химический каталог




Фотопроводящие окислы свинца в электронике

Автор В.А.Извозчиков, О.А.Тимофеев

/2 ~ 200 -f- 300 с при начальном потенциале слоя 1,5—2 к В. ??? 25

сорбция сухого кислорода, предваряющая напуск в откаченную систему с ЭФС сухого воздуха и электризацию ЭФС, ускоряет ТР. Кроме того, адсорбция кислорода усиливает отклонение ЭФС от биполярности проводимости, что проявляется в увеличении положительного значения ?/пр по сравнению с отрицательным и в уменьшении значения т,/2 после отрицательной зарядки.

Адсорбция Н20 резко ухудшает темновые ЭФ свойства образцов. Характеристики их становятся биполярными вне зависимости от фазового состава и рода металла на контакте. На основании этого очевиден вывод о том, что быстрая TP потенциала ЭФС РЬО в обычных условиях обусловлена адсорбцией на их поверхности молекул воды. Однако влияние влаги на скорость разрядки керамик РЬО не является обычным, связанным с повышением поверхностной проводимости. Если значение последней в зависимости от влажности окружающей среды изменяется на 4—5 порядков, то колебания времени полуспада потенциала происходят в пределах 1—1,5 порядков. С учетом ранних исследований сорбционных процессов в РЬО интерпретация полученных экспериментальных результатов может быть дана в рамках теории ?. Ф. Волькенштейна [6].

Согласно [6], при хемосорбции на поверхности кристалла образуется локальный энергетический уровень, донорный или акцепторный характер которого определяется природой адсорбата и адсорбента. Хемосорбированный атом или молекула могут менять тип своей связи с полупроводником («прочная» или «слабая»), что сопровождается локализацией или делокализацией свободного НЗ. В равновесии из общего числа N адсорбированных молекул (если они обладают одновременно сродством как к электрону, так и к дырке) определенная часть будет находиться в состоянии «слабой» (?°), «прочной» донорной (??+) или «прочной» акцепторной (?-) связи с поверхностью. Значения параметров ?°, ?+, ?- зависят от положения уровня Ферми и при смещении последнего изменяются.

Рассмотрим полупроводниковый слой, собственный по типу проводимости, в котором установилось определенное соотношение между донорными и акцепторными частицами с соответствующим равновесием концентрации НЗ на уровнях. Зарядка поверхности слоя в процессе электризации (допустим, положительными ионами) приведет к загибу зон вниз, значение которого ??/5, определяемое в случае обедняющего изгиба зон выражением AUS = kT (???/?*2)? XeN, может превысить значение 10 кТ. Здесь: ?* = 2 e&0kTn0; oq— плотность заряда присущих кристаллу дефектов; N — концентрация сорбированных при зарядке ионов.

Соответствующее изгибу зон перемещение уровня Ферми вверх к зоне проводимости вызовет изменение значений ?+ и ?-. В предельном случае может иметь место ?- ^> ?"1-. Данный процесс является динамическим, и генерация с поверхностных уровней при непрерывном изменении степени их заполнения выступает как механизм, конкурирующий с полевым опустошением слоя. Исчезно-

126

вение ?+ и повышение ?~ за счет уменьшения ?° приводят к увеличению концентрации свободных электронов, что вызывает ускорение разрядки вплоть до исчезновения способности к зарядке при достаточно большом значении ?°. Очевидно, что существенную роль при этом играет энергия уровня, связанного с адсорбированной частицей.

Аналогично можно рассмотреть случай отрицательной зарядки и показать возможность увеличения скорости разрядки за счет роста теперь уже свободных дырок.

Распространим рассмотренные следствия электронной теории поверхностных явлений на окисносвинцовый слой при адсорбции на него молекул Н20. При хемосорбции воды возможно образование двух ионов Н+ и ОН-, каждый из которых вступает в «прочную», соответственно донорную и акцепторную связь с кристаллом РЬО. В предположении стабилизации уровня Ферми для поверхностных состояний посередине запрещенной зоны данный конкретный случай полностью совпадает с рассмотренным выше общим, теоретическим. Достаточное значение N и близость значений глубин донорного и акцепторного уровней могут обеспечить быстрый спад потенциала и биполярность разрядных характеристик, численные значения которых определяются плотностью адсорбированных молекул Н20. Возможна и другая реакция на поверхности слоя РЬО: Н20 -> Н20+ + е. В этом случае достаточно предположить амфотерный характер примесного уровня, связанного с Н20+. В рамках представлений, высказанных в работе [6 ], это означает, что данный уровень должен находиться вблизи равновесного положения уровня Ферми. Тогда донорный или акцепторный характер уровня будет зависеть от перемещения уровня Ферми вниз или вверх при зарядке слоя соответственно отрицательными или положительными ионами. Дальнейшее рассмотрение процесса аналогично сделанному выше.

Таким образом, если скорость темнового спада определяется генерацией с поверхностных уровней, то изменение степени заполнения их при переходе от одного т.ипа связи к другому будет определять dUldt как механизм, конкурирующий с полевым опустошением. Квазисобственное состояние поверхности РЬО определяет биполярность темновых электр

страница 54
< К СПИСКУ КНИГ > 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61

Скачать книгу "Фотопроводящие окислы свинца в электронике" (1.48Mb)


[каталог]  [статьи]  [доска объявлений]  [прайс-листы]  [форум]  [обратная связь]

 

 

Реклама
адвокат трудовые споры москва
кинотеатральные кресла реклайн
билеты на токио хотел 2017
гладильный комод ariva-238r

Рекомендуемые книги

Введение в химию окружающей среды.

Книга известных английских ученых раскрывает основные принципы химии окружающей среды и их действие в локальных и глобальных масштабах. Важный аспект книги заключается в раскрытии механизма действия природных геохимических процессов в разных масштабах времени и влияния на них человеческой деятельности. Показываются химический состав, происхождение и эволюция земной коры, океанов и атмосферы. Детально рассматриваются процессы выветривания и их влияние на химический состав осадочных образований, почв и поверхностных вод на континентах. Для студентов и преподавателей факультетов биологии, географии и химии университетов и преподавателей средних школ, а также для широкого круга читателей.

Химия и технология редких и рассеянных элементов.

Книга представляет собой учебное пособие по специальным курсам для студентов химико-технологических вузов. В первой части изложены основы химии и технологии лития, рубидия, цезия, бериллия, галлия, индия, таллия. Во второй части книги изложены основы химии и технологии скандия, натрия, лантана, лантаноидов, германия, титана, циркония, гафния. В третьей части книги изложены основы химии и технологии ванадия, ниобия, тантала, селена, теллура, молибдена, вольфрама, рения. Наибольшее внимание уделено свойствам соединений элементов, имеющих значение в технологии. В технологии каждого элемента описаны важнейшие области применения, характеристика рудного сырья и его обогащение, получение соединений из концентратов и отходов производства, современные методы разделения и очистки элементов. Пособие составлено по материалам, опубликованным из советской и зарубежной печати по 1972 год включительно.

 

 



Рейтинг@Mail.ru Rambler's Top100

Copyright © 2001-2012
(06.12.2016)