химический каталог




Технология лабораторного эксперимента

Автор Е.А.Коленко

В. Этот потенциал называют формовочным. Оптимальным считается такое значение формовочного потенциала, при котором плотность тока в цепи находится в пределах 0,2—15 мА/см2.

Конкретные режимы процесса плазменного окисления алюминия зависят от исходных данных, а оценочными режимами являются следующие:

Разрядный промежуток, мм 200—400

Напряжение иа разрядном промежутке, кВ . . . 3—5

Ток разряда, мА 0,1—0,05

Скорость образования оксидной пленки, им/щи. . 5—10

Катоа

Замечательной особенностью плазменного оксидирования является полное разложение в разряде полимерной подложки алюминиевой пленки. Это обстоятельство особенно важно при получении оксидных пленок толщиной сотни и тысячи нанометров, так как при таких толщинах химически растворить полимерную подложку алюминиевой пленки невозможно без ее разрыва. В том случае, если оксидную пленку необходимо нанести на

713

какой-либо объект, например на входную поверхность г

налыюго электронного усилителя, вначале на нее наносят нитро-пленку с напыленным слоем алюминия нужной толщины. Затем при обработке в плазме пленка превращается в оксидную, а подложка при этом разлагается.

8.8.16. Визуализация микроотверстий в тонких диэлектрических пленках

Независимо от способа получения тонкие пленки могут иметь дефекты в виде микроскопических сквозных отверстий, посторонних электропроводящих включений, появления аморфной и кристаллической фаз и др. Если эти дефекты в металлических пленках в большинстве случаев не ухудшают ее свойства, то в диэлектрических пленках они совершенно недопустимы.

Так, наличие даже субмикронного сквозного отверстия в диэлектрической пленке приводит к электрическому пробою электроизоляции и, следовательно, к выходу из строя прибора, в котором эта пленка использовалась. Особенно недопустимы подобные дефекты в многослойных твердотельных полупроводниковых структурах, в которых тонкие диэлектрические пленки выполняют роль электроизоляции.

Известны несколько методов обнаружения в диэлектрических тонких пленках сквозных микроотверстий: контроль свободной пленки по газопроницаемости, контроль пленки по пробивному напряжению и др. Основным недостатком этих методов является их разрушающий характер. После проверки пленка уже непригодна для дальнейшего использования, что особенно нежелательно, если она нанесена на сложную структуру, выполненную на полупроводниковой или металлической пластине.

В 1971 г. был предложен неразрушающий метод контроля тонких диэлектрических пленок на наличие в них микроэлектропроводящих дефектов (сквозных отверстий, пор, посторонних частиц, дефектов структуры и Др.). При этом исследуемая пленка может быть свободной либо нанесенной в качестве электроизоляции на полупроводниковую структуру. Кроме того, этим методом можно обнаружить микроотверстия (проколы) в полимерных пленках толщиной до 200 мкм.

Сущность метода заключается в электрофоретическом действии электрического тока на фотоэмульсию обычной фотобумаги, смоченной в слабом водном растворе гидрохинона или серноватисто-кислого натрия. В результате электрохимической реакции происходит восстановление ионов серебра из его галоидных соединений, находящихся в эмульсии фотобумаги, и в месте расположения дефекта на пленке появляется точечное почернение.

Практически технология реализации электрофоритического метода визуализации микроотверстий и других электропроводящих дефектов в диэлектрических тонких пленках, нанесенных

714

на металлические или полупроводниковые основания, заключается в следующем. На диэлектрическую пленку кладут фотобумагу, желательно контрастную, смоченную в растворе гидрохинона (10 г/л) или растворе серноввтистокислого натрия (300 г/л). Растворы должны быть приготовлены на дистиллированной или деионизованной воде. Сверху на фотобумагу кладут ровную металлическую пластинку, соединенную с положительным полюсом источника напряжения. Отрицательный полюс присоединяют к подложке, на которую нанесена диэлектрическая пленка, или к металлической пластинке (при контроле свободной пленки) (рис. 8.49).

Напряжение, приложенное к «пакету», должно составлять 0,5—0,7-х части от пробивного напряжения обследуемой пленки.

Время экспозиции зависит от толщины пленки и может составлять от единиц до сотен секунд. При длительной экспозиции изоб ражеиие дефектов в виде отчетливых черных точек появляется на фотобумаге без какой-либо дополнительной обработки. При непродолжительной экспозиции либо при очень незначительных дефектах (отверстиях) для получения отчетливого изображения фотобумагу подвергают обычным процессам проявления и фиксирования. Размеры изображения на бумаге при размере дефекта (отверстия) 1—100 мкм оказываются равными 0,2—0,5 мм. Недостаточная четкость, изображения на фотобумаге зависит от степени увлажнения бумаги раствором, плотности прилегания бумаги к пленке и ряда других трулнокоптролируемых факторов. Исходя из этого по размеру изображения на бумаге нельзя судить об истинном размере дефекта (отверстия). Также нельзя идентифицировать

страница 234
< К СПИСКУ КНИГ > 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 100 101 102 103 104 105 106 107 108 109 110 111 112 113 114 115 116 117 118 119 120 121 122 123 124 125 126 127 128 129 130 131 132 133 134 135 136 137 138 139 140 141 142 143 144 145 146 147 148 149 150 151 152 153 154 155 156 157 158 159 160 161 162 163 164 165 166 167 168 169 170 171 172 173 174 175 176 177 178 179 180 181 182 183 184 185 186 187 188 189 190 191 192 193 194 195 196 197 198 199 200 201 202 203 204 205 206 207 208 209 210 211 212 213 214 215 216 217 218 219 220 221 222 223 224 225 226 227 228 229 230 231 232 233 234 235 236 237 238 239 240 241 242 243 244 245 246 247 248 249

Скачать книгу "Технология лабораторного эксперимента" (8.88Mb)


[каталог]  [статьи]  [доска объявлений]  [прайс-листы]  [форум]  [обратная связь]

 

 

Реклама
cenmax vigilant st-7
Установка иммобилайзера StarLine i95 ECO
курсы по шитью для начинающих балашиха
светящиеся буквы вывески

Рекомендуемые книги

Введение в химию окружающей среды.

Книга известных английских ученых раскрывает основные принципы химии окружающей среды и их действие в локальных и глобальных масштабах. Важный аспект книги заключается в раскрытии механизма действия природных геохимических процессов в разных масштабах времени и влияния на них человеческой деятельности. Показываются химический состав, происхождение и эволюция земной коры, океанов и атмосферы. Детально рассматриваются процессы выветривания и их влияние на химический состав осадочных образований, почв и поверхностных вод на континентах. Для студентов и преподавателей факультетов биологии, географии и химии университетов и преподавателей средних школ, а также для широкого круга читателей.

Химия и технология редких и рассеянных элементов.

Книга представляет собой учебное пособие по специальным курсам для студентов химико-технологических вузов. В первой части изложены основы химии и технологии лития, рубидия, цезия, бериллия, галлия, индия, таллия. Во второй части книги изложены основы химии и технологии скандия, натрия, лантана, лантаноидов, германия, титана, циркония, гафния. В третьей части книги изложены основы химии и технологии ванадия, ниобия, тантала, селена, теллура, молибдена, вольфрама, рения. Наибольшее внимание уделено свойствам соединений элементов, имеющих значение в технологии. В технологии каждого элемента описаны важнейшие области применения, характеристика рудного сырья и его обогащение, получение соединений из концентратов и отходов производства, современные методы разделения и очистки элементов. Пособие составлено по материалам, опубликованным из советской и зарубежной печати по 1972 год включительно.

 

 



Рейтинг@Mail.ru Rambler's Top100

Copyright © 2001-2012
(08.12.2016)