химический каталог




Фотопроводящие окислы свинца в электронике

Автор В.А.Извозчиков, О.А.Тимофеев

странственным зарядом, и процесс может быть описан (49).

Предельные значения ?, оцененные в начальный момент ФР, характеризуют абсолютный квантовый выход фотопроводника и для РЬОт при hv>AE0 достигают 0,6—1,0.

Зависимость ЭФЧ от начального потенциала слоя может быть проконтролирована снижением Unp до заданного значения путем естественной TP или подсветкой. В первом случае ЭФЧ уменьшается линейно в зависимости от значения начального потенциала, что говорит об определяющей роли сдвига НЗ и росте значения ? в поле, а во втором — суперлинейно, причиной чего служит возникновение в объеме слоя ниже по направлению к подложке области, генерации светового объемного заряда (СОЗ) неравновесных НЗ, совпадающего по знаку с поверхностным гомозарядом. По мере увеличения проникающей способности света область СОЗ сдвигается к электроду и сужается. Это согласуется с высокой концентрацией ловушек, а внешне — с образованием в ЭФС РЬОг остаточных потенциалов при освещении сильнопоглощаемым светом. Образование СОЗ приводит, с одной стороны, к ограничению сдвига НЗ, а с другой — к ослаблению поля в приповерхностной области и, как следствие этого, к увеличению скорости поверхностной рекомбинации (см. рис. 29).

Особенности структуры ЭФС РЬО обеспечивают сравнительно хорошие условия для дрейфа НЗ, тем более что межкристаллитные дрейфовые барьеры ец> ? (4н-12) kT снижаются при освещении. В ЭФС с нормальной концентрацией связующего вещества имеется по крайней мере точечный контакт зерен фотопроводника, обеспечивающий дрейф НЗ, помимо диэлектрической среды. В ЭФС РЬОг следует ожидать контакта между плоскостями микрокристаллитов.

132

Основанием для этого утверждения служат следующие факты: а) в процессе изготовления слоев происходит спонтанная ориентация микрокристаллитов плоскостью (002) параллельно подложке, при этом с повышением степени текстурированности растет фоточувствительность слоев, а в нижней, рабочей части их формируется плотная упаковка пластинок РЬО за счет оседания тяжелых частиц; б) скорости темновой разрядки ЭФС со связующим веществом и прессованных керамик в сухом воздухе одинаковые; в) значения параметра ??/ ЭФС РЬОт со связующим веществом, полученные

Рис. 66. Спектральная электрофотографическая чувствительность слоев состава:

/ — РЬОр; 2 — РЬОт; 3 -~ красная РЬОп с ПБМК; 4 — красная РЬОп с ПВК; 5 — красная РЬО со связующим веществом, по Дорну и Ульриху; 6 — РЬ304

в электрофотографическом режиме, близки к его значению для пленок, керамик и даже монокристаллов (см. гл. 4).

Следовательно, процессы фоторазрядки ЭФС РЬО должны определяться генерационно-рекомбинационными явлениями (с учетом прилипания на локальные уровни), присущими собственно окиси свинца. Действительно, спектры поглощения ЭФС с различными связующими диэлектриками (ПБМК, КО-815, К-55 и др.) совпадают со спектрами монокристаллов, а спектральная чувствительность ЭФС определяется в первую очередь фазовым составом окиси. Как видно из рис. 66, ЭФЧ монофазных слоев сходна с ФП и имеет колокол ообразную полосу с максимумом около 440, 570 и 620 нм для РЬОт, РЬ304 и РЬОр соответственно. В гетерофазных слоях полоса ЭФЧ определяется соотношением фаз в слое.

При сохранении нелинейности форма кривой U (г) при ФР определяется (как это уже было показано через зависимость Ре) длиной волны возбуждающего света. Одинаковая чувствительность по обе

133

«тороны от максимума СЧ ЭФС реализуется разным ходом кривых ФР в KB- и ДВ-частях спектра. В случае сильного поглощения света «быстрый» начальный участок кривой еще при достаточно больших потенциалах переходит в «медленный». С увеличением глубины поглощения доля «медленной» части уменьшается, вследствие чего возрастает ЭФЧ, достигая своего максимального значения для РЬОт при ? = 620 нм. При этом наклон касательной dUldt к начальной части кинетической кривой сохраняется в пределах точности эксперимента постоянным. При дальнейшем увеличении ? форма кривой ФР становится более монотонной, а значение dUldt в начальный момент резко уменьшается. Можно утверждать, что в области длинноволнового края поглощения света процессы ФР контролируются фотогенерацией НЗ, а в области сильного поглощения — рекомбинацией и дрейфом при повышенной роли поверхностной рекомбинации. Скорость последней возрастает с понижением потенциала, причем возникновение СОЗ приводит к большему, чем в среднем по слою, ослаблению электрического поля в приповерхностной области слоя.

В заключение следует отметить, что при всей перспективности использования ЭФС РЬО, особенно в электрорадиографии, основными препятствиями к их широкому внедрению остаются сложность получения стабильных и воспроизводимых параметров вследствие неустойчивости кристаллохимических процессов, а также вредное влияние соединений РЬ на человека. Наиболее реальный путь внедрения РЬО — это применение в качестве подслоев ЭФС, чувствительных к проникающему излучению.

25. Фотогальванические ячейки

Фотодиодные гетероокисные структуры. Путем вакуумного осаждения при низком да

страница 57
< К СПИСКУ КНИГ > 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61

Скачать книгу "Фотопроводящие окислы свинца в электронике" (1.48Mb)


[каталог]  [статьи]  [доска объявлений]  [прайс-листы]  [форум]  [обратная связь]

 

 

Реклама
аренда проекционной сетки
Кувшины EMSA купить
Стул КЛМ Верона
курсы по обучению работе на автокаде

Рекомендуемые книги

Введение в химию окружающей среды.

Книга известных английских ученых раскрывает основные принципы химии окружающей среды и их действие в локальных и глобальных масштабах. Важный аспект книги заключается в раскрытии механизма действия природных геохимических процессов в разных масштабах времени и влияния на них человеческой деятельности. Показываются химический состав, происхождение и эволюция земной коры, океанов и атмосферы. Детально рассматриваются процессы выветривания и их влияние на химический состав осадочных образований, почв и поверхностных вод на континентах. Для студентов и преподавателей факультетов биологии, географии и химии университетов и преподавателей средних школ, а также для широкого круга читателей.

Химия и технология редких и рассеянных элементов.

Книга представляет собой учебное пособие по специальным курсам для студентов химико-технологических вузов. В первой части изложены основы химии и технологии лития, рубидия, цезия, бериллия, галлия, индия, таллия. Во второй части книги изложены основы химии и технологии скандия, натрия, лантана, лантаноидов, германия, титана, циркония, гафния. В третьей части книги изложены основы химии и технологии ванадия, ниобия, тантала, селена, теллура, молибдена, вольфрама, рения. Наибольшее внимание уделено свойствам соединений элементов, имеющих значение в технологии. В технологии каждого элемента описаны важнейшие области применения, характеристика рудного сырья и его обогащение, получение соединений из концентратов и отходов производства, современные методы разделения и очистки элементов. Пособие составлено по материалам, опубликованным из советской и зарубежной печати по 1972 год включительно.

 

 



Рейтинг@Mail.ru Rambler's Top100

Copyright © 2001-2012
(08.12.2016)