИСКУ КНИГ > 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 87

Скачать книгу "Технология производства полупроводниковых приборов и интегральных микросхем" (3.82Mb)


[каталог]  [статьи]  [доска объявлений]  [прайс-листы]  [форум]  [обратная связь]

 

 

Реклама
услуги по хранению вещей свао
курсы супер память
подсветка в салон автомобиля
Газовые котлы Baxi FOURTECH 24 F

Рекомендуемые книги

Введение в химию окружающей среды.

Книга известных английских ученых раскрывает основные принципы химии окружающей среды и их действие в локальных и глобальных масштабах. Важный аспект книги заключается в раскрытии механизма действия природных геохимических процессов в разных масштабах времени и влияния на них человеческой деятельности. Показываются химический состав, происхождение и эволюция земной коры, океанов и атмосферы. Детально рассматриваются процессы выветривания и их влияние на химический состав осадочных образований, почв и поверхностных вод на континентах. Для студентов и преподавателей факультетов биологии, географии и химии университетов и преподавателей средних школ, а также для широкого круга читателей.

Химия и технология редких и рассеянных элементов.

Книга представляет собой учебное пособие по специальным курсам для студентов химико-технологических вузов. В первой части изложены основы химии и технологии лития, рубидия, цезия, бериллия, галлия, индия, таллия. Во второй части книги изложены основы химии и технологии скандия, натрия, лантана, лантаноидов, германия, титана, циркония, гафния. В третьей части книги изложены основы химии и технологии ванадия, ниобия, тантала, селена, теллура, молибдена, вольфрама, рения. Наибольшее внимание уделено свойствам соединений элементов, имеющих значение в технологии. В технологии каждого элемента описаны важнейшие области применения, характеристика рудного сырья и его обогащение, получение соединений из концентратов и отходов производства, современные методы разделения и очистки элементов. Пособие составлено по материалам, опубликованным из советской и зарубежной печати по 1972 год включительно.

 

 



Рейтинг@Mail.ru Rambler's Top100

Copyright © 2001-2012
(09.12.2016)