химический каталог




Технология производства полупроводниковых приборов и интегральных микросхем

Автор А.И.Курносов, В.В.Юдин

т высокой собственной проводимостью, обусловленной более высокой подвижностью носителей заряда в этих материалах по сравнению с подвижностью в кремнии^ Другой особенностью является то, что полуизолирующий арсенид. галлия можно использовать в качестве подложки для наращивания автоэпитаксиального слоя, поэтому накопление заряда в емкостных элементах в этом слое невелико. Обе особенности позволяют снизить задержку распространения сигнала и получить микросхемы со сверхвысоким быстродействием.

Элементы с переходами Джозефсона обладают еще более высоким быстродействием и на три порядка меньшей потребляемой мощностью при том же электрическом токе. Развитие микро- и мина-ЭВМ требует обеспечения их внешней памятью с малыми габаритными размерами и высокой информационной емкостью. Наиболее перспективными для этой цели являются устройства памяти на цилиндрических магнитных доменах, существующих в тонких эпитаксиальных слоях ферритов-гранатов, выращенных на немагнитной гранатовой подложке.

Приведенные примеры показывают, что развитие- технологии создания СБИС и интегральных систем совершается в направлений использования новых типов полупроводниковых материалов, а также сверхпроводящих металлов, магнитных диэлектрических кристаллов и других неполупроводниковых веществ при сохранении и совершенствовании методов технологической обработки, присущих полупроводниковому производству. Поэтому успех в реализаций перспективных направлений микроэлектроники зависит от прогресса как в области проектирования систем, так и в области технологии их изготовления.

Список литературы

1. Березин А.С., Мочалкина О. Р. Технология и конструирование интегральных микросхем.—М.: Радио и связь, 1983.

2. Ефимов И. Е., Горбунов Ю. И., Козырь И. Я. Микроэлектроника. м-, 1977. д.

3. Колобов Н. А. Основы технологии электронных приборов.—М.: Высшая школа, 1980.

4. Кремниевые планарные транзисторы/Под ред. Я. А. Федотов а.— М.: Энергия, 1973.

5. Мензда Ф. Интегральные схемы. Технология и применение: Пер. с англ.— М.:Мир, 1981.

6. ? и ч у г и н И. Г., Таиров Ю. Н. Технология полупроводниковых приборов.— М.: Высшая школа, 1984.

7. Скворцов И. М. и др. Технология и аппаратура газовой эпитаксии кремния и германия.— М.: Энергия, 1978.

8. Черняев В. Н. Технология производства интегральных микросхем.— М.: Энергия, 1977.

9. Чистяков Ю. Д., ? а й н о в а Ю. П. Физико-химические основы технологии микроэлектроники. — М.: Металлургия, 1979.

10. Тару и Я. Основы технологии сверхбольших интегральных схем: Пер. с япон.— М.: Радяо и связь, 1985.

11. Парфенов О. Д. Технология микросхем.—М.: Высшая школа, 198о.

ПРЕДМЕТНЫЙ УКАЗАТЕЛЬ

Абразивная способность 36 Автолегирование 92 Автоэпитаксия 88 Алмазный диск 38 Аморфизания 202, 212, 276, 278 Анодирование газовое 124

— электролитическое 123 Атом отдачи 202, 226

Вакансия 108, 172, 212

Генератор изображения 149 Гетероэпитаксия 88, 95—98 Геттерирование 198, 278

Дефекты радиационные 202, 265, 267

— упаковки 108 Диаграмма состояния 77 Дислокации 107, 197, 214 Диффузанты 178—180 Диффузия 172—193, 212—214 Доза облучения 210

Загонка примеси 174, 178 Законы фотохимические Заряд иона 2!0 Защитные пленки

Излучение синхротронное 271

— тормозное 267

— характеристическое 267 Изоляция элементов ИМС 194, 277,

354—356 . Индексы Миллера Ионная имплантация 201 Ионнообменные смолы Испарение многотигельное 235

— однотигельное 236

— элементов 233 Испарители 232 Источник помов 207

Каналирование 202 Каскадное перемешивание 227 Каскад смещений 202 Кислотостойкость фоторезистов КМОП-транзистор 358 КНС-структура 359 Контакт малопроникающий 254

— невыпрямляющий 253 Контактная проекционная печать Концентрация поверхностная 173, 175,

181, 200

--эффективная 228

Коэффициент диффузии 173, 180

— испарения 234, 237

— ослабления интенсивности 266

— передачи 237 -- энергии 203

— поверхностный Холла 229

— поглощения 267

— распределения примеси 80

— распыления 239

— электронного торможения 203 Критерий светочувствительности Лазерное излучение 281 Легирование атомами отдачи 226

— эпитаксиальных структур 99, 106 Линзовый растр

Ликвидус 77

Литография ионно-лучевая 272

— рентгеновская 169, 270

— электронная 269 МДП-транзистор 224, 356 Межсоединения 251 Механизм разрушения Микропроцессор 346 Микросхемы интегральные 345

— аналоговые 346

— гибридные 347

— линейные 346 1

— МДП 345, 356

— пленочные 347

— полупроводниковые 347

— цифровые 346 Микрофотонабор Мультипликация механическая

— оптическая

Обработка подложек ионно-плазменная 67

— парогазовая 65

— плазмохимическая 69

— химико-динамическая 62

— химическая 59

— электрохимическая 63 Окисление термическое кремния 113

— во влажном кислороде 119

— в парах воды 116

— в сухом кислороде 118 Оригинал фотошаблона 144

--промежуточный 147

Осаждение гальванических покрытий

71

— катодное реактивное 125

— оксида кремния пиролитическое 120

-- — термическим испарением 124

— примесей на дефектах 197

— химическое нитрида кремния 126 Отжиг импульсный 284

— лазерный 282

— термический 212 Перенос изображения Переосаждение 250

Переход диффузионный 173, 174

— линейный 173, 174

— пленарный 175, 176

— резкий 84, 85

— сплавной 82, 84 Пиролиз, 92, 103

Поверхностное сопротивление 199, 256 Полимеризация фоторезиста 157

364

Полировка пластин окончательная 50

— предварительная 49

— промежуточная 50 Присоединение выводов 306 Пробег иона 202—205

— электрона 266

Профиль распределения примеси 206, 213

---в двухслойных структурах

216

---линейный 226

--- при двойной имплантации

214

----- последовательной диффузии 184

----двухстадийной диффузии

181

----диффузии из слоя конечной толщины 183

—---распылении ионолегиро-

ванного слоя 218

Процесс обработки радиационной 264

--сухой 6, 231, 242

Радиациоино-стимулированная диффузия 272—275

Радиационные нарушения 201, 211, 267, 276

Радиация проникающая 265

Разгонка примеси 174, 178

Разрешающая способность 269

Распыление диодное 243

— высокочастотное 242, 243

— катодное 238

— магнетронное 242

— реактивное 242, 246

— триодное 242, 245

— физическое 238 Растворимость 78, 80 Резание пластин 41

—· — алмазным диском 42

-- проволокой 42

--стальными полотнами 42

-- ультразвуковое 43

— слитков 38

--· алмазным диском 38

--стальными полотнами 38

Резисторы диффузионные 195

— полученные ионной имплантацией 226

— тонкопленочные 255 Рекристаллизация 84, 282

Сборка 300

Сварка термокомпрессионная 306

— ультразвуковая 311

— холодная 315

— электроконтактная 310, 314 Силанирование 291 Силициды 254

Скрайбирование алмазное 43

— лазерное 44

— электронно-лучевое 44

Совмещаемость фотошаблонов 157» 161

Совмещение 157, 161 Солидус 77

— ретроградный 80 Стекло алюмоснликатное 296

— боросиликатное 295

— многокомпонентное 298

— оптическое 144

-г- свинцовосиликатное 296

— халькогенидное 297 Степень интеграции 345

Тлеющий разряд 238

Топология 347—350

Травление анизотропное 247, 248

— анодно-механическое

— изотропное 248

— ионное 241, 244

— ионно-лучевое 242

— ионно-плазменное 242

— плазмохимическое 246

— селективное 247 Транзистор 223, 351—353

Ультразвуковая ванна 58 Управление границей раздела 276

— номиналом и TKR 277

— пороговым напряжением 224 Уравнение Вульфа—Брегга 262

— Лэнгмюра 234 Ускорение травления 278 Ускоритель ионно-лучевой 207 Фотолитография 135 Фотомонтаж 150 Фотонабор 149 Фоторезист 139 Фотошаблон 144 Фотоштамп 148

Хемоэпитаксия 88

Центрифугирование 159

Шлифовка пластин 146

Эвтектика 78

Экспонирование фоторезиста 162 Электродиффузия алюминия 252 Электронорезист 270 Электроны вторичные 266 Элементы ИМС активные 351—3601

— — пассивные 255—259

---СВЧ 259—261

Энергия иона 210

— сублимации 239 Эпитаксия 87

— газофазная 89

— германия 98

— жидкофазная 90, 105

— кремния гидридным методом 92 --хлоридный методом 91

— молекулярно-лучевая 88

— соединений типа AmBv 101 Ядерная тормозная способность 205

365

Оглавление

предисловие.............................. 3

Введение............................... 5

Глава 1. Технология полупроводникового производства

§ 1.1. Технологический маршрут................... 7

§ 1.2. Особенности и перспективы технологии............. 10

Глава 2. Полупроводниковые материалы

§ 2.1. Требования к полупроводниковым материалам......... 12 '

§ 2.2. Классификация полупроводниковых материалов......... 13

§ 2.3. Общая характеристика кристаллических тел.......... 15

§ 2.4. Германий........................... 17

§ 2.5. Кремний............................ 21

¦§ 2.6. Арсенид галлия......................... 27

§ 2.7. Фосфид галлия........................ 30

·§ 2.8. Арсенид индия......................... 31

¦§ 2.9. Антимонид индия....................... 32

§ 2.10. Антимонид галлия...................... 33

§ 2.11. Структуры на основе материалов иитерметаллических соединений 34

Глава 3. Механическая обработка полупроводниковых материалов

§ 3.1. Физические основы механизма разрушения хрупких полупроводниковых материалов при механической обработке ........ 34

§ 3.2. Абразивные материалы..................... 36

·§ 3.3. Резка полупроводниковых слитков на пластины......... 38

¦§ 3.4. Резка полупроводниковых пластин на элементы (кристаллы) ... 41

¦§ 3.5. Разламывание пластин после скрайбирования.......... 45

§ 3.6. Шлифовка полупроводниковых пластин............. 46

§ 3.7. Полировка полупроводниковых пластин............. 48

§3 8. Контроль качества механической обработки........... 51

Глава 4. Технохимические процессы подготовки подложек ИМС

§ 4.1. Цели технохимических процессов подготовки подложек...... 54

¦§ 4.2. Виды загрязнений полупроводниковых подложек......... 55

§ 4.3. Отмывка полупроводниковых подложек............. 57

§ 4.4. Химическая обработка полупроводниковых подложек...... 59

§ 4.5. Химико-динамическая обработка полупроводниковых подложе

страница 86
< К СПИСКУ КНИГ > 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 87

Скачать книгу "Технология производства полупроводниковых приборов и интегральных микросхем" (3.82Mb)


[каталог]  [статьи]  [доска объявлений]  [прайс-листы]  [форум]  [обратная связь]

 

 

Реклама
купить керамогранит глянцевый 60*60 интернет-магазин
автозапуск на авто
Бонус за клик по промокоду "Галактика" в КНС - Lenovo ThinkStation P310 30AT0059RU - хорошее предложение от супермаркета компьютерной техники.
курсы маникюра в москве с сертификатом и трудоустройством

Рекомендуемые книги

Введение в химию окружающей среды.

Книга известных английских ученых раскрывает основные принципы химии окружающей среды и их действие в локальных и глобальных масштабах. Важный аспект книги заключается в раскрытии механизма действия природных геохимических процессов в разных масштабах времени и влияния на них человеческой деятельности. Показываются химический состав, происхождение и эволюция земной коры, океанов и атмосферы. Детально рассматриваются процессы выветривания и их влияние на химический состав осадочных образований, почв и поверхностных вод на континентах. Для студентов и преподавателей факультетов биологии, географии и химии университетов и преподавателей средних школ, а также для широкого круга читателей.

Химия и технология редких и рассеянных элементов.

Книга представляет собой учебное пособие по специальным курсам для студентов химико-технологических вузов. В первой части изложены основы химии и технологии лития, рубидия, цезия, бериллия, галлия, индия, таллия. Во второй части книги изложены основы химии и технологии скандия, натрия, лантана, лантаноидов, германия, титана, циркония, гафния. В третьей части книги изложены основы химии и технологии ванадия, ниобия, тантала, селена, теллура, молибдена, вольфрама, рения. Наибольшее внимание уделено свойствам соединений элементов, имеющих значение в технологии. В технологии каждого элемента описаны важнейшие области применения, характеристика рудного сырья и его обогащение, получение соединений из концентратов и отходов производства, современные методы разделения и очистки элементов. Пособие составлено по материалам, опубликованным из советской и зарубежной печати по 1972 год включительно.

 

 



Рейтинг@Mail.ru Rambler's Top100

Copyright © 2001-2012
(06.12.2016)