химический каталог




Фотопроводящие окислы свинца в электронике

Автор В.А.Извозчиков, О.А.Тимофеев

офотографических параметров слоев при адсорбции полярных молекул.

Доминирование донорного или акцепторного характера последних будет зависеть только от изгиба зон на поверхности в соответствии со знаком зарядки.

В образцах группы «б» проявляется зависимость ЭФ параметров не столько от поверхностных, сколько в первую очередь от таких факторов, как структура и фазовый состав ЭФС, условия зарядки, предварительная подсветка и ее спектральный состав и т. д. Наиболее изученными в этой группе являются гетерогенные слои РЬО со связующим веществом, которые можно разделить условно на

127

три типа: / — слои с малой концентрацией связующего вещества, близкие к слабоспрессованным таблеткам; // — однородные слои с нормальной концентрацией связующего вещества; /// — неоднородные слои нормальной и повышенной концентрации связующего вещества с поверхностным слоем лака.

Кривые темнового спада потенциалов образцов трех типов при одинаковых условиях зарядки представлены на рис. 63. Самый быстрый спад потенциала присущ слоям типа /. Сходство структуры

Рис. 64. Зависимость времени темнового полуспада потенциала слоев типа //от времени зарядки

1,2 — без предварительной подсветки слоя; 3, 4 — после предварительной подсветки монохроматическим светом, соответствующим максимуму чувствительности

и ЭФ параметров слоев типа / и прессованных таблеток РЬО дает основание распространить рассмотренный выше механизм ЭФ разрядки и на эти гетерогенные слои. Спад потенциала в них во многом определяется генерацией НЗ с поверхностных уровней, образованных сорбированными молекулами воды.

Поверхностная пленка лака приводит к резкому замедлению темновой разрядки слоев и возрастанию Uap в сравнении с тем, что наблюдается в слоях типа /, //. Этот факт, естественно, связан с существованием значительного барьера на пути дрейфа НЗ по слою, препятствующего уменьшению плотности поверхностного заряда. Разрядка таких слоев лимитируется объемным зарядом экранирования. Численные значения ЭФ-параметров ЭФС со связующим веществом представлены в табл. 22.

Рис. 63. Темновой спад потенциала трех типов слоев со связующим веществом

128

Увеличение времени зарядки (рис. 64, кривые /, 2) приводит к замедлению скорости спада потенциала. В противоположность этому предварительная подсветка слоя перед электризацией ускоряет темновую разрядку (рис. 64, кривые 3, 4), причем для РЬОт наиболее сильное влияние оказывает подсветка из области максимальной ЭФЧ (? ^ 620 нм).

Существенна также связь темновых параметров ЭФС РЬО с фазовым составом слоев: с уменьшением доли РЬОт в слое возрастает значение ?/?? и замедляется разрядка слоев.

Особенности структуры и темновые характеристики слоев типа // в сравнении с аналогичными параметрами таблеток и слоев типа / приводят к выводу о связи темновой разрядки с объемными процессами.

Эффективное удельное сопротивление заряженного ЭФС РЬО, оцененное по времени релаксации потенциала, согласно р* = = ?/(??0), в среднем составляет (1-7-5)· 10м Ом-см. Полученные значения соответствуют, если воспользоваться соотношением р* =

= (??0?)~?, концентрации свободных НЗ

я0 ~ (1ч-5)-104 см-3

при ? л; 1 см2/(В-с) и ? = 20. Значительное превышение (вплоть до четырех-пяти порядков для РЬОт) р* над удельным сопротивлением РЬО в резисторном режиме свидетельствует об образовании запорных контактов и сильном полевом опустошении объема слоя. Это находится в согласии с моделью для ЭФС Se и ??? [7, 24].

Быстрый темновой спад потенциала окисносвинцовых слоев естественно было бы связать в первую очередь с инжекцией НЗ из подложки, поскольку инжекционные процессы характерны для монокристаллов, пленок и керамик РЬО. Эксперимент, однако, показал, что поликристаллические слои РЬО, напыленные на металлическую подложку с предварительно нанесенным слоем диэлектрика, создающим запорный контакт НЗ, также обладают большой скоростью разрядки. Исходя из того, что, во-первых, диэлектрический подслой не замедляет TP напыленных слоев и поликристаллических таблеток и что, во-вторых, при зарядке до небольших (в несколько раз меньших Unp) потенциалов «быстрый» участок кинетической кривой не исчезает, а наоборот, становится доминирующим, можно сделать вывод о пренебрежимо малом вкладе в спад потенциала инжекции НЗ из подложки в слой. С другой стороны, поверхностная диэлектрическая пленка значительно замедляет релаксацию по-

Таблица 22

Зависимость электрофотографических параметров ЭФС РЬО от структуры

Тип слоя Характер структуры слоя V ?1/2' с

/ Однородный, не- 1200 24

ii прочный Однородный, плотный, лак К-55 Однородный, плотный, лак КО-815 С поверхностным слоем лака 1080 93

ii 1180 134

iii 1400 10*

129

тенциала, выявляя таким образом существенную роль поверхностных процессов.

Выбор между объемной и поверхностной генерацией для ЭФС РЬОт с нормальным содержанием связующего вещества осуществим на основе анализа формы кинетической кривой TP, которая состоит из «медленной» и «быстрой» начальных часте

страница 55
< К СПИСКУ КНИГ > 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61

Скачать книгу "Фотопроводящие окислы свинца в электронике" (1.48Mb)


[каталог]  [статьи]  [доска объявлений]  [прайс-листы]  [форум]  [обратная связь]

 

 

Реклама
шашка на крышу такси
нож для нарезки ломтиками
детский матрас 160х70
эмблема на машину урал купить

Рекомендуемые книги

Введение в химию окружающей среды.

Книга известных английских ученых раскрывает основные принципы химии окружающей среды и их действие в локальных и глобальных масштабах. Важный аспект книги заключается в раскрытии механизма действия природных геохимических процессов в разных масштабах времени и влияния на них человеческой деятельности. Показываются химический состав, происхождение и эволюция земной коры, океанов и атмосферы. Детально рассматриваются процессы выветривания и их влияние на химический состав осадочных образований, почв и поверхностных вод на континентах. Для студентов и преподавателей факультетов биологии, географии и химии университетов и преподавателей средних школ, а также для широкого круга читателей.

Химия и технология редких и рассеянных элементов.

Книга представляет собой учебное пособие по специальным курсам для студентов химико-технологических вузов. В первой части изложены основы химии и технологии лития, рубидия, цезия, бериллия, галлия, индия, таллия. Во второй части книги изложены основы химии и технологии скандия, натрия, лантана, лантаноидов, германия, титана, циркония, гафния. В третьей части книги изложены основы химии и технологии ванадия, ниобия, тантала, селена, теллура, молибдена, вольфрама, рения. Наибольшее внимание уделено свойствам соединений элементов, имеющих значение в технологии. В технологии каждого элемента описаны важнейшие области применения, характеристика рудного сырья и его обогащение, получение соединений из концентратов и отходов производства, современные методы разделения и очистки элементов. Пособие составлено по материалам, опубликованным из советской и зарубежной печати по 1972 год включительно.

 

 



Рейтинг@Mail.ru Rambler's Top100

Copyright © 2001-2012
(30.03.2017)