химический каталог




Фотопроводящие окислы свинца в электронике

Автор В.А.Извозчиков, О.А.Тимофеев

ержание новой фазы методом, изложенным в [2]. Авторы работы [38] установили, что при размоле максимальная скорость перехода РЬОр -> РЬОт достигается в области 290—300 К. Основной причиной фазового перехода является рост микронапряжений.

22

В области высоких-(107 Па и более) гидростатических давлений Ти. ? смещается к более низким температурам, и термический переход становится заведомо энантиотропным, хотя при известных, условиях может остаться квазимонотропным, поскольку результат реакции находится в сложной и не систематической зависимости от вида исходного препарата, механических воздействий, значений и последовательности повышения Р, Т. При «чистом» гидростатическом давлении реализуется непосредственный переход. РЬОт РЬОр, а при давлении с деформациями сдвига — череа образование промежуточной неупорядоченной структуры, обладающей пониженной энергией.

Подобные образования в пределах единого монокристалла обнаружили в начале 60-х годов В. А. Извозчиков и Г. А. Бордов-ский [27] и независимо Б. Диккенс и Р. Седерквист. При атмосферном давлении и комнатной ? наблюдался спонтанный переход, поверхности монокристаллов из метастабильного (РЬОр) в стабильное (РЬОт) состояние с образованием полиморфных бифазных кристаллов, в центре которых сохраняется ядро РЬОр, отделенное от монокристаллической оболочки РЬОт промежуточной разупоря-доченной областью. В дальнейшем аналогичная структура была выявлена в микрокристаллитах поликристаллических образцов и обнаружена также [13] при старении интерференционных тонкопленочных светофильтров на основе окиси свинца. По-видимому, образование гибридных структур — свойство, присущее окиси свинца во всех случаях, когда в системе первоначально формируется РЬОр. Например, если при осаждении РЬО из раствора щелочи (см. гл. 2) первоначально вырастают, в соответствии с правилом фаз Оствальда, монокристаллы метастабильной энергетически неустойчивой РЬОр, то затем в их поверхностном слое спонтанно реализуется переход в термодинамически равновесную при комнатной температуре РЬОт. Нагревание до 393—423 К стимулирует начинающийся при комнатной ? спонтанный переход поверхности монокристалла из РЬОр в РЬОт, делает слой РЬОт более толстым и увеличивает дефектность монокристалла, что в конечном счете может перевести его в поликристаллическое образование. Расчет показывает, что термическую стимуляцию формирования гибридных монокристаллов можно объяснить ростом разности свободной энергии обеих модификаций в интервале от 298 до 600 К (при 420 К приращение этой разности достигает 40%) с одновременным снижением потенциальных барьеров, препятствующих переходу. Энергия перехода при 290 К оценивается в 243 кДж/моль. Кристаллографические предпосылки перехода заключаются в том, что обе структуры обладают сходными ближним порядком и слоистой решеткой, более компактной и симметричной в РЬОт. Слоистая структура параллельна плоскости (001) кристалла, а атомы РЬ образуют искаженную кубическую подрешетку с близкими межатомными расстояниями в РЬОт и РЬОр. Это, а также существование псевдо-орторомбической и псевдотетрагональной структур, облегчает осу-

23

ществление полиморфного перехода внутри монокристалла. Он происходит при сохранении подобия упаковок атомов РЬ в подре-шетках обоих окислов и при выполнении условия параллельности плоскостей (001) в кристаллах РЬОт и РЬОр, а также (ПО) и (100) соответственно. Возможность нарушения одной слабой связи РЬ—О (0,248 нм) и повышенная подвижность атомов О обусловливают смещение последних на 0,07 нм выше или ниже первоначальных позиций вдоль (001)рьор с выравниванием упаковки О. Вторичным эффектом является небольшое перемещение на 0,047 нм атомов РЬ вдоль направления [010]РЬор и перпендикулярно слою, так как толщина слоев составляет 0,227 нм в РЬОр и 0,238 нм в РЬОт. На заключительном этапе происходит смещение слоев в РЬОр и РЬОт на 0,294 и 0,251 нм соответственно.

Присутствие промежуточной фазы (с псевдоморфными РЬОр и РЬОт переходными структурами) позволяет сопоставить полиморфный переход в РЬО с эпитаксиальным ростом одной из полиморфных структур на основе другой. В этом процессе важную роль играет значение поверхностной энергии, поскольку в анизотропных веществах полная поверхностная энергия ???? внутренних и внешних границ поликристалла может оказаться ниже энергии монокристалла такого же объема. Расчет удельной поверхностной энергии по формуле Б. В. Белогурова (1961 г.) дает для РЬО ??0? = = 0,298 Дж/м2, что, по Б. Ф. Ормонту, приводит к удельной свободной энергии асв = 0,293 Дж/м2. Для расчета 0СВ различных кристаллографических плоскостей РЬО в зависимости от температуры используем формулы

асв = ?». св + ???0?; ???0? = (Щ1А ?)·[1- (Т/Тплавл)],

связывающие свободную поверхностную энергию в твердом асв и жидком ож. св состояниях (аж. св = 0,132 Дж/м2). Появление в формуле теплоты плавления Ahf = (??/?) и площади границы раздела Aw, приходящихся на один атом, предполагает, что значение ????? различно для различных кристаллографических поверхностей.1

страница 8
< К СПИСКУ КНИГ > 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61

Скачать книгу "Фотопроводящие окислы свинца в электронике" (1.48Mb)


[каталог]  [статьи]  [доска объявлений]  [прайс-листы]  [форум]  [обратная связь]

 

 

Реклама
аренда акустической системы москва
Фирма Ренессанс: лестница под заказ - качественно и быстро!
стул самба gtp
В магазине KNSneva.ru Adaptec AFM-700 - в розницу по опту в КНС СПБ !

Рекомендуемые книги

Введение в химию окружающей среды.

Книга известных английских ученых раскрывает основные принципы химии окружающей среды и их действие в локальных и глобальных масштабах. Важный аспект книги заключается в раскрытии механизма действия природных геохимических процессов в разных масштабах времени и влияния на них человеческой деятельности. Показываются химический состав, происхождение и эволюция земной коры, океанов и атмосферы. Детально рассматриваются процессы выветривания и их влияние на химический состав осадочных образований, почв и поверхностных вод на континентах. Для студентов и преподавателей факультетов биологии, географии и химии университетов и преподавателей средних школ, а также для широкого круга читателей.

Химия и технология редких и рассеянных элементов.

Книга представляет собой учебное пособие по специальным курсам для студентов химико-технологических вузов. В первой части изложены основы химии и технологии лития, рубидия, цезия, бериллия, галлия, индия, таллия. Во второй части книги изложены основы химии и технологии скандия, натрия, лантана, лантаноидов, германия, титана, циркония, гафния. В третьей части книги изложены основы химии и технологии ванадия, ниобия, тантала, селена, теллура, молибдена, вольфрама, рения. Наибольшее внимание уделено свойствам соединений элементов, имеющих значение в технологии. В технологии каждого элемента описаны важнейшие области применения, характеристика рудного сырья и его обогащение, получение соединений из концентратов и отходов производства, современные методы разделения и очистки элементов. Пособие составлено по материалам, опубликованным из советской и зарубежной печати по 1972 год включительно.

 

 



Рейтинг@Mail.ru Rambler's Top100

Copyright © 2001-2012
(09.12.2016)