химический каталог




Фотопроводящие окислы свинца в электронике

Автор В.А.Извозчиков, О.А.Тимофеев

ЯЧЕЙКИ,

ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ПОКРЫТИЯ И СТЕКЛА

24. Электрофотографнческнн процесс на окисносвинцовых слоях

Электрофотографический процесс включает в себя следующие этапы: электризация (электростатическая сенсибилизация) ЭФС, экспонирование и формирование скрытого электростатического изображения, его проявление и перенос. После электризации ЭФС находится в сильном электростатическом поле, т. е. в режиме, сходном с условиями работы мишени видикона. Если рассматривать ЭФС в качестве плоского конденсатора с неизменной эффективной емкостью Сэфф, то релаксация его потенциала к некоторой остаточной величине определяется плотностями тока проводимости полупроводника / в темноте и фототока /ф при экспонировании. Тогда в темноте (dUldt) = (1/Сэфф) /, а при экспонировании:

(dU/dt) — [4??/(??0)]/?==0.

Последнее уравнение называется уравнением фоторазрядки ЭФС. В общем случае плотность фототока является нелинейной функцией потенциала /?(?/) и определяется условиями генерации и рекомбинации дрейфа и диффузии неравновесных НЗ.

Поскольку при экспонировании слоя его места с различной освещенностью разряжаются с разной скоростью, постольку в слое образуется скрытое электростатическое изображение в виде потенциального рельефа. Визуализация этого изображения и его перенос обычно осуществляются сухим проявителем в виде мелких заряженных частиц красителя.

Механизм образования скрытого изображения исследуют по кинетике релаксации потенциала поверхности слоя. Основными параметрами ЭФС являются предельный потенциал зарядки Unp и время его спада наполовину (время полуспада ?1/2)· Электрофотографическая чувствительность (ЭФЧ) определяется величиной, обратной экспозиции, вызывающей полуспад остаточного темнового потенциала слоя (см. § 13). При исследовании спектральной чувствительности ЭФЧ обычно относят к равной энергии или равному числу квантов, падающих на ЭФС.

Темновая релаксация (TP) потенциала. При зарядке слоя возникающее в нем сильное электрическое поле при запорном изгибе зон удаляет свободные носители заряда и опустошает мелкие ловушки. В результате слои сохраняют потенциал поверхности длительное время. Скорость его спада ограничивается скоростью генерации свободных НЗ, дрейфующих затем к поверхности слоя и нейтрализующих нанесенный заряд. В общем случае на процесс TP оказывает влияние и объемный заряд в полупроводниковом

124

слое. К основным механизмам генерации НЗ относятся: а) генерация НЗ обоих знаков в объеме; б) генерация из поверхностных уровней, соответствующих осажденным при заряде ионам; в) генерация из подложки.

Кристаллохимическая модель окислов РЬ и влияние на их свойства поверхностных состояний предполагают биполярную или ква-зимонополярную проводимости, а также существенную зависимость скорости спада потенциала заряженных слоев от их структуры и контактов с окружающей средой. В связи с этим все исследованные слои, преимущественно красной РЬОп и РЬОт делятся на две основные группы: а) слои, имеющие непосредственный контакт с атмосферой (тонкие термически осажденные слои, прессованные таблетки); б) слои, отделенные от атмосферы диэлектрическим покрытием (слои, диспергированные в связующем веществе, осажденные слои и таблетки, пропитанные диэлектриком). Изучение влияния температуры и состава окружающей среды на характеристики слоев проведено В. И. Богословским на специальной установке, в которой давление остаточных газов в рабочей камере после откачки не превышало 6 Па.

Тонкие поликристаллические слои группы «а» проявляют весьма слабую, быстро исчезающую во времени способность заряжаться. Пропитка слоев толщиной 20—40 мкм парафином резко улучшает их темновые параметры (предельный потенциал зарядки достигает 600—1000 В, время полуспада потенциала 50—100 с), при этом остаточный потенциал после световой разрядки не превышает 0,2—0,4 начального U0.

Темновые параметры таблеток РЬО определяются влажностью атмосферы, длительностью хранения на воздухе, характером термической обработки и тренировки в вакууме. Характеристики таблеток, длительно хранившихся на воздухе, биполярны и не зависят от времени зарядки. Специфичны температурные зависимости ?,/2 во влажной и сухой атмосфере.

В сухом воздухе температурные зависимости ? и т1/2 антибатны и носят четко выраженный активационный характер с АЕТ ^ — 0,2 и 0,6 эВ для ? и ??? ~ 0,7 и 0,4 эВ для ?,/2 в областях ? ниже и выше 310 К соответственно. По абсолютным значениям ?,/2 падает

при этом от 300 до 4—5 с, а ? нарастает от ~ Ю-15 до ~ Ю-12 См/см с нагреванием ЭФС от 260 до 580 К. Влажный воздух повышает ? при комнатной ? примерно на три порядка величины, а ?,/2 снижает до 1—5 с во всем рассмотренном интервале Т. Зависимость ?1/2 от ? и во влажном воздухе сохраняет активационный характер, но в области Т<310 К ??? меняет знак, что служит указанием на связь механизма TP в этом случае с процессами генерации НЗ из поверхностных энергетических состояний, ответственных за адсорбцию молекул Н20.

При комнатной температуре в условиях сухого воздуха ?1

страница 53
< К СПИСКУ КНИГ > 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61

Скачать книгу "Фотопроводящие окислы свинца в электронике" (1.48Mb)


[каталог]  [статьи]  [доска объявлений]  [прайс-листы]  [форум]  [обратная связь]

 

 

Реклама
стул molly
микроавтобусы бизнес класса на 9 мест в ростове
бокалы для портвейна
решетка настенная анр 150х150 арктика

Рекомендуемые книги

Введение в химию окружающей среды.

Книга известных английских ученых раскрывает основные принципы химии окружающей среды и их действие в локальных и глобальных масштабах. Важный аспект книги заключается в раскрытии механизма действия природных геохимических процессов в разных масштабах времени и влияния на них человеческой деятельности. Показываются химический состав, происхождение и эволюция земной коры, океанов и атмосферы. Детально рассматриваются процессы выветривания и их влияние на химический состав осадочных образований, почв и поверхностных вод на континентах. Для студентов и преподавателей факультетов биологии, географии и химии университетов и преподавателей средних школ, а также для широкого круга читателей.

Химия и технология редких и рассеянных элементов.

Книга представляет собой учебное пособие по специальным курсам для студентов химико-технологических вузов. В первой части изложены основы химии и технологии лития, рубидия, цезия, бериллия, галлия, индия, таллия. Во второй части книги изложены основы химии и технологии скандия, натрия, лантана, лантаноидов, германия, титана, циркония, гафния. В третьей части книги изложены основы химии и технологии ванадия, ниобия, тантала, селена, теллура, молибдена, вольфрама, рения. Наибольшее внимание уделено свойствам соединений элементов, имеющих значение в технологии. В технологии каждого элемента описаны важнейшие области применения, характеристика рудного сырья и его обогащение, получение соединений из концентратов и отходов производства, современные методы разделения и очистки элементов. Пособие составлено по материалам, опубликованным из советской и зарубежной печати по 1972 год включительно.

 

 



Рейтинг@Mail.ru Rambler's Top100

Copyright © 2001-2012
(27.07.2017)