химический каталог




Технология лабораторного эксперимента

Автор Е.А.Коленко

х, которые хорошо удаляют большинство из перечисленных загрязнений. Для того чтобы исключить обратное загрязнение очищаемой поверхности перешедшими в растворитель веществами, очистку надо вести последовательно в четырех-пяти ваннах с большим количеством растворителя. Нагрев растворителя существенно улучшает эффективность очистки. Последнюю стадию предварительной очистки следует проводить в фреоне-113.

Чистая обработка поверхности предусматривает удаление остаточных загрязнений и доведение их количества до требуемого значения (10"'—10~" г/см"). Этот этап обработки включает химическое обезжиривание, при котором минеральные и органические жировые загрязнения химически связываются с растворителем и повторно не загрязняют поверхность заготовки. Чаще всего химическую чистую очистку проводят в щелочных растворах, в которых происходит омыливание жиров с последующим удалением образовавшегося мыла промывкой в воде. В качестве наиболее употребляемого щелочного раствора при чистой химической обработке монокристаллических полупроводниковых заготовок используют «универсальный» перекиено-аммиячный раствор, состоящий, как упоминалось выше, из 25%-й пергидроля (перекиси водорода), 25%-го аммиака (нашатырного спирта) и дистиллированной воды в объемном соотношении 1:1:1. В процессе обезжиривания пергидроль разлагается с выделением химически высокоактивного атомарного кислорода, который окисляет как органические, так и неорганические загрязнения. Аммиак благоприятствует разложению пергидроли и, будучи щелочью, омыли-вает жировые загрязнения. Обработку заготовок в щелочных распорах обычно проводят при 70—90 °С в течение 5—10 мин.

Тончайшие пленки жировых загрязнений придают поверхности заготовки гидрофобные свойства, что затрудняет смачива-ние ее жидкостью. Поэтому обезжиривание по своей сути является Процессом превращения гидрофобной поверхности в гидрофиль-Jyo. т. е. смачиваемую жидкостью. Этот процесс существенно Ускоряется, если в растворитель вводят поверхностно-активное ^Щество. При использовании в качестве растворителя трихлор-тилена. тетрахлорэтилена, четыреххлористого углерода, хлори439

стого метилена и других хлорированных углеводородов над, димо избегать их контакта с водой, так как при этом растворите» разлагается с образованием соляной кислоты. Характерный заПаЬ соляной кислоты, исходящий от растворителя, свидетельствуй о том, что в него попала вода. Такой растворитель использован нельзя. Для того чтобы нейтрализовать соляную кислоту, обра зевавшуюся в растворителе, добавляют небольшое количество органического основания, такого как уротропин, диэтиламин и др. В процессе обработки в щелочных растворах концентрация щелочи уменьшается, поэтому для корректировки щелочности в раствор вводят соль щелочного металла, например хлористые натрий.

Монокристаллические заготовки из полупроводниковых материалов, предназначенные для изготовления на них различны» структур изделий твердотельной электроники, требуют предельно возможной очистки поверхности. Такую поверхность принято называть атомарно-чистой. В результате атомарно-чистой обра-ботки с поверхности должны быть удалены ионные и атомарные загрязнения.

Под ионными загрязнениями понимают соли, кислоты и основания, оставшиеся на поверхности после предшествующих операций очистки. Имея толщину несколько молекулярных слоев, эти загрязнения существуют в виде ионов и прочно удерживаются на поверхности электрическими и химическими связями. Под влиянием электрических полей, приложенных к элементам полупроводниковой структуры, ионы загрязнений передвигаются по поверхности, нарушая нормальную работу прибора.

К атомарным загрязнениям относят отдельные конгломераты атомов меди, серебра, кадмия, хрома и других, которые попали ш поверхность из растворов предыдущей обработки. Этот вид загрязнений существенно влияет на некоторые электрофизические параметры готового полупроводникового прибора.

При атомарно-чистой обработке количество остаточных загрязнений на поверхности не должно превышать Ю'10 г/см*. Достичь указанного уровня остаточных загрязнений невозможно обработкой в растворителях или даже в чистейшей воде. Так, на кремниевой пластине, предварительно очищенной в растворителях, после промывки в кипящей деионизованной воде в течение 30 мин оставшиеся на пластине загрязнения составили 98% их первоначального количества. При ультразвуковой обработке в дионизованной воде на пластине осталось до 80% примесей в ионном или атомарном состоянии. • ?

Удалить ионные и атомарные загрязнения с поверхности полупроводникового материала можно только при использования физических, электрохимических и химических процессов обра* ботки, а также их комбинаций.

Способы атомарно-чистой обработки полупроводниковых материалов направлены также на обеспечение чистоты

поверхности

440

Азотная

Плавиковая Вода

Азотная кислота

Соляная >

Перекись водорода верная кислота

Вода

2:1:4

1 :5

1:3:1

Полирующий мягкий травитель

Полирующий травитель; роста, травления S и хм/мин<

страница 130
< К СПИСКУ КНИГ > 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 100 101 102 103 104 105 106 107 108 109 110 111 112 113 114 115 116 117 118 119 120 121 122 123 124 125 126 127 128 129 130 131 132 133 134 135 136 137 138 139 140 141 142 143 144 145 146 147 148 149 150 151 152 153 154 155 156 157 158 159 160 161 162 163 164 165 166 167 168 169 170 171 172 173 174 175 176 177 178 179 180 181 182 183 184 185 186 187 188 189 190 191 192 193 194 195 196 197 198 199 200 201 202 203 204 205 206 207 208 209 210 211 212 213 214 215 216 217 218 219 220 221 222 223 224 225 226 227 228 229 230 231 232 233 234 235 236 237 238 239 240 241 242 243 244 245 246 247 248 249

Скачать книгу "Технология лабораторного эксперимента" (8.88Mb)


[каталог]  [статьи]  [доска объявлений]  [прайс-листы]  [форум]  [обратная связь]

 

 

Реклама
билет на квн цена
продажа ортопедических матрасов 140 на 180
вентилятор канальный лиссант вкк 100
видео курсы ремонта холодильников

Рекомендуемые книги

Введение в химию окружающей среды.

Книга известных английских ученых раскрывает основные принципы химии окружающей среды и их действие в локальных и глобальных масштабах. Важный аспект книги заключается в раскрытии механизма действия природных геохимических процессов в разных масштабах времени и влияния на них человеческой деятельности. Показываются химический состав, происхождение и эволюция земной коры, океанов и атмосферы. Детально рассматриваются процессы выветривания и их влияние на химический состав осадочных образований, почв и поверхностных вод на континентах. Для студентов и преподавателей факультетов биологии, географии и химии университетов и преподавателей средних школ, а также для широкого круга читателей.

Химия и технология редких и рассеянных элементов.

Книга представляет собой учебное пособие по специальным курсам для студентов химико-технологических вузов. В первой части изложены основы химии и технологии лития, рубидия, цезия, бериллия, галлия, индия, таллия. Во второй части книги изложены основы химии и технологии скандия, натрия, лантана, лантаноидов, германия, титана, циркония, гафния. В третьей части книги изложены основы химии и технологии ванадия, ниобия, тантала, селена, теллура, молибдена, вольфрама, рения. Наибольшее внимание уделено свойствам соединений элементов, имеющих значение в технологии. В технологии каждого элемента описаны важнейшие области применения, характеристика рудного сырья и его обогащение, получение соединений из концентратов и отходов производства, современные методы разделения и очистки элементов. Пособие составлено по материалам, опубликованным из советской и зарубежной печати по 1972 год включительно.

 

 



Рейтинг@Mail.ru Rambler's Top100

Copyright © 2001-2012
(21.10.2017)