химический каталог




Технология производства полупроводниковых приборов и интегральных микросхем

Автор А.И.Курносов, В.В.Юдин

ют обжимом и проваркой трубок, через которые предварительно пропущены выводы от полупроводникового кристалла.

На рис. 15.8,6 показана конструкция корпуса КТ-4, характерная для рассмотренного варианта металлического корпуса с винтом.

Основные размеры корпусов этих типов приведены в табл. 15.10.

Таблица! 5.10

Тип Размеры, мм кор- ? г

пуса А а ?> О, ? ? 1 117 ? » КТ-4 6,6—7,6 4,7-5,3 12—12,8 10,7 10—11 10—11 m5—6? 10—11 1,2 1,5-

КТ-5 12—14 12—13 24—25 19—20 21—22 12—13 ?18—8? 17—20 2,6 1,5

КТ-6 9,8—11 9,9—10 18—19 14-15 16—17 10—11 Мб— 6? 20—22 3,0 2,0

КТ-7 12—13 12—13 24—25 18—19 21—22 11 — 12 ?18—8? 24—26 3,0 2,0

Пластмассовые конструкции корпусов транзисторов широко применяют для герметизации различных классов приборов. Существуют разнообразные конструктивные варианты пластмассовых корпусов, однако все они получаются с помощью трех основных технологических операций: заливкой пластмассы в формы, опрес-совкой пресс-порошков и трансферным литьем. Основанием для крепления полупроводникового кристалла с транзисторной структурой может служить металлическая перфорированная по опреде-

333»

Рис. 15.9. Пластмассовые конструкции корпусов транзисторов:

-а — КТ-12; б — КТ-27; в — КТ-28; г — КТ-37

ленному рисунку лента, металлический кристаллодержатель с винтом или без винта.

На рис. 15.9 представлены четыре типа пластмассовых корпусов (КТ-12, КТ-27, КТ-28 и КТ-37), полученных методом заливки компаунда в силиконовые формы. Полупроводниковый кристалл размещают на металлической ленте и закрепляют с помощью пайки или эвтектического приплавления. Разводка выводов от кристалла к соответствующим местам перфорированной ленты осуществляется методом термокомпрессии.

На рис. 15.10, а показаны конструкции корпусов типов ??-14, ??-16, КТ-29 и КТ-31, полученные методом опрессов-ки и трансферного литья.

Основные размеры пласт-

массовых корпусов транзисторов приведены в табл. 15.11.

Таблица 15.11

Тип i эазмеры, мм

корпуса А в D 1 Ъ с L

КТ-12 ??-13 ??-14 ??-16 ??-26 КТ-28 КТ-29 КТ-31 4,0—4,4 4.5— 5,0 1,7—2,7 4.0— 5,9 4,4—5,2 3.6— 3,8 2,3—2,7 6.1— 6,9 1,9—2,5 2,4—3,0 1,4—1,6 3,2—4,2 4,5—5,0 6.7— 7,2 4.8— 5,3 6,8—7,2 4,4—5,2 14—15 4,8—5,2 12—12,9 12—13 6—7 4,5—5,5 4,8—5,0 12—14 12—14 8—9 0,5—0,7 0,6—1,0 0,6—1,3 2,4—2,6 0,7 0,6—1,1 0,7—1,0 5—5,7 0,3 0,2 . 0,2 0,1—0,18 0,5 0,3—1,1 0,24 0,12— 0,18 0,4—0,5 19—20 7,7 27

КТ-37 5,0—5,2 3,9—4;5 5,0—5,2 12,5— 14,5 0,5 —

§ 15.7. Конструкции корпусов источников света

Полупроводниковые источники света — класс приборов, который получает все более широкое применение в устройствах оптической связи, буквенной и цифровой индикации, в счетно-решающих устройствах и световых панелях.

Основная особенность конструкции корпусов источников света — наличие выходного окна для прохождения света от полупро-

334

водникового кристалла. Наиболее широкое распространение для источников света нашли пластмассовые конструкции корпусов.

На рис. 15.11,а показана конструкция корпуса семисегментного» девятиразрядного цифрового индикатора АЛС-318. Основой конст-

ФВ

eSte

6)

Рис. 15.10. Пластмассовые конструкции корпусов транзисторов:

a — KT-14; б — ??-16; ? — КТ-29; г —КТ-31

рукции корпуса служит изоляционная подложка из стеклопластика, на которую предварительно нанесена металлизированная коммутационная система контактных площадок и токоведущих дорожек. На эту подложку с помощью эпоксидных компаундов приклеивают девять полупроводниковых кристаллов, каждый из которых имеет семь светоизлучающих структур. Герметизация полупроводниковых кристаллов осуществляется заливкой или опрессов-кой таким образом, что над кристаллами образуется система прозрачных линз. На краях корпуса имеются выступы, улучшающие видимость светового излучения прибора. Электрические сигналы подаются на 17 металлизированных контактов, расположенных на передней части изоляционной подложки. Для улучшения монтажа корпуса в аппаратуру в контактных площадках имеются отверстия.

335

???

".....I

iLJiXiLjijJUJi.

al

1?-?

¦?

-?

?

1

1

На рис. 15.11,6 представлена конструкция пластмассового корпуса семисегмент-ного пятиразрядного цифрового индикатора АЛС-311А. Корпус состоит из пластмассового основания, в котором имеется 14 выводов, и системы прозрачных линз, соединенных друг с другом. Полупроводниковые кристаллы со светоизлучающими структурами приклеивают к основанию корпуса и герметично закрывают светопрозрачны-ми линзами. Аналогичная конструкция корпуса для цифрового индикатора АЛС 311Б имеет 12 выводов и 4 кристалла с линзами.

На рис. 15.12, ? представлен пластмассовый корпус одноразрядного семисег-ментного цифрового индикатора АЛС-304. Данную конструкцию корпуса получают опрессовкой полупроводникового кристалла, расположенного на арматуре с десятью выводами.

,--к--»ч

Л. ? ? ?

?????

3U

б)

Рис. 15.11. Конструкции корпусов многоразрядных цифровых индикаторов:

а — девятиразрядный; б — пятиразрядный

?- к +

? +

+ \ +

¦ + \

+

+ +

4- 4-

?

5

а)

6)

Рис. 15.12. Конструкции корпусов одноразрядных цифровых индикаторов:

а — 35-элементиый; б — семисегментный

336

На рис. 15.12,6 показана пластмассовая конструкция корпуса одноразрядного 35-элементного цифробуквенного индикатора с перекрестной коммутацией. Корпус имеет 14 выводов, расположенных на темновой стороне корпуса перпендикулярно его поверхности.

Основные размеры корпусов источников света приведены в табл. 15.12.

Таблица 15.12

Тип корпуса Размеры, мм А Б 1 в 1 * с I ? * - i б

АЛС 318 АЛС 311 АЛ 304 АЛ 306 49,5 18,9 6,3 19,5 7,0 6,6 5,3 10,5 18,5 7,5 3,0 3,2 2,5 2.S 1.0 7,5 2,0 1,5 0,5 0,5 5 0,5 0,25 4 4,5; 7,з: 15 15,3 3,7 10 1,9 1,3 ё_ 1,8 3,0 8,9 13 3,0 2,0 6,5

§ 15.8. Конструкции корпусов интегральных микросхем

Все корпуса интегральных микросхем разбиты на пять типов па форме проекции тела корпуса на плоскость основания и по расположению проекции выводов на плоскость основания.

Первый тип. Корпуса этого- типа имеют прямоугольную форму проекции тела на -плоскость основания и одностороннее перпендикулярное расположение выводов в пределах проекции тела корпуса. Корпуса этого типа имеют четыре подтипа (11, 12, 13 и 14), различающиеся размерами корпуса и расположением выводов относительно плоскости основания.

Корпус подтипа 11 имеет прямоугольную форму и перпендикулярное расположение выводов в один ряд по центру основания (рис. 15.13, ?). Корпус подтипа 12 имеет прямоугольную форму и перпендикулярное расположение выводов в два ряда, сдвинутых от центра корпуса к его краям (рис. 15.13,6). Корпус подтипа 13 имеет прямоугольную форму и перпендикулярное расположение выводов с определенным шагом по всему основанию (рис. 15.13,в). Корпус подтипа 14 также имеет прямоугольную форму и перпендикулярное расположение выводов по контуру основания (рис. 15.13,г).

Таблица 15.13

Тип корпуса Размеры, мм А в ? U 1 d С * 1 *

1101.7-1 1102.9-1 19,5 24,5 4,5 4,5 20 20 со со со со 0,5 0,5 2,25 2,25 2,5 2,5 1,5 1,5 0,5 0,5

Корпус подтипа 11 имеет две модификации 1101.7-1 и 1102-9-1, различающиеся габаритными размерами и числом выводов (табл. 15.13).

12—210

337

14

95

Б

Щ V

e с с WV7V7V7

* -

а)

¦*— с.

й ? Б 1'

>Ж >ж

А ?

? WWWW-?

?

в)

i-*5»> «s»

ОТ7

г)

Рис. 15.13. Конструкции корпусов интегральных микросхем первого типа

Корпус подтипа 12 имеет 19 модификаций (1201—1219), различающихся габаритными размерами и числом выводов. Некоторые из этих модификаций приведены в табл. 15.14.

Корпус подтипа 13 имеет пять модификаций, различающихся размерами и числом выводов. В табл. 15.15 представлены основные размеры корпусов этих модификаций.

Модификация 1301.16-1 имеет четыре ряда выводов по четыре вывода в ряду. Модификация 1302.48-1 имеет шесть рядов по восемь выводов в ряду. Модификация 1303.77-1 имеет семь рядов по одиннадцать выводов. Модификация 1304.56-1 имеет семь рядов по девять выводов. Модификация 1305.45-1 имеет пять рядов по девять выводов в каждом ряду.

338

Таблица 15.14

Тип корпуса Размеры, мм А Б в 1 ? d с k ь

1201.10-1 14,5 7,0 7,5 3-8 0,5 5 2,5 1,5 0,5

1202.14-1 19,5 12,0 7,5 3—8 0,5 5 2,5 1,5 0,5

1204.20-1 27,0 14,5 7,5 3—8 0,5 5 2,5 1,5 0,5

1205.16-1 22,0 19,5 7,5 3—8 0,5 5 2,5 1,5 0,5

1210.28-1 37,0 27,0 7,5 3-8 0,5 5 2,5 1,5 0,5

1212.40-1 52,0 37,0 7,5 3—8 0,5 5 2,5 1,5 0,5

1213.46-1 59,5 39,5 10,0 3^8 0,5 5 2,5 1,5 0,5

1214.12-1 17,0 7,0 20,0 3—8 0,5 5 2,5 1,5 0,5

3 248.24-1 32,0 7,0 20,0 3—8 0,5 5 2,5 1,5 0,5

1219.22-1 29,5 9,5 20,0 3—8 0,5 5 2,5 1,5 0,5

Таблица 15.15

Тип корпуса Размены, мм * 1 Б в 1 d с ft ь

1301.16-1 12 12 7,5 0,5 2,5 2,5 1,5 0,5

1302.48-1 32 19,5 7,5 0,5 2,5 2,5 1,5 0,5

1303.77-1 29 19,5 7,5 0,5 2,5 2,5 1,5 0,5

1304.56-1 22 19,5 7,5 0,5 2,5 2,5 1,5 0,5

1305.45-1 24,5 19,5 7,5 0,5 2,5 2,5 1,5 0,5

Корпус подтипа 14 имеет семь модификаций, различающихся размерами и количеством выводов. В табл. 15.16 приведены основные раз

страница 80
< К СПИСКУ КНИГ > 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 87

Скачать книгу "Технология производства полупроводниковых приборов и интегральных микросхем" (3.82Mb)


[каталог]  [статьи]  [доска объявлений]  [прайс-листы]  [форум]  [обратная связь]

 

 

Реклама
курсы электромеханика по холодильному оборудованию
blf 230 vim вингс-м цена
как выдавить вмятину на крыле
прокат ноутбуков в москве

Рекомендуемые книги

Введение в химию окружающей среды.

Книга известных английских ученых раскрывает основные принципы химии окружающей среды и их действие в локальных и глобальных масштабах. Важный аспект книги заключается в раскрытии механизма действия природных геохимических процессов в разных масштабах времени и влияния на них человеческой деятельности. Показываются химический состав, происхождение и эволюция земной коры, океанов и атмосферы. Детально рассматриваются процессы выветривания и их влияние на химический состав осадочных образований, почв и поверхностных вод на континентах. Для студентов и преподавателей факультетов биологии, географии и химии университетов и преподавателей средних школ, а также для широкого круга читателей.

Химия и технология редких и рассеянных элементов.

Книга представляет собой учебное пособие по специальным курсам для студентов химико-технологических вузов. В первой части изложены основы химии и технологии лития, рубидия, цезия, бериллия, галлия, индия, таллия. Во второй части книги изложены основы химии и технологии скандия, натрия, лантана, лантаноидов, германия, титана, циркония, гафния. В третьей части книги изложены основы химии и технологии ванадия, ниобия, тантала, селена, теллура, молибдена, вольфрама, рения. Наибольшее внимание уделено свойствам соединений элементов, имеющих значение в технологии. В технологии каждого элемента описаны важнейшие области применения, характеристика рудного сырья и его обогащение, получение соединений из концентратов и отходов производства, современные методы разделения и очистки элементов. Пособие составлено по материалам, опубликованным из советской и зарубежной печати по 1972 год включительно.

 

 



Рейтинг@Mail.ru Rambler's Top100

Copyright © 2001-2012
(23.09.2017)