химический каталог




Фотопроводящие окислы свинца в электронике

Автор В.А.Извозчиков, О.А.Тимофеев

отражения при ? = 578 нм, в котором коэффициент отражения достигал R = 97% при коэффициентах пропускания 1% и поглощения 2%. Одиннадцатислойный интерференционный светофильтр со слоями РЬО по своим характеристикам заменял пятнадцати-слойный светофильтр с ZnS, причем имел меньшую спектральную полуширину пропускания ?? = 3 нм при ? = 530 нм, где коэффициент пропускания составлял 75%. Достоинства РЬО как компонента многослойных оптических покрытий объясняются достаточно высоким значением коэффициента преломления ? = 2,6 (для ? = = 578 нм). С течением времени значение ? еще более возрастает, что приводит к увеличению пропускания слоев и к уменьшению поглощения. Электронно-графические исследования показали, что этот процесс связан с исчезновением текстуры осажденных слоев, РЬОр и со спонтанным переходом РЬОр РЬОт.

Свинецсодержащие стекла. Окислы свинца входят в состав многих легкоплавких стекол. Содержание РЬО в стеклах может достигать 90%, причем предполагается, что при малом содержании РЬО ион РЬ2+ является модификатором решетки, а при содержании РЬО в стекле более 15—20% начинает входить в сетку стекла либо в виде тетрагональных групп РЬ04, либо образуя связи с двумя ионами кислорода по типу: =Si—О—РЬ—О—Si=. Процесс стек-лообразования облегчается присутствием ковалентной доли связей между свинцом и кислородом. Основные свойства стекол и их применение описаны в работе [15]. Легкоплавкие свинецсодержащие стекла используются в качестве защитных эмалей, глазурей и припоев в электронике. В оптических приборах использованы стекла состава: РЬО—La203—В203. В качестве радиационно-за-щитного материала исследовались стекла в системе: Li20—РЬО—В203.

В последнее время открылись перспективы применения свинец-содержащих стекол и в качестве активных полупроводниковых элементов.

Таблица 24

Основные характеристики фотопроводящих стеклообразных полупроводников системы Ge—Pb—S (по Г. Хр. Иванову, Б. Т. Коломийцу, В. М. Любину, М. А. Тагирджанову, Е. П. Шило)

Состав стекла Плотность p. г/см3 Микро-твердость ? "??· ??,??2 Температура размягчения, ?&, к Темновая электропроводность, ? ? 10—13, См/см Энергия активации АЕТ, эВ Фотопроводимость ??/?, о. е.

Cje^Sgn 3,0105 382 518 2 1,76 1,5

Ge31PbuS58 4,2568 126 541 1 1,60 10—30

Ge28Pb15S57 4,7439 124 535 2,8 1,67 20—30

Ge25Pb18S57 4,7048 170 537 7 1,58 30—40

Ge22Pb22S5i3 5,4415 195 532 3,5 1,66 30—100

137

В 1972—1973 гг. В. И. Гаман с сотрудниками описали эффект памяти при переключении систем металл—свинцовоборосиликатное стекло — металлл и металл — РЬО — металл из состояния с высоким сопротивлением в состояние с высокой проводимостью и обратно. Механизм процесса связывался с реакцией: РЬО z^: РЬ02.

Весьма интересными по своим свойствам являются свинецсо-держащие халькогенидные стекла в системах Ge—РЬ—S и Ge—Pb—Se, полученные в ГДР А. Фельтцем и др., а в СССР — Б. Т. Коломийцем и В. М. Любиным с сотрудниками. Эти стекла характеризуются высоким темновым сопротивлением, чувствительностью к электромагнитному излучению, обратимым переходом в кристаллическое состояние. Основные характеристики некоторых из них приведены в табл. 24.

В 1977 г. Й. Маккензи сообщил (J. Non. Crist. Sol., vol. 26, ? 1—3) о микроканальных пластинах на основе свинцовых стекол с высоким коэффициентом ВЭЭ и о применении их в фотоумножителях, мощных усилителях света и т. д.

заключение

Создание обобщенной кристаллохимической модели и феноменологический анализ оптических и фотоэлектрических явлений далеко еще не исчерпывают всех проблем фотопроводящих окислов свинца. За рамками книги остались проблемы колебаний и неустойчивости фототока, влияния примесей различных валентностей на тип и значение электропроводности, фотоэлектронной памяти. Структура запрещенной зоны и механизм' фотоэлектронных процессов рассмотрены пока лишь качественно. На очереди стоят тщательные оптические измерения в ультрафиолетовой и инфракрасной частях спектра, измерение диэлектрических характеристик в широкой области частот и температур, разделение электронных и ионных процессов, исследование фотосорбционных явлений и др. Важной проблемой является теоретический расчет зонной структуры и колебательного спектра решеток на основе высказанной в книге гипотезы о сходстве свинцовых подрешеток различных окислов и квазимолекулярном цепочечном характере их структур. Завершающим этапом должно стать определение взаимозависимостей между эволюцией химической связи и основными физико-химическими свойствами в более широких рядах соединен

л IVtWI

нии типа А В , а именно в окислах, халькогенидах и галогенидах металлов подгруппы Ge: Si, Ge, Sn, Pb.

Решение этих проблем несомненно расширит области технических применений окислов свинца и их аналогов.

список литературы

1. Богаткина Н. И., Я неон И. ?·? Батрак А. Г. Экспериментальное исследование оптических фононов в РЬО методом туннельной спектроскопии.— Физика твердого тела, т. 15, 1973, № 6, с. 1

страница 59
< К СПИСКУ КНИГ > 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61

Скачать книгу "Фотопроводящие окислы свинца в электронике" (1.48Mb)


[каталог]  [статьи]  [доска объявлений]  [прайс-листы]  [форум]  [обратная связь]

 

 

Реклама
http://help-holodilnik.ru/remont_model_3311.html
15200z09600.32 цена
авторадио дискотека 80х 2017
компьютерное кресло комфорт купить

Рекомендуемые книги

Введение в химию окружающей среды.

Книга известных английских ученых раскрывает основные принципы химии окружающей среды и их действие в локальных и глобальных масштабах. Важный аспект книги заключается в раскрытии механизма действия природных геохимических процессов в разных масштабах времени и влияния на них человеческой деятельности. Показываются химический состав, происхождение и эволюция земной коры, океанов и атмосферы. Детально рассматриваются процессы выветривания и их влияние на химический состав осадочных образований, почв и поверхностных вод на континентах. Для студентов и преподавателей факультетов биологии, географии и химии университетов и преподавателей средних школ, а также для широкого круга читателей.

Химия и технология редких и рассеянных элементов.

Книга представляет собой учебное пособие по специальным курсам для студентов химико-технологических вузов. В первой части изложены основы химии и технологии лития, рубидия, цезия, бериллия, галлия, индия, таллия. Во второй части книги изложены основы химии и технологии скандия, натрия, лантана, лантаноидов, германия, титана, циркония, гафния. В третьей части книги изложены основы химии и технологии ванадия, ниобия, тантала, селена, теллура, молибдена, вольфрама, рения. Наибольшее внимание уделено свойствам соединений элементов, имеющих значение в технологии. В технологии каждого элемента описаны важнейшие области применения, характеристика рудного сырья и его обогащение, получение соединений из концентратов и отходов производства, современные методы разделения и очистки элементов. Пособие составлено по материалам, опубликованным из советской и зарубежной печати по 1972 год включительно.

 

 



Рейтинг@Mail.ru Rambler's Top100

Copyright © 2001-2012
(22.09.2017)